导读:本文包含了有序介孔薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:薄膜,溶胶,凝胶,多普勒,纳米,吸收光谱,反射率。
有序介孔薄膜论文文献综述
杨洋[1]（2015）在《叁维有序介孔TiO_2微球阵列薄膜材料的贵金属沉积与光催化性能研究》一文中研究指出二氧化钛作为一种广泛应用于各个领域的热门材料,其优点有无毒无害,性质稳定,低价易得,绿色环保,性能优异等等。但在光催化的研究中,由于二氧化钛材料本身的局限性,导致其对太阳光的利用率并不高。二氧化钛光催化剂的光催化性能只能在紫外光下体现,这制约了二氧化钛材料在光催化研究领域的发展。本文通过模板法和溶胶凝胶法,成功制备出叁维有序的介孔二氧化钛微球阵列光子晶体薄膜,并对其进行贵金属沉积的改性,有效提高了二氧化钛材料在可见光下的光催化性能。主要的工作如下：利用无皂乳液聚合法,通过控制聚合反应时的温度,合成尺寸均一,单分散性良好的聚苯乙烯(PS)胶体球。以此作为模板,通过一步共组装PS胶体球和二氧化硅前驱液,合成不同孔径的高质量二氧化硅反蛋白石模板。向二氧化硅反蛋白石模板填充含有介孔结构导向剂P123的二氧化钛前驱液,通过陈化和煅烧,得到不同粒径的叁维有序介孔二氧化钛微球阵列光子晶体薄膜。由于光子晶体结构的特性,以及介孔所带来的比表面积的增加,使这种二氧化钛材料的光催化性能得到了大大提高。通过化学还原法,利用硼氢化钠作为还原剂,在二氧化钛前驱液中沉积贵金属纳米颗粒,可以最终制得贵金属沉积的叁维有序介孔二氧化钛微球阵列光子晶体薄膜。选取的贵金属有Pt和Au两种,初始模板粒径为330 nm。得到的Pt-TiO2材料的Pt颗粒的平均粒径是5 nm,分布较均匀。XPS显示,Pt元素在Pt-TiO2材料中以单质Pt存在。光催化性能测试结果表明,沉积贵金属Pt后的介孔二氧化钛材料在可见光下对有机染料罗丹明B的降解率有明显的提高。最佳的Pt沉积量为0.4wt%,对罗丹明B的降解率为73%。制备得到的Au沉积改性的二氧化钛材料,Au纳米颗粒的平均粒径是7 nm。XPS显示,Au元素在Au-TiO2材料中以单质Au存在。光催化性能测试结果表明,最佳的Au沉积量为0.4wt%,对罗丹明B的降解率为88%。而沉积Au以后对介孔二氧化钛微球阵列材料在可见光下的光催化性能提升要优于Pt,同样为最佳沉积量的0.4wt%,可见光下对罗丹明B的降解率提高了15%。(本文来源于《北京化工大学》期刊2015-05-28）
张馨文,詹凌曈,赵高凌,韩高荣[2]（2015）在《有序介孔氧化硅薄膜的制备及其性能研究》一文中研究指出介孔材料具有独特的结构,如极高的比表面积、可调的孔径、较窄的孔径分布和多样的孔道结构,在分离提纯、催化、生物等众多领域具有潜在用途~([1,2,3])。本研究以CTAB为模板剂,采用溶胶—凝胶法制备有序介孔SiO_2薄膜。并以旋涂法为镀膜方法,在玻璃基板上得到介孔氧化硅薄膜。通过小角X射线散射(SAXS)、扫描电镜(SEM)、椭偏仪、透射光谱等对薄膜的结构和性能进行了表征,结果显示制得的薄膜具有有序的孔道排列和较高的可见光学透过率。(本文来源于《2015年全国玻璃科学技术年会论文专集》期刊2015-04-11）
