导读:本文包含了衬底负偏压论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:偏压,衬底,薄膜,金刚石,成核,离子束,微结构。
衬底负偏压论文文献综述
田小丽,张敏刚,陈峰华[1]（2013）在《衬底负偏压及溅射功率对SiO_2/Cu薄膜形貌的影响》一文中研究指出采用射频磁控溅射镀膜技术,分别以不同的衬底负偏压和射频溅射功率下在p型Si(100)基片上制备了SiO2/Cu薄膜。用原子力显微镜(AFM)对薄膜的表面形貌进行扫描分析,实验结果表明,衬底负偏压和射频溅射功率对SiO2/Cu薄膜的表面形貌都有显着的影响。衬底负偏压在0～15 V内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随着衬底负偏压的增大呈减小的趋势,而溅射功率在100～200 W内,薄膜表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随溅射功率的升高呈增大的趋势。成膜初期是层状生长模式,后期为岛状生长模式,整个成膜过程是典型的层岛生长模式。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2013年02期）
杨利斌,柴跃生,张敏刚,陈峰华,张凯[2]（2011）在《衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响》一文中研究指出采用能谱仪(EDS)和原子力显微镜(AFM)对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现:当衬底负偏压在5~30 V范围变化时,薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势,在偏压为10 V时,达到最小值52.84%(摩尔分数,下同)。Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反,且在偏压为10 V时达到最大值29.85%,而Mn含量变化不大,保持在17.00%左右;薄膜呈典型岛状(Volmer-Weber)模式生长,表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2011年09期）
代伟,吴国松,孙丽丽,汪爱英[3]（2009）在《衬底负偏压对线性离子束DLC膜微结构和物性的影响》一文中研究指出采用一种新型线性离子束PVD技术制备出大面积类金刚石薄膜(DLC膜),研究了衬底负偏压对薄膜微结构和物性的影响.结果表明:制备出的类金刚石薄膜在300 mm×100 mm范围内纵向厚度均方差约10-12 nm,横向薄膜厚度均方差约2-4 nm.随着衬底偏压的提高,薄膜中sp~3键的含量先增加后减小,在衬底偏压为-100 V时sp~3键的含量最大;DLC膜的残余应力、硬度和弹性模量与sp~3键的含量呈近似线性的关系,在衬底偏压为-100 V时其最大值分别为3.1 GPa、26 GPa和230 GPa.DLC薄膜的摩擦学性能与薄膜中sp~3碳杂化键的含量密切相关,但是受衬底偏压的影响不大,其摩擦系数大多小于0.25.偏压对磨损的影响很大,在偏压比较低(0～-200 V)时,薄膜的磨损率约为10~(-8)mm~3/N·m,偏压升高到300 V磨损率急剧提高到10~(-7)mm~3/N·m.(本文来源于《材料研究学报》期刊2009年06期）
刘凤艳,刘宇星,刘敏蔷,侯碧辉[4]（2004）在《负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究》一文中研究指出由于金刚石与Si有较大的晶格失配度和表面能差,利用化学气相沉积(CVD)制备金刚石膜时,金刚石在镜面光滑的Si表面上成核率非常低.而负村底偏压能够提高金刚石在镜面光滑的Si表面上的成核率,表明金刚石核与Si表面的结合力也得到增强.利用负偏压增强CVD系统制备金刚石膜时,气体辉光放电产生的离子对Si表面轰击,使得Si衬底表面产生了微缺陷(凹坑),增大了金刚石膜与Si衬底的结合面积.本工作主要从理论上研究离子轰击对金刚石膜与Si衬底结合力的影响.(本文来源于《第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ》期刊2004-09-01）
许仕龙,朱满康,黄安平,王波,严辉[5]（2004）在《衬底负偏压对溅射Ta_2O_5薄膜晶化温度及介电性能的影响》一文中研究指出采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta_2O_5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta_2O_5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta_2O_5薄膜的介电性能.(本文来源于《无机材料学报》期刊2004年03期）
