导读:本文包含了射频磁控溅射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:磁控溅射,薄膜,射频,宽度,梯度,氧化锌,射线。
射频磁控溅射论文文献综述
黄珂,刘文军,谭科,罗书径[1]（2019）在《射频辅助磁控溅射制备梯度Cr/CrC膜的性能》一文中研究指出目的改善CrC薄膜的制备工艺,提高薄膜的结合强度。方法采用射频偏压辅助磁控溅射技术,以Cr和石墨为靶材,C2H2为反应气体,在M42高速钢表面制备梯度Cr/CrC膜。利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、Raman光谱仪分析薄膜的微观形貌、成分组成、键结构,用纳米压痕仪、洛氏硬度计对薄膜的结合性能进行评价。结果成功制备了表面致密均匀的梯度Cr/CrC薄膜,薄膜中sp3键含量随石墨靶射频功率的增加而呈现先增大后减小的趋势。薄膜的结合强度随射频功率的增大而先增大后减小,射频功率为250W时,薄膜中含有最多的sp3键,并且有最高的硬度,硬度值为21GPa。结论纯Cr过渡层能有效吸收薄膜中的内应力,改善膜/基结合性能,对Cr/Cr C薄膜结合强度有明显增强作用。石墨靶的射频功率大小对梯度Cr/CrC膜的结构和结合强度有显着影响,射频功率为250 W时,制备出的薄膜具有最高的硬度和结合强度。(本文来源于《表面技术》期刊2019年09期）
杨勇,汪冰洁,姚婷婷,李刚,金克武[2]（2019）在《氮气流量和退火处理对射频磁控溅射氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响》一文中研究指出常温下利用TiO_2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO_2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:磁控溅射N2流量和退火处理对薄膜的微观结构和性能有重要的影响。退火前,薄膜由非晶态TiO_2构成;退火后,薄膜呈现锐钛矿相和金红石相的混合相。随着磁控溅射系统中N2流量的增加,退火前禁带宽度从3.19eV减少到2.15eV;退火后,薄膜由非晶相TiO_2组织转化为锐钛矿TiO_2和金红石TiO_2构成的浑河相组织,禁带宽度相比退火前的非晶相TiO_2薄膜略有增加。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2019年03期）
李如永,段苹,崔敏,王吉有,原安娟[3]（2019）在《后退火对射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga_2O_3薄膜性质的影响》一文中研究指出本文采用双靶材交替溅射的射频磁控溅射法生长了高质量的Mg掺杂氧化镓薄膜,并将制备的样品在1000℃条件下进行后退火处理,以研究退火前后Mg掺杂Ga_2O_3薄膜的性质变化。XRD结果表明,退火后的(004)、(■)和(120)峰从无到有,(401)、(■)和(■)峰由强变弱,表明退火改变了Mg掺杂Ga_2O_3薄膜的结构。AFM结果表明,退火后的薄膜表面均方根粗糙度由1.3637nm增大到17.1133nm。EDS结果表明,退火处理后的Mg元素重量百分比有所提高。紫外可见透射光谱研究表明,退火前薄膜在200-1500nm波长范围内的平均光透过率较低,大约为80%,退火后平均光透过率明显提高到90%以上,此外薄膜光学吸收边蓝移,带隙宽度变大,表明退火有助于改善薄膜结构,增强光透性。光致发光谱实验结果表明,相比较退火处理后的薄膜,退火前的光致发光峰几乎可以忽略不计,这说明退火可显着改变Mg掺杂Ga_2O_3薄膜的光致发光特性。(本文来源于《真空》期刊2019年03期）