王涛[3]（2012）在《不锈钢表面有序介孔碳基薄膜的制备及其性能》一文中研究指出金属双极板作为燃料电池的关键部件，在燃料电池工作过程中因电化学腐蚀，表面腐蚀产物不断增厚，使双板板的接触电阻增大，导致部分电能转换为热能，从而降低燃料电池能量转换的效率。通常在金属双极板表面涂覆一层导电防护膜，来解决或最小化上述问题的影响。本论文首次尝试将有序介孔碳制成薄膜应用于质子交换膜燃料电池不锈钢双极板表面防护，提出薄膜成分选择的新思路，通过在纳米尺度上进行多组分的协同组装对介孔碳膜进行改性，探讨薄膜微观结构形成机制，在模拟质子交换膜燃料电池酸性溶液中研究有序介孔碳基薄膜的电化学特性。论文的主要内容介绍如下：1、结合溶剂挥发诱导自组装法和旋涂法，以嵌段共聚物F127为模板剂，酚醛树脂为碳源，在304不锈钢表面直接制备有序介孔碳膜。结构测试显示，有序介孔碳膜的比表面积在500~650m2g~(-1)，孔容0.4~0.5cm~3g~(-1)，介孔比例大于70%，说明其具有较好的介孔结构。相比于不锈钢裸片，涂覆有序介孔碳膜后，腐蚀电位提高了100~400mV，腐蚀电流下降了1个数量级，模拟质子交换膜燃料电池的恒电位极化时，腐蚀电流密度可低至0.464μA cm~(-2)，但此时接触角仅为71°，电导率为0.0043S m~(-1)。进一步提高热处理温度，会引起骨架的收缩，介孔碳膜局部产生裂痕，在极化测试过程中极不稳定，导致电荷传递阻抗的降低和腐蚀产物扩散速率加快。针对纯介孔碳膜的缺点，我们尝试了下面4种改性途经。2、在有序介孔碳膜中引入刚性的二氧化硅组分，强化介孔碳膜的热稳定性和防腐性能。通过叁元共组装制备介孔碳-二氧化硅复合膜，在400到700℃的热处理过程中，其孔径收缩了12.2%，较纯介孔碳收缩14.7%，明显降低，扫描电镜测试显示复合膜表面未见裂痕。电化学测试表明，经二氧化硅复合后的有序介孔碳膜腐蚀电流密度（0.0975μAcm~(-2)）减小为纯介孔碳膜的五分之一，碳化温度达700℃时恒电位极化曲线也非常稳定，说明高温热处理后碳-二氧化硅薄膜的致密性依然较好。3、在介孔碳中分别掺杂B、P、N等元素形成杂化介孔碳，以改善介孔碳的石墨化程度和防腐性能。在高温热处理时，这些元素有利于酚醛树脂由无定形向石墨化转变，提高了涂层的导电能力和疏水性，其中硼酸的加入还能一定程度上提高了薄膜的热稳定性。如热处理温度为500℃时，掺杂B、P、N的介孔碳膜电导率分别可达0.15、0.21、0.029S m~(-1)，对应的接触角分别为86、91、80°，显着高于纯介孔碳膜。恒电位极化测试显示，杂化介孔碳膜在0.5M H2SO4中具有良好的稳定性，动电位极化测试其腐蚀电流密度分别为0.285、0.0299、0.166μA cm~(-2)，表现出较好的防腐性能。4、将含W或Mo元素的前驱体添加于酚醛树脂前驱体中，分别制备有序介孔碳-钨复合薄膜和碳-钼复合薄膜。由于钨和钼化合物具有催化石墨化效应，介孔碳膜的石墨化程度和电导率随着这两种元素的含量的提高而增大。热处理温度为500℃时，其电导率分别可达0.82和0.11S m~(-1)。介孔骨架的特殊空间结构，引导钨化合物以规则的棒状形式生长，该棒状物主要由氧化钨和碳化钨组成。动电位极化测试结果显示碳-钨复合薄膜最低的腐蚀电流密度为0.0559μAcm~(-2)。有序介孔碳-钼薄膜具有非常致密的结构，钼主要以氧化钼和碳化钼的复合形式均匀的嵌入在碳壁中，粒径约4nm，在0.5M H_2SO_4中的自腐蚀电位为277mV，腐蚀电流密度仅有0.0273μAcm~(-2)。5、为了同时增强介孔碳膜的疏水性和电导率，在制备有序介孔碳的过程中原位加入高石墨化、高导电的石墨烯或碳纳米管，获得了高电导率、且具有微纳米粗糙结构的复合膜。其电导率分别0.35和0.41S m~(-1)，接触角为90和96°，在模拟PEMFC工作环境下的测试的自腐蚀电流密度分别为0.140和0.008μAcm~(-2)，表现出优异的防腐性能。(本文来源于《南京航空航天大学》期刊2012-11-01）
