导读:本文包含了衬底电流论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:衬底,电流,偏压,氮化,混频器,沟道,效应。
衬底电流论文文献综述
牟文杰,赵琳娜,翟阳,朱培敏,陈雷雷[1]（2017）在《自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究》一文中研究指出在自支撑衬底n-GaN外延片上制备了圆形Ni/Au/n-GaN肖特基接触结构,测量和分析器件的变温电流-电压(I-V)特性,研究了其正向和反向电流的输运机制。结果表明:在正向偏压下,随着温度从300K增加至420K,器件的理想因子由1.8减小至1.2,表明在高温下复合机制逐渐被热发射机制替代;在反向小偏压下,漏电流表现显着的温度和电压依赖特性,且ln(I)-E~(1/2)数据满足较好线性规律,这表明肖特基效应的电子热发射机制应占主导;而在更高的反向偏压下,电流逐渐变成温度的弱函数,且数据遵循ln(I/E~2)-1/E线性依赖关系,该行为与Fowler-Nordheim隧穿特性一致。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2017年03期）
赵真典,陈路,傅祥良,王伟强,沈川[2]（2017）在《替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理》一文中研究指出基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2017年02期）
刘昊,宋晓峰,柏松,刘奥,陈刚[3]（2016）在《衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究》一文中研究指出利用自主生长的SiC外延材料,采用晶圆快速减薄与激光退火工艺结合研制600V/30ASiC肖特基二极管。先完成正面工艺,然后贴膜保护正面,SiC外延材料快速减薄到180μm左右,蒸发Ni之后采用激光退火工艺完成背面欧姆的制作,最后溅射TiNiAg完成SiC器件的研制。减薄完的晶圆比不减薄的晶圆正向压降Vf降低了0.15V,电流密度增大了近100%,器件的反向特性基本保持不变。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2016年06期）
郭厚东[4]（2016）在《低LIGBT衬底漏电流新结构研究》一文中研究指出LIGBT作为一类重要的栅控双极功率器件,既具有MOSFET的控制功率小、输入阻抗高、驱动电路简单、开关速度高的优点,又有双极型功率晶体管的饱和压降低、电流密度大、电流处理能力强的优点,因此LIGBT器件被广泛地应用在各种功率集成电路以及电力电子系统中。但在工作中,由于电导调制作用,阳极会向漂移区注入大量空穴,其中部分空穴会在正漏极电压作用下直接注入到衬底,从而产生严重的衬底漏电流,影响电路性能。为降低LIGBT的衬底漏电流,本文提出如下两类新结构:(1)针对自热效应严重,击穿电压低的的问题,提出了分层SO ILIGBT结构:新结构引入了埋氧层阳极和中间窗口,通过利用衬底参与承担电压体和利用硅窗口传导热量,提高了整个器件的耐受电压并且降低了自热效应。仿真结果表明:新结构的击穿电压提高1.5倍以上,工作时的热点温度下降15K以上,同时衬底漏电流低至7×10-12A/μm,开关速度基本不变。(2)针对第一种结构工艺复杂,电流导通能力不够强的问题,提出了双通道SO ILIGBT,新结构引入了双栅结构,并且进一步缩短埋氧层的长度,通过增加导电通道的方法,提高了电流导通能力,仿真结果表明,新结构的击穿电压达到400V左右,饱和电流浓度最高达到3.7A/μm,同时衬底漏电流在7×10-12A/μm以下,开关速度基本不变。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2016-11-18）
王林,王军,王丹丹[5]（2016）在《纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模》一文中研究指出衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础,也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型,并将模型的仿真结果与实验结果相比较,验证了模型的准确性。同时对衬底电流与沟道长度和偏置电压的关系进行了分析研究,结果表明,衬底电流具有显着的沟道长度与偏置依赖性。(本文来源于《电子技术应用》期刊2016年10期）
李丽莎,闫大为,管婕,杨国锋,王福学[6]（2015）在《图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响》一文中研究指出在传统蓝宝石衬底(CSS)和图形化蓝宝石衬底(PSS)上分别制备了结构相同的GaN基蓝光发射二极管(LEDs),测试并比较了这两种不同衬底器件的电流与发光特性。结果表明,与CSS-LED相比,PSS-LED在-4V处的反向漏电流降低了两个数量级,峰值波长基本不随电流增大而发生显着蓝移,半高宽、输出功率与外量子效率等发光性能也获得明显改善。PSS-LED反向漏电流的减小主要归功于外延层中位错密度的降低,发光性能的改善主要是因为PSS减少了光在LED内部的全反射,提高了光的析出率;PSS-LED的外量子效率随电流下降的行为(droop)并未明显改善,表明位错可能不是引起效率droop的主要原因。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2015年04期）