陈含笑,盛苏[4]（2019）在《低损耗掺杂BST薄膜的射频磁控溅射沉积及其阻抗特性研究》一文中研究指出利用射频磁控溅射法和快速热退火处理,在高电阻Si基片上制备了具有较低介电损耗的MgO掺杂Ba_(0.25)Sr_(0.75)TiO_3(BST)铁电薄膜。通过XRD和SEM,分别对BST铁电薄膜的微结构和表面形貌进行了分析。利用铁电分析仪和低频阻抗分析仪分别测试了BST薄膜样品的铁电特性和介电性能。研究表明,MgO掺杂的BST薄膜的介电损耗要低于纯的BST薄膜,并且在掺杂浓度为5%(摩尔分数)时,获得最佳的实验结果。在室温和250 Hz的条件下,测得700℃退火的BST铁电薄膜样品的矫顽电场强度(E_C)和剩余极化强(P_r)分别为1.15 V/cm和4.06μC/cm~2,介电常数和介电损耗因子分别为370和0.005。(本文来源于《功能材料》期刊2019年04期）
裴慧霞,王玉梅,高艳平,陈彬[5]（2018）在《射频磁控溅射制备非晶WO_3薄膜的结构及其光电性质研究》一文中研究指出采用射频磁控溅射技术,以WO_3陶瓷靶为原料,在透明导电氧化铟锡(ITO)玻璃上沉积了非晶相WO_3薄膜,研究了溅射功率对薄膜结构及光学性质的影响,并研究了WO_3薄膜的电致变色特性。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射技术(XRD)表征了薄膜的表面形貌和内部结构;利用UV-Vis分光光度计表征了薄膜在变色前后的光学透过性质,利用电化学测试工作站研究了WO_3薄膜的电致变色性质,并从原理上分析了WO_3薄膜的变色机理。研究结果表明,不同功率下获得的WO_3薄膜均为非晶结构,在可见光范围内有较高的透过率。透明的WO_3薄膜在负向电压下逐渐转变成深蓝色,且在撤去电压后其颜色不变,当施加正向电压时,薄膜又转换为透明态,表现出良好的电致变色特性。所制备WO_3薄膜在550nm处褪色态的透过率为83%,着色态的透过率为29%,使得该薄膜在智能窗方面具有广阔的应用前景。(本文来源于《半导体光电》期刊2018年06期）
王晓然,马艳彬,段苹,李如永,庄碧辉[6]（2018）在《Mg掺杂浓度对射频磁控溅射制备Ga_2O_3薄膜性质的影响》一文中研究指出本文使用射频磁控溅射法,采用双靶磁控溅射系统,通过Ga_2O_3和Mg O两个靶位交替溅射的方法实现不同浓度Mg掺杂氧化镓薄膜的制备。结果发现随着Mg掺杂浓度的增加,薄膜的厚度逐渐减小且薄膜的结晶质量有所下降,光透过率无明显变化,但带隙宽度逐渐增加,可实现Ga_2O_3薄膜带隙宽度的连续可调,可调范围从4.96eV到5.21eV;光致发光光谱实验结果表明Mg的掺杂导致PL峰值发生蓝移现象,且在473nm附近出现一个新的发光峰。(本文来源于《真空》期刊2018年06期）
杨帆,王超,周路,初学峰,闫兴振[7]（2018）在《玉米蛋白质基底上射频磁控溅射法制备Zn O薄膜》一文中研究指出采用射频磁控溅射方法在蛋白质基底上成功地制备了ZnO薄膜,研究了不同靶基距、氩氧比和溅射功率条件对ZnO薄膜性质的影响。结果表明,较小的靶基距有助于ZnO薄膜的c轴择优取向生长。我们还发现,沉积于玉米蛋白质基底的ZnO薄膜存在不同程度的张应力,当Ar/(Ar+O2)为0.7时,ZnO薄膜内的张应力最小。ZnO近带边发光峰有不同程度的红移,我们认为,这是由于晶界势垒和氧空位Vo造成的。随着溅射功率的增大,薄膜生长速率显着加快,晶粒尺寸增大,ZnO的近带边发光峰位逐渐趋向于理论值。(本文来源于《发光学报》期刊2018年10期）