李辉,杨剑琨,苏彬[4]（2012）在《基于有序介孔二氧化硅薄膜的银纳米阵列电极》一文中研究指出以P123为结构导向剂,正硅酸四乙酯为硅源,制备出二氧化硅溶胶。将制备好的溶胶溶液均匀涂于导电玻璃上,用电吹风沿玻片纵向吹扫至溶液凝固。将载有凝胶的导电玻璃置于马弗炉中,设定从室温经过1 000 min升温至370℃后恒温180 min,烧去薄膜上的有机部分,再降温至室温,最终得到有序介孔二氧化硅薄膜。将带有二氧化硅薄膜的导电玻璃放入AgNO3无水乙醇溶液中,70℃油浴加热24 h后取出,超声清洗,烘干并进行封装即得到银纳米阵列电极。采用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、电子能谱分析(EDS)、紫外可见光谱(UV-Vis)及电化学方法进行表征。结果表明,成功形成了银纳米粒子及银纳米阵列电极。(本文来源于《实验室研究与探索》期刊2012年09期）
冯丹[5]（2012）在《有序介孔薄膜材料的合成、性质与应用》一文中研究指出有序介孔材料以其丰富的骨架组成、有序多变的孔道结构、可调控的优良孔性质及多样化的形貌,充分顺应于新世纪材料科学领域对物质从微观到宏观可控的发展趋势,以及能源、环境、人类健康等相关领域的应用需求。而薄膜在器件化方面的巨大优势,开辟了材料从设计合成通向实际应用的路径。因此,有序介孔薄膜材料是一类具有巨大应用前景的新材料。在有序介孔薄膜产生和发展的十几年间,其合成技术、性质研究、应用开发都有了长足的进展,不过在一些方面仍然存在很大的挑战：新兴介孔碳薄膜的合成和结构调控还没有被系统的研究,合成厚度可调、大孔径、高晶化度、高有序度等特点于一身的介孔氧化钛薄膜还存在困难,基底种类和通透性对介孔薄膜器件化和应用的制约等等。本论文从新世纪材料科学研究领域对新能源开发和利用、生物医药等方面的需求出发,以介孔材料的器件化及应用为目标,围绕介孔薄膜材料的设计合成、性质研究以及应用开发展开了一系列工作。包括选择碳和氧化钛作为功能性的主体骨架组成,通过复合、后沉积、原位掺杂的方法引入客体组分修饰和改性,发—展了制备自支撑薄膜的方法和开发了新型多孔碳纤维布基底,制成了电化学电极、纳米过滤器、光电化学(PEC)电池、光催化等功能器件,以及研究了它们在电化学能、太阳能等新能源利用以及生物大分子分离纯化方面的应用性能。论文的第二章,基于溶剂挥发诱导有机-有机自组装的方法,以甲阶酚醛树脂预聚体为碳源、叁嵌段共聚物F127和P123为模板剂,采用旋涂镀膜技术,在单晶硅基底上合成得到了一系列有序的介孔高分子和介孔碳薄膜。详细研究了在薄膜的形成、焙烧过程中单向收缩引起的结构畸变以及结构的取向性等,并对介观结构进行了调控,得到了具有高度有序的二维四方、正交面心、二维六方以及蠕虫状结构的介孔高分子薄膜和介孔碳薄膜,绘制了以F127和P123为模板剂的结构相图。还利用测定折光率变化的方法,研究了介孔高分子／介孔碳薄膜的孔道结构特点和孔径分布。