导读:本文包含了多层片式元件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:多层片式,热,压敏电阻,镍内电极,镍,钛酸钡
多层片式元件论文文献综述
王文化[1]（2015）在《多层片式陶瓷元件用镍复合粉体及其电极研究》一文中研究指出多层片式元件由于其小体积、高性能、适合于表面贴装等优点被广泛应用,其中多层片式热敏电阻与多层片式压敏电阻经常同时作为电路保护元件使用,将二者复合具有现实意义。内电极是多层片式热/压敏元件的重要组成部分,若使用贱金属镍为内电极可大大降低成本。以镍作为内电极需有叁个难题需解决。首先,镍的氧化;其次,镍与瓷体的收缩匹配;最后,内电极与瓷体界面之间的互渗与反应。本文对镍表面进行了改性,用化学法合成Ni/BaTiO3复合粉体及Ni/ZnO复合粉体,复合粉体两相均匀混合,为BaTiO3或ZnO包覆镍结构。一则粉体的抗氧化性提高;二则由于包覆层为瓷体材料,一方面使复合粉体与瓷体收缩匹配,另一方面不影响瓷体的性能。如此获得的复合粉体用作多层片式热/压敏元件内电极的导电相。首先,分别采用水热沉淀法与水热结晶法合成了Ni/BaTiO3与Ni/Zn O复合粉体,并对合成过程中影响复合粉体结构和相组成的反应条件如镍粉预处理、水解调节剂浓度等进行研究,制备出相纯净、抗氧化性能提高、收缩性得到改善的复合粉体。其次,用复合粉体合成了相应的电极浆料。对浆料的导电性、烧结特性等进行了研究。又将复合粉体浆料应用于瓷体,研究了浆料与瓷体的匹配共烧性能。复合粉体电极浆料能烧结成膜且导电性满足使用要求。Ni/BaTiO3电极浆料的收缩性与瓷体相匹配,且与瓷体共烧时未出现分层等缺陷。(本文来源于《华中科技大学》期刊2015-01-01）
张航航[2]（2009）在《多层片式PTC元件用细晶陶瓷的研究》一文中研究指出随着科学技术的迅速发展，电子元元件的小型化、片式化已经成为趋势。PTCR热敏电阻也必须朝着多层、片式化的方向发展。要制备高性能的多层片式PTC元件，首先需要制备得到晶粒尺寸1-2μm同时具有良好PTC性能的细晶陶瓷。本文主要围绕着减小PTC陶瓷的晶粒尺寸同时尽可能降低瓷体电阻率开展研究工作。本研究以水热法粉体和固相法粉体为原料，研究施受主掺杂、预烧温度、烧结温度等因素与陶瓷晶粒尺寸的关系。通过调整施受主掺杂浓度，提高预烧温度，降低烧结温度，添加玻璃相等方法减小陶瓷的晶粒尺寸。流延法是一种陶瓷成型方法，它具有可连续操作、生产效率高、适合大规模生产的优点。为了更贴近多层片式PTC元件制备的实际需要，在压制成型材料组分研究的基础上，本文对流延法成型制备PTC细晶陶瓷进行了研究。采用水热法粉体作为原料制备的陶瓷半导化良好，升阻比在104以上。其平均晶粒尺寸为2-5μ。由于水热法粉体存在钡钛比失衡，杂质较多的缺点。实验结果表明进一步减小其晶粒尺寸具有很大的难度。固相法工艺成熟，应用广泛，很适合大规模的工业化生产。用固相法粉体作为原料，通过调整施受主掺杂、烧成温度等方法在1300℃烧结得到平均晶粒尺寸2μm的样品，其室温电阻率为201.1Ω·cm，升阻比为4.082e4。以固相法BaTiO3粉体为原料，采用流延法制备了生坯。生坯在1300℃烧成，陶瓷平均晶粒尺寸1-2μm，电阻率为890.9Ω·cm，升阻比为3.38e4。(本文来源于《华中科技大学》期刊2009-05-01）
孟辉[3]（2005）在《新型多层片式压敏—电容双功能电子陶瓷元件的制备与性能研究》一文中研究指出本实验以ZnO基压敏陶瓷和Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3(PMN)基介电陶瓷为基元材料,采用多层片式陶瓷电容器(MLC)的制备方法制备了多层片式压敏-电容双功能陶瓷元件(MLVC),并研究了其电性能特点和微观结构。首先分别选出ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷和PMN基介电陶瓷作为双功能元件中起压敏效应和电容效应的基元材料。