王必本,王万录,廖克俊,肖金龙[6]（2000）在《衬底负偏压增强金刚石成核机制的研究进展》一文中研究指出综述了近几年来对衬底负偏压增强金刚石成核机制的研究,并且对各种机制进行了分析和讨论,提出了今后有待研究的问题。(本文来源于《材料导报》期刊2000年04期）
郭忠诚,王万录,廖克俊,董玉峰,秦友兰[7]（1999）在《衬底负偏压热灯丝CVD金刚石薄膜在锥体上核化的研究》一文中研究指出以ＣＨ４ 和Ｈ２ 为反应混合气体，用衬底负偏压热灯丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）面上制备金刚石膜，使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、Ｒａｍ ａｎ 谱和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对在硅尖上的金刚石核化进行了研究，并着重讨论了沉积在硅尖上的金刚石颗粒的生长机理。(本文来源于《重庆邮电学院学报》期刊1999年04期）
冯斌,廖克俊,王万录,秦友兰,张智[8]（1998）在《负偏压对M_0衬底上生长金刚石膜的影响》一文中研究指出研究用热灯丝化学气相沉积（ＨＦＣＶＤ）法在Ｍ０衬底上生长多晶金刚石膜。实验研究表明，负偏压对金刚石膜生长的影响十分显着，这是负偏压极大地影响了金刚石的核密度引起的，研究表明，来自金刚石的发射电子对气体分子的撞击，加速了ＣＨ４、Ｈ２分子离化，在衬底表面附近形成了一等离子体区，使Ｍ０衬底上金刚石的核密度可达１０９ｃｍ－２(本文来源于《微细加工技术》期刊1998年04期）
杨国伟[9]（1996）在《等离子体CVD生长金刚石薄膜中衬底负偏压增强成核机制》一文中研究指出提出了近年来实验发现的在等离子体化学气相沉积（ＰＣＶＤ）金刚石薄膜中衬底负偏压增强成核效应的理论模型，给出了偏压增强成核效应与沉积参数诸如反应压强和碳源浓度等的关系，解释了在负偏压增大时，反应压强和碳源浓度的变化对成核增强强度的影响，并且讨论了阈值负偏压问题。本模型得到的理论结果与文献中的实验结果基本一致。(本文来源于《高压物理学报》期刊1996年02期）
杨国伟,毛友德[10]（1996）在《CVD生长金刚石薄膜衬底负偏压增强成核效应》一文中研究指出基于已经得到的实验结果的分析，本文较详细地讨论了低压化学气相沉积（ＣＶＤ）金刚石薄膜过程中，衬底负偏压对金刚石成核的增强效应，明确阐述了负偏压增强成核的作用机理，并且讨论了这种效应作为提高金刚石在非金刚石衬底表面成核密度的一种方法所具有的优点以及存在的不足。(本文来源于《真空》期刊1996年01期）
衬底负偏压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用能谱仪(EDS)和原子力显微镜(AFM)对不同衬底负偏压下射频磁控溅射法制备的Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜进行了成分和形貌的分析。研究发现:当衬底负偏压在5~30 V范围变化时,薄膜中的Ni含量随偏压的增加呈先减少后增加的趋势,在偏压为10 V时,达到最小值52.84%(摩尔分数,下同)。Ga含量的变化趋势恰好与Ni相反,且在偏压为10 V时达到最大值29.85%,而Mn含量变化不大,保持在17.00%左右;薄膜呈典型岛状(Volmer-Weber)模式生长,表面颗粒尺寸和均方根粗糙度都随衬底负偏压的增加而减小。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
衬底负偏压论文参考文献
[1].田小丽,张敏刚,陈峰华.衬底负偏压及溅射功率对SiO_2/Cu薄膜形貌的影响[J].微纳电子技术.2013
[2].杨利斌,柴跃生,张敏刚,陈峰华,张凯.衬底负偏压对Ni-Mn-Ga形状记忆薄膜成分及形貌的影响[J].电子元件与材料.2011
[3].代伟,吴国松,孙丽丽,汪爱英.衬底负偏压对线性离子束DLC膜微结构和物性的影响[J].材料研究学报.2009
[4].刘凤艳,刘宇星,刘敏蔷,侯碧辉.负偏压增强金刚石膜与衬底结合强度的理论研究[C].第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ.2004
[5].许仕龙,朱满康,黄安平,王波,严辉.衬底负偏压对溅射Ta_2O_5薄膜晶化温度及介电性能的影响[J].无机材料学报.2004
[6].王必本,王万录,廖克俊,肖金龙.衬底负偏压增强金刚石成核机制的研究进展[J].材料导报.2000
[7].郭忠诚,王万录,廖克俊,董玉峰,秦友兰.衬底负偏压热灯丝CVD金刚石薄膜在锥体上核化的研究[J].重庆邮电学院学报.1999
[8].冯斌,廖克俊,王万录,秦友兰,张智.负偏压对M_0衬底上生长金刚石膜的影响[J].微细加工技术.1998
[9].杨国伟.等离子体CVD生长金刚石薄膜中衬底负偏压增强成核机制[J].高压物理学报.1996
[10].杨国伟,毛友德.CVD生长金刚石薄膜衬底负偏压增强成核效应[J].真空.1996
论文知识图