论文的第叁章,发展了一种简单的镀膜-刻蚀法,首次得到了表面积达到几平方厘米、厚度90～3000nm可调的完整、无裂纹的自支撑有序介孔碳薄膜。首先通过溶剂挥发诱导有机-有机自组装以及高温焙烧,在预处理出表面超薄氧化硅层的单晶硅基底上合成有序介孔碳薄膜；然后利用碱液刻蚀氧化硅中间层使薄膜脱离基底。还提出了柔性高分子层辅助的方法,以方便自支撑薄膜的转移和器件化操作。将自支撑介孔碳薄膜转移到导电基底上形成电化学超级电容器件,表现出良好的电容特性,在水体系中的比电容达到136F/g；还将其制成了纳米过滤器件,利用尺寸选择效应对生物大分子进行分离,对混合溶液中细胞色素c和牛血清蛋白的透过性差别达到50%左右,体现出优异的分离效果。论文的第四章,开发了制备介孔碳薄膜的一种新型多孔、超强机械性能和导电性的碳纤维布基底,基于溶剂挥发诱导有机-有机自组装的方法,以甲阶酚醛树脂预聚体为碳源、F127为模板剂,采用浸渍-提拉镀膜技术,合成得到了碳纤维布@介孔碳复合膜。通过介观结构和孔性质的分析,说明了碳纤维布基底的独特形貌和微观结构对生长于其上的介孔碳层的影响。得到的碳纤维布@介孔碳复合膜可以直接被用作电极器件,在有机体系中表现出70F/g左右的比电容。介孔碳层的孔道结构、孔道连通性和开放性、厚度以及碳化程度等因素均会对器件电化学性能产生影响。论文的第五章,我们从调节薄膜的电学、光学和机械性能出发,以酚醛树脂预聚体为碳前驱物、氧化硅寡聚体为硅源以及F127为模板剂,通过溶剂挥发诱导叁元共组装的方法,合成了介孔碳硅复合薄膜。首次得到具有(010)取向正交面心Fmmm介观结构和叁维连通孔道结构的介孔碳硅复合薄膜,其中氧化硅含量从0～74wt%可调。研究了介孔复合薄膜的结构和孔性质,并测定了其电导率以及杨氏模量,说明刚性的氧化硅组分的引入降低了介孔碳薄膜的骨架收缩率,增大了其孔隙率,调节氧化硅含量(38wt%)可以得到同时具有较好机械性能(最高杨氏模量14.1GPa)和满足应用需求导电性的薄膜。论文的第六章,基于配体辅助溶剂挥发诱导自组装以及两步焙烧的方法,以乙酰丙酮钛为钛源、实验室合成的两嵌段共聚物PEO-b-PS为模板剂,在导电玻璃基底上制备了多层、连续、高度有序的具有叁维孔道结构和晶化骨架的介孔氧化钛薄膜,并后沉积引入半导体量子点敏化骨架。薄膜的厚度从150～5800nm可调,还可以脱离基底形成具有几平方厘米面积的完整、无裂痕的自支撑薄膜。孔径约为12nm,可以通过改变PEO-b-PS模板剂的PS段分子量调节到20nm。通过后沉积将CdS量子点引入孔道内表面,可以扩大薄膜的光吸收范围,敏化后的薄膜制成PEC太阳能电池光阳极用于光解水产氢。说明了介孔薄膜的结构和孔道特点对敏化效果、光能转化效率的促进作用,发现厚度为4.75μm的敏化介孔氧化钛薄膜具有最高的光电流密度6.03mA/cm2和光电转化效率3.9%。论文的第七章,通过原位掺杂的方法,基于配体辅助的溶剂挥发诱导自组装,通过乙酰丙酮配体稳定的过渡金属离子(Cr,Ni,Co)与乙酰丙酮钛、两嵌段共聚物PEO-b-PS共组装,合成了过渡金属离子掺杂的有序介孔氧化钛薄膜。薄膜具有高有序度和叁维连通且开放的孔道结构,被掺杂离子高度分散在骨架中,在掺杂量低于5.0wt%时对介观结构没有影响。研究了金属离子掺杂对介观结构、孔性质、吸光性质等的影响和讨论了骨架中金属离子存在的化学态。生长于基底上的金属离子掺杂介孔氧化钛薄膜可以直接作为光催化器件,用于模拟太阳光照条件下降解染料罗丹明B,实验表明合适的金属离子掺杂量可以提高介孔氧化钛薄膜的光催化性能。论文第八章对全文进行了总结。(本文来源于《复旦大学》期刊2012-09-13）