以传统陶瓷制备工艺,通过调整配方和改善烧结条件,研究了这两种电子陶瓷的电性能特点。实验表明:掺入适量玻璃料的ZnO-Bi_2O_3压敏陶瓷,可在较低的烧结温度(960℃,1.5h)下具有良好的压敏性能(压敏电压V1mA为701.4V/mm,非线性系数α为32.0);PMN基介电陶瓷也可在相同的条件下烧结,在室温1KHz下测得其相对介电常数ε/εo为9000,损耗tanδ<5.0×10-2,绝缘电阻率达到10~(13)Ω·cm。从烧结膨胀收缩变化、界面反应程度这两个角度重点分析了这两种陶瓷共烧的相容性。分析说明:ZnO2~#压敏陶瓷和PMN6~#介电陶瓷烧结收缩行为相似且共烧时没有发现两者存在界面反应,充分肯定了两者共烧的可行性。因此,采用轧膜工艺制备了ZnO2~#压敏陶瓷和PMN6~#介电陶瓷的坯片,利用MLC制备方法中的内电极印刷、迭层技术,一次性烧结制备了多个以Ag/Pd或Pt为内电极的MLVC。实验表明,以Ag/Pd为内电极的MLVC随着迭片层数的增加,MLVC的压敏电压有所下降,V1mA在200～250V之间,非线性系数基本不变,α值约为20。在迭片层数、方式相同的情况下,以Pt为内电极MLVC的压敏电压比以Ag/Pd为内电极MLVC的稍高,α值也为20左右,这主要是由两种内电极与ZnO2~#陶瓷的微观接触界面反应不同造成的。迭片方式对MLVC压敏性能的影响不大,但对MLVC电容性能却有很大影响。非交错迭片型MLVC比交错迭片型MLVC的电容量大,可达几十纳法,而交错迭片型MLVC的电容量一般只有几纳法。观察MLVC中陶瓷与陶瓷、内电极与陶瓷之间的相界,发现它们之间几乎没有界面反应,界面呈现的微观结构特点与MLVC的电性能变化一致。根据PMN1#介质瓷的烧结收缩特点,制备了以PMN1#介质瓷为原料的MLC,它与以ZnO2~#压敏陶瓷为原料制备的MLV相结合,成功制备出同样具有压敏-电容双功能的MLVC。它与一次性烧结制备的MLVC相比,压敏电压V1mA偏高(250～370V),α值约为20,电容量很大,达数十纳法。本实验成功制备了具有双功能的MLVC,为开发低压压敏、高电容量双功能陶瓷材料或元件提供了有益的参考,这种保护性电子元件在现代电子设备中具有广泛的应用前景。(本文来源于《天津大学》期刊2005-01-01）
刘欢[4]（2004）在《多层片式PTCR热敏元件制备技术研究》一文中研究指出在SMT日新月异的今天,源于多层瓷介电容器的独石结构已成为一种新型的设计思想和工艺途径,其优越的结构与制作性能为SMC的飞速发展注入了新的活力。多层片式PTCR元件类似于MLCC的结构,内电极与陶瓷薄层交错并联由端头电极引出,从而将多个片式PTCR元件并联起来,使之形成一个迭层整体。多层片式PTCR元件具有体积小、室温电阻低、通流大等优点,作为过热、过电流和过负载保护元件的应用前景十分看好。为实现多层片式PTCR元件结构,首先必须制备厚度满足要求、结构均匀且具有一定机械强度和致密度的坯片。本文主要对轧膜成型、注浆成型及注凝成型叁种成型工艺进行了研究和比较,旨在得到性能较佳的片式PTCR生坯及其相关工艺。需要强调的是,以上成型方法均采用水作为溶剂,它在环保和经济上较有机系统更有优势。PTCR材料的性能对烧成制度十分敏感,适当调整烧成制度可在一定程度上降低材料电阻率,且对材料其它性能的影响较小。采用电极玻璃釉粘结法制备出层数为5的多层片式PTCR样品,其尺寸为8.0mm×5.0mm×1.96mm,室温电阻为3.2Ω,居里温度为65.9℃,升阻比为 2.3×105。提高瓷片表面的平整度和内电极对瓷片的附着强度,以及在内电极留边区域引入合适的玻璃绝缘层,均能提高瓷片间的粘结强度,有效改善迭层体的可靠性。(本文来源于《华中科技大学》期刊2004-04-01）
林伟强[5]（2003）在《适用于多层片式电子元件生产的半自动高精度切割机》一文中研究指出多层片式电子元件大批量生产过程中的切割工序对切割设备的要求主要有切割精度高,稳定性好,生产效率高。本文介绍一种根据上述要求,设计的半自动高精度切割机的工艺流程、系统结构和特点。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2003年02期）
