论文摘要
单粒子翻转(SEU)效应是离子入射静态随机存储器(SRAM)使其逻辑状态发生改变的一种效应.依据地面单粒子翻转实验数据构建合适的模型可以对器件的在轨运行错误率进行预估.文章主要针对0.15μm工艺的SRAM,基于蒙特卡罗软件Geant4,构建经验模型,模拟其单粒子翻转效应截面,并将模拟结果与实验结果进行对比,结果表明该经验模型可以应用于亚微米器件单粒子翻转效应的模拟.
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 高丽娟,白彩艳
关键词: 单粒子翻转效应,截面,重离子
来源: 山西师范大学学报(自然科学版) 2019年03期
年度: 2019
分类: 基础科学,信息科技
专业: 数学,计算机硬件技术
单位: 晋中学院数理学院
基金: 理科理论力学课程内容体系及教学模式综合改革的研究与实践(212013jg17)
分类号: TP333;O242.2
DOI: 10.16207/j.cnki.1009-4490.2019.03.008
页码: 40-44
总页数: 5
文件大小: 423K
下载量: 61
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