方靖岳,秦石乔,张学骜,李新华,王飞[6]（2011）在《氨基功能化有序介孔SiO_2薄膜组装Au纳米粒子复合材料的可调色散性质》一文中研究指出以聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷(P123)为模板剂,采用共溶胶的蒸发诱导自组装方法制备了氨基功能化介孔SiO2薄膜,然后利用氯金酸(HAuCl4)与介孔SiO2薄膜孔道内壁的氨基之间的中和反应组装Au纳米粒子,制备得到Au/SiO2纳米复合材料.用TEM,XRD和UV-Vis光谱对材料进行了测试.结果表明,无水乙醇萃取获得的氨基功能化介孔SiO2薄膜具有高度有序的介孔结构;利用中和反应及氢气氛围煅烧还原的方法将Au纳米粒子组装在介孔SiO2薄膜的孔道中,Au纳米颗粒分散均匀且晶化良好,表现出(111)晶面的择优取向生长;随着中和反应时间的延长,Au纳米颗粒的粒径呈增长趋势,Au/SiO2纳米复合材料的吸收光谱发生红移,表明存在Au量子点的量子尺寸效应,即说明通过改变浸渍时间可以调控Au/SiO2纳米复合材料的色散性质.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2011年07期）
彭迟香,吴国友,余煜玺,程璇[7]（2011）在《疏水性有序介孔氧化硅薄膜的制备》一文中研究指出采用溶胶-凝胶技术并结合蒸发诱导自组装工艺,以叁嵌段共聚物EO20PO70EO20(P123)为模板剂,使用浸渍提拉法制备了有序介孔氧化硅薄膜,并使用不同的表面修饰剂对薄膜进行表面处理,制备了疏水性有序介孔氧化硅薄膜.利用FT-IR、小角XRD、HRTEM分别表征薄膜的化学物种和孔结构,探讨了热处理温度和老化时间对薄膜介孔结构的影响,通过接触角测试研究薄膜的疏水性能,考察了修饰剂种类、修饰浓度和修饰时间对薄膜疏水性的影响,结果表明所制备的薄膜为高度有序的介孔氧化硅薄膜,孔径大小约为8 nm;表面修饰对薄膜的有序性有一定影响,经叁甲基氯硅烷(TMCS)和γ-氨丙基叁乙氧基硅烷(KH-550)修饰后的薄膜具有很好的疏水性能,接触角分别为112°和96°;修饰后薄膜的水汽稳定性良好,仍能保持有序介孔结构,孔径达7.5 nm,接触角达93°.(本文来源于《化学学报》期刊2011年06期）
吴士超[8]（2011）在《有序介孔TiO_2薄膜的制备及其光电化学性能》一文中研究指出本论文以制备新型的光辅助高效燃料电池催化剂载体为主线,分别对介孔二氧化钛薄膜、介孔SiO_2/TiO_2复合薄膜和介孔SiO_2-WO_3-TiO_2叁元复合薄膜的制备和作为载体的甲醇光电催化氧化性能进行了研究。以TiCl4为钛源、叁嵌段共聚物F127为模板剂,无水乙醇和水为混合溶剂,采用旋涂法在导电玻璃(FTO)表面制备介孔二氧化钛薄膜,系统地研究了热处理温度对其结构、形貌和性能的影响。XRD、TEM和FE-SEM结果表明,经350和400℃热处理的二氧化钛薄膜的结构呈现二维六方有序介孔孔道排列。热处理温度达到450℃时,由于二氧化钛的结晶颗粒不断长大,破坏了介孔结构的有序性,薄膜表面杂乱无章。