周少荣,陈世忠,陈锦清[6]（2002）在《片式多层电容电阻复合元件的研制》一文中研究指出采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2002年06期）
向勇,谢道华[7]（1999）在《片式多层元件新技术概论》一文中研究指出根据多层瓷介电容器的结构特征，全面概括了“独石”结构广泛应用于片式元件设计与制造的新趋势，重点论述了多层压敏电阻器，多层热敏电阻器，多层电感元件，多层复合元件等片式无源元件，引入独石结构较传统结构在性能上的显着改进和技术上的重大突破，总结了片式多层元件技术与应用的新进展。(本文来源于《电子元件与材料》期刊1999年04期）
向勇[8]（1998）在《片式元件多层化技术概论》一文中研究指出矩形片式元件在众多表面贴装元件(SMC)门类中,开发应用最早,产销量最大,始终保持领先地位。其中包括两大类代表品种:其一,以厚薄膜工艺制造的具有基片、电阻体、玻璃和导电体单层组合结构的片式电阻器;其二,以多层厚膜共烧工艺制造的具有交迭电介质与电极层独石一体化(Monolithic)结构的片式多层瓷介电容器(MLCC),或称片式独石电容器。MLCC源于有(本文来源于《世界电子元器件》期刊1998年05期）
多层片式元件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着科学技术的迅速发展，电子元元件的小型化、片式化已经成为趋势。PTCR热敏电阻也必须朝着多层、片式化的方向发展。要制备高性能的多层片式PTC元件，首先需要制备得到晶粒尺寸1-2μm同时具有良好PTC性能的细晶陶瓷。本文主要围绕着减小PTC陶瓷的晶粒尺寸同时尽可能降低瓷体电阻率开展研究工作。本研究以水热法粉体和固相法粉体为原料，研究施受主掺杂、预烧温度、烧结温度等因素与陶瓷晶粒尺寸的关系。通过调整施受主掺杂浓度，提高预烧温度，降低烧结温度，添加玻璃相等方法减小陶瓷的晶粒尺寸。流延法是一种陶瓷成型方法，它具有可连续操作、生产效率高、适合大规模生产的优点。为了更贴近多层片式PTC元件制备的实际需要，在压制成型材料组分研究的基础上，本文对流延法成型制备PTC细晶陶瓷进行了研究。采用水热法粉体作为原料制备的陶瓷半导化良好，升阻比在104以上。其平均晶粒尺寸为2-5μ。由于水热法粉体存在钡钛比失衡，杂质较多的缺点。实验结果表明进一步减小其晶粒尺寸具有很大的难度。固相法工艺成熟，应用广泛，很适合大规模的工业化生产。用固相法粉体作为原料，通过调整施受主掺杂、烧成温度等方法在1300℃烧结得到平均晶粒尺寸2μm的样品，其室温电阻率为201.1Ω·cm，升阻比为4.082e4。以固相法BaTiO3粉体为原料，采用流延法制备了生坯。生坯在1300℃烧成，陶瓷平均晶粒尺寸1-2μm，电阻率为890.9Ω·cm，升阻比为3.38e4。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多层片式元件论文参考文献
[1].王文化.多层片式陶瓷元件用镍复合粉体及其电极研究[D].华中科技大学.2015
[2].张航航.多层片式PTC元件用细晶陶瓷的研究[D].华中科技大学.2009
[3].孟辉.新型多层片式压敏—电容双功能电子陶瓷元件的制备与性能研究[D].天津大学.2005
[4].刘欢.多层片式PTCR热敏元件制备技术研究[D].华中科技大学.2004
[5].林伟强.适用于多层片式电子元件生产的半自动高精度切割机[J].电子元件与材料.2003
[6].周少荣,陈世忠,陈锦清.片式多层电容电阻复合元件的研制[J].电子元件与材料.2002
[7].向勇,谢道华.片式多层元件新技术概论[J].电子元件与材料.1999
[8].向勇.片式元件多层化技术概论[J].世界电子元器件.1998