论文摘要
GaN HEMT器件在高压、高频、大功率应用领域中具有广泛的应用前景,但逆压电效应是其高可靠应用中面临和亟待解决的重要问题。本文系统梳理了国内外的文献报道,研究了GaN HEMT存在的逆压电效应,分析了逆压电效应导致的器件性能退化机理,定位了逆压电效应引起器件的结构损伤位置,最后给出了抑制逆压电效应的方法,以期提高GaN HEMT的可靠性。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 席善斌,裴选,迟雷,尹丽晶,高东阳,彭浩,黄杰
关键词: 二维电子气,压电极化,逆压电效应,临界电压
来源: 环境技术 2019年06期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 无线电电子学
单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所,国家半导体器件质量监督检验中心
分类号: TN386
页码: 50-55
总页数: 6
文件大小: 1832K
下载量: 75