侯帅[8]（2018）在《氧化镍薄膜的射频反应磁控溅射制备与电致变色性能行为》一文中研究指出近年来,能源问题已经成为了制约社会发展的主要问题之一,减少能源消耗是解决能源问题的重要手段。在此背景下,电致变色智能窗应运而生。目前,制备电致变色智能窗最为严峻的考验是制备性能优异的电致变色材料,它要求材料具备高效的响应速度,较高的着色效率以及优良的循环稳定性。在各种电致变色材料中,氧化镍(NiO)材料由于其具备优良的电致变色性能从而得到了人们的广泛关注。但是该材料的响应时间较长、光学调制范围较窄以及循环稳定性不佳,这些缺点在很大程度上限制了该材料的应用。在此背景下,本文从晶体学的角度出发,以双注入/抽出模型为理论基础,利用射频反应磁控溅射技术,通过采用控制衬底温度以及引入掺杂元素等方式对NiO的晶格结构进行调控,从而对在外加电场作用下电解液离子向薄膜的嵌入/脱出过程进行控制,进而提高NiO的电致变色性能。采用射频反应磁控溅射技术在富氧、缺氧、低压、高压条件下进行实验,通过对不同条件下得到的NiO薄膜进行分析研究,得到制备的最佳条件为富氧高压,在该条件下制备的NiO薄膜具有最大的容量以及最佳的电化学活性。在此基础上开展了升温实验,通过控制衬底温度得到结晶程度不同的NiO薄膜。电化学以及相关电致变色性能研究显示,非晶态NiO薄膜具有较高的电化学活性以及较大的电荷容量,并且其初始阶段电致变色性能较好,但是其循环性能较差。而结晶态的NiO薄膜虽然其电致变色活性较差,但其循环稳定性良好。据此,通过制备晶态-非晶态双层NiO电致变色薄膜,利用二者的协同作用,使薄膜的电致变色性能得到了提高。双层薄膜电极具备优良的电致变色性能,其着色时间为0.8 s,褪色时间为1.1 s,550 nm处的透过率调节范围最高可达62.2%。在循环的后期,双层膜电极褪色态的透过率出现了小幅的波动。经实验反复确认此现象并非测试误差。造成这一现象的原因可能在于晶态膜与非晶态膜之间的界面。当离子跨越此界面时需靠克服界面势垒,因此导致了薄膜性能的波动。据此开展了如下实验来克服这一缺点。利用射频反应磁控溅射技术,通过控制衬底温度从高温向低温逐渐过渡,得到了晶态—非晶态结晶程度均匀变化的NiO薄膜。该薄膜的结晶程度从与ITO玻璃接触的结晶程度良好的底部向与空气接触的结晶程度较差的表面逐渐变化。相关测试证实了该样品兼具非晶态薄膜与晶态薄膜的特点:AFM测试表明其具有较大的表面粗糙度(R_a与R_q分别为4.67与3.84)且XRD谱图有明显的NiO(200)特征峰;电化学测试表明该样品具有较强的化学活性,其相应的容量(7.51 mC/cm~2)以及粒子扩散效率(氧化过程4.62×10~-1212 cm~2/s,还原过程3.01×10~-1212 cm~2/s)要远高于结晶薄膜;该样品亦表现出了优良的电致变色性能,其着/褪色时间分别为3.1 s与2.1 s,550 nm处的透过率调节范围最大可达67.6%,并且该结构样品克服了双层膜循环过程中褪色态透过率出现波动的问题,其循环可稳定进行。采用射频反应磁控溅射技术,利用双靶位共溅射方式制备了一组掺铜量不同的NiO薄膜。固定镍靶的溅射功率,通过调节铜靶的功率来对铜元素的掺入量进行控制。电致变色性能测试表明,掺杂薄膜的透过率调节范围与未掺杂薄膜相比均有不同程度的提高,除此之外,掺杂样品的响应速度也有不同程度的提高,NiO-P60样品的着色时间与褪色时间分别为1.6 s与0.7 s。在以上实验结果的基础上,制备了ITO/Cu:NiO/LiTaO_3/WO_3/ITO结构的全