论文摘要
砷化镓（Ga As）是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料,被广泛应用于光电子和微电子领域。2015年年底,中国电子科技信团公司第四十六研究所陆续突破了4英寸SI-GaAs衬底制备的一系列关键技术,使其研制的衬底顺利通过了中国电科55所p HEMT器件验证。目前研制的4英寸SI-Ga As衬底的翘曲度大幅改善,通过对比测试与进口产品基本一致。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 李穆朗
关键词: 翘曲度,磨粒,切割线,空载滑行,砂浆喷布系统
来源: 天津科技 2019年02期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 无机化工
单位: 中国电子科技集团公司第四十六研究所
分类号: TQ133.51
DOI: 10.14099/j.cnki.tjkj.2019.02.021
页码: 68-70
总页数: 3
文件大小: 746K
下载量: 30
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