采用脉冲恒电压沉积的方法,将催化剂Pt负载于薄膜表面,研究了Pt的负载量对其光电催化性能的影响。适量的Pt负载在介孔二氧化钛薄膜的表面,有效提高了二氧化钛的光效应,表现出较好的甲醇光电催化氧化性能。同时,将介孔二氧化钛薄膜的甲醇光电催化性能与没有介孔有序结构的二氧化钛薄膜作对比,发现有序介孔结构对其性能的提升有显着作用。由于具有较好的有序介孔结构和二氧化钛结晶度,经过400℃热处理后的介孔二氧化钛薄膜为Pt催化剂载体时表现出相对较好的甲醇光电催化氧化性能。尝试在介孔二氧化钛前躯体溶胶中引入氯铂酸,原位制备含Pt的介孔二氧化钛薄膜,当Pt掺杂量为3%时,薄膜既可以保持较好的有序介孔结构又具有较高的甲醇光电催化氧化性能,尤其是以非均匀掺杂Pt的方式制备的薄膜。为了提高薄膜的热稳定性,在介孔二氧化钛前躯体溶胶中引入正硅酸乙酯,制备介孔SiO_2/TiO_2复合薄膜。由于二氧化硅骨架的加入,限制了二氧化钛晶粒的增长,经过450、500和550℃热处理的复合薄膜仍能保持较好的有序介孔结构。实验发现,当二氧化硅掺杂量为5%时,较少的二氧化硅掺杂量对二氧化钛颗粒增长限制作用有限,复合薄膜在450℃热处理后有序介孔结构较差。掺杂量达到7.5%时,复合薄膜即使经过550℃的高温热处理也可以保持高度有序的介孔结构。在二氧化硅掺杂量为7.5%,经过500℃热处理后,介孔SiO_2/TiO_2复合薄膜表现出的甲醇光电催化氧化性能相对于没有掺杂SiO_2的介孔二氧化钛薄膜提高了约17.4%。进一步采用半导体复合的方式提高二氧化钛的性能。在介孔二氧化钛前躯体溶胶中添加硅钨酸,热处理后得到介孔SiO_2-WO_3-TiO_2叁元复合薄膜。研究掺杂含量对复合薄膜结构和性能的影响。实验发现,硅钨酸的引入降低了二氧化钛的晶相转换温度,400℃热处理后,部分二氧化钛转化为金红石相。硅钨酸掺杂含量为0.5%时,介孔叁元复合薄膜具有较好的有序介孔结构,且金红石相二氧化钛和锐钛矿相二氧化钛的混合比例最佳,对甲醇的光电催化氧化性能最好。实验过程中发现,由于WO_3的电子存储能力,复合薄膜表现出一定的能量存储效应。当去除光照条件后,储存在WO_3中的电子会缓慢释放,延续甲醇光电催化氧化的能力。(本文来源于《南京航空航天大学》期刊2011-03-01）
仲海钦[9]（2009）在《有序介孔薄膜单电子晶体管制备与建模》一文中研究指出随着集成电路制造工艺逐步迈入纳米尺度,对于纳米加工技术和纳米电子器件的研究成为一个前沿热点。实现纳米电子器件有“自上而下”和“自下而上”两种路线,前者可以充分利用现有的微电子的工艺,后者则用化学或生物的自组装等方法来构造纳米尺度的结构,代表了更为彻底的技术转变。单电子晶体管(Single Electron Transistor,SET)是基于量子隧穿效应和库仑阻塞效应工作的新型纳米电子器件,由于其具有纳米尺寸、极低功耗、高集成度等优点在研究领域内得到了广泛关注。与实现纳米电子器件相对应,制备单电子晶体管也有“自上而下”和“自下而上”两种方法。单电子晶体管的实用化必须要解决两个难点:一是实现在室温条件下的正常工作,二是在制备大量器件时保证其性质的一致性。为了解决以上两个难点,本文基于有序介孔二氧化硅薄膜,结合“自上而下”和“自下而上”两种方法来制备单电子晶体管。一方面,以有序介孔二氧化硅薄膜为模板采用化学自组装的“自下而上”方法制作3nm的金量子点作为单电子晶体管的库仑岛。