吴云,霍帅,周建军[7]（2014）在《电流增益截止频率为40GHz的柔性衬底石墨烯FET》一文中研究指出石墨烯自问世以来,因其优异的性能已在电子领域取得了显着的成果,成为全球研究的热点。兼具高电子迁移率以及优良机械韧性的优点,石墨烯同柔性衬底的结合有望突破柔性电子高频化的技术瓶颈,推进柔性电子的应用进程。南京电子器件研究所在柔性衬底PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)上成功制备了高性能的石墨烯FET器件。该器件可在外力作用下发生较大幅度的形变[见图1(a)左上角]。在0.5 V漏压下,源漏间电阻为1800Ω·μm,电流密度为0.3 A/mm。小信号特性测结果显示,器件具有优良的频率性能。图1(b)为以OPEN-SHORT法除去PAD寄生电阻、电容后的频率性能,最大电流增益截止频率f_T和最大功率增益截止频率f_(max)分别达到41.4 GHz和17.7 GHz。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2014年03期）
陈海峰[8]（2013）在《反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究》一文中研究指出研究了反向衬底偏压VB下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生(GMG)电流IGMG特性,发现IGMG曲线的上升沿与下降沿随着|VB|的增大向右漂移.基于实验和理论模型分析,得出了VB与这种漂移之间的物理作用机制,漂移现象的产生归因于衬底偏压VB调节了表面电势φs在栅电压VG中的占有比重:|VB|增大时相同VG下φs会变小,φs的变化继而引发上升沿产生率因子gr减小以及下降沿产生率因子gf增大.进一步发现IGMG上升沿与下降沿的最大跨导GMR,GMF在对数坐标系下与VB成线性关系,并且随着|VB|增加而增大.由于漏电压VD在IGMG上升沿与下降沿中的作用不同,叁种VD下GMR-VB曲线重合而GMF-VB曲线则产生差异.增大VD会增强gf随VG的变化,因此使得给定VB下的GMF变大.同时这却导致了更大VD下GMF-VB曲线变化的趋势减缓,随着VD从0.2 V变为0.6 V,曲线的斜率s从0.09减小到0.03.(本文来源于《物理学报》期刊2013年18期）
陈海峰,过立新[9]（2013）在《nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究》一文中研究指出研究了基于90nm CMOS工艺的nMOSFET中正负衬底偏压VB对衬底电流IB的影响。衬底电流IB在0V<VG<1V时变化比较明显,IB随VB正偏压的增加而增大,随VB负偏压的增加而减小。这是因为在这一区间内对IB起主导作用的漏电流ID主要为亚阈值电流,而VB对与亚阈值电流紧密相关的阈值电压VTH会产生较大影响。进一步研究发现,衬底电流峰值IBMAX与VB在半对数坐标下呈线性关系。实验结果验证了VB对IB的这一影响机制在不同VD下的普适性。给出了相关的物理机制。(本文来源于《微电子学》期刊2013年01期）
申晶,张晓林[10]（2013）在《基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器》一文中研究指出基于SMIC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,设计实现了一种工作在0.6 V超低电源电压下的混频器.该混频器跨导级采用自偏置的互补跨导结构,并与开关级构成折迭结构,大大降低了电源电压;电路中所有的MOS管衬底均加有固定偏置电压,减小了MOS管的阈值电压,实现了超低电压超低功耗的设计;并采用电流复用技术,改善了电路的噪声性能,并提高了其转换增益和线性度.该混频器核心电路尺寸为460μm×400μm,当射频信号、本振信号和中频信号分别为1575 MHz,1400 MHz和175 MHz时,仿真表明,该混频器转换增益(Gc)为6.1 dB,双边带噪声系数为14 dB,输入1 dB压缩点为-16.67 dBm,在0.6 V的电源电压条件下,功耗仅为0.76 mW,可用于航空航天领域的电子系统中.(本文来源于《北京航空航天大学学报》期刊2013年04期）
衬底电流论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
衬底电流论文参考文献
[1].牟文杰,赵琳娜,翟阳,朱培敏,陈雷雷.自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究[J].固体电子学研究与进展.2017
[2].赵真典,陈路,傅祥良,王伟强,沈川.替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理[J].红外与毫米波学报.2017
[3].刘昊,宋晓峰,柏松,刘奥,陈刚.衬底减薄提高SiC二极管电流密度的研究[J].固体电子学研究与进展.2016
[4].郭厚东.低LIGBT衬底漏电流新结构研究[D].南京邮电大学.2016
[5].王林,王军,王丹丹.纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模[J].电子技术应用.2016
[6].李丽莎,闫大为,管婕,杨国锋,王福学.图形化衬底对GaN基LED电流与发光特性的影响[J].固体电子学研究与进展.2015
[7].吴云,霍帅,周建军.电流增益截止频率为40GHz的柔性衬底石墨烯FET[J].固体电子学研究与进展.2014
[8].陈海峰.反向衬底偏压下纳米N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中栅调制界面产生电流特性研究[J].物理学报.2013
[9].陈海峰,过立新.nMOSFET中衬底偏压对衬底电流的影响研究[J].微电子学.2013
[10].申晶,张晓林.基于衬底偏置的超低耗电流复用混频器[J].北京航空航天大学学报.2013
论文知识图