另一方面,采用“自上而下”的纳米加工技术制备单电子晶体管的电极。主要工作和创新包括:1)制备有序介孔二氧化硅薄膜,并用透射电子显微镜、傅立叶红外光谱仪对薄膜进行表征。2)用有序介孔二氧化硅薄膜组装金量子点,并用紫外可见分光光度计对组装了量子点的薄膜进行表征。3)根据有序介孔薄膜的特点设计单电子晶体管的结构,在组装了金量子点的介孔薄膜上进行刻蚀、沉积电极形成单电子晶体管,并用半导体参数测试仪对单电子晶体管的电学特性进行测试。4)根据测试结果改进了单电子晶体管的宏模型,并对单电子晶体管的源漏极的IV特性和栅控特性进行模拟。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2009-11-01）
张鹏,秦秀波,马敏阳,于润升,贾全杰[10]（2009）在《改变旋涂速率制备有序介孔SiO_2薄膜结构的正电子湮没和X射线反射率技术表征》一文中研究指出本工作采用溶胶-凝胶法通过改变旋涂速率制备具有二维六角和叁维立方结构的介孔SiO_2薄膜,并通过慢正电子湮没技术以及同步辐射小角X射线反射率研究其介孔结构随旋涂速率的变化。(本文来源于《第十届全国正电子湮没谱学会议论文集》期刊2009-11-01）
有序介孔薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
介孔材料具有独特的结构,如极高的比表面积、可调的孔径、较窄的孔径分布和多样的孔道结构,在分离提纯、催化、生物等众多领域具有潜在用途~([1,2,3])。本研究以CTAB为模板剂,采用溶胶—凝胶法制备有序介孔SiO_2薄膜。并以旋涂法为镀膜方法,在玻璃基板上得到介孔氧化硅薄膜。通过小角X射线散射(SAXS)、扫描电镜(SEM)、椭偏仪、透射光谱等对薄膜的结构和性能进行了表征,结果显示制得的薄膜具有有序的孔道排列和较高的可见光学透过率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
有序介孔薄膜论文参考文献
[1].杨洋.叁维有序介孔TiO_2微球阵列薄膜材料的贵金属沉积与光催化性能研究[D].北京化工大学.2015
[2].张馨文,詹凌曈,赵高凌,韩高荣.有序介孔氧化硅薄膜的制备及其性能研究[C].2015年全国玻璃科学技术年会论文专集.2015
[3].王涛.不锈钢表面有序介孔碳基薄膜的制备及其性能[D].南京航空航天大学.2012
[4].李辉,杨剑琨,苏彬.基于有序介孔二氧化硅薄膜的银纳米阵列电极[J].实验室研究与探索.2012
[5].冯丹.有序介孔薄膜材料的合成、性质与应用[D].复旦大学.2012
[6].方靖岳,秦石乔,张学骜,李新华,王飞.氨基功能化有序介孔SiO_2薄膜组装Au纳米粒子复合材料的可调色散性质[J].高等学校化学学报.2011
[7].彭迟香,吴国友,余煜玺,程璇.疏水性有序介孔氧化硅薄膜的制备[J].化学学报.2011
[8].吴士超.有序介孔TiO_2薄膜的制备及其光电化学性能[D].南京航空航天大学.2011
[9].仲海钦.有序介孔薄膜单电子晶体管制备与建模[D].国防科学技术大学.2009
[10].张鹏,秦秀波,马敏阳,于润升,贾全杰.改变旋涂速率制备有序介孔SiO_2薄膜结构的正电子湮没和X射线反射率技术表征[C].第十届全国正电子湮没谱学会议论文集.2009
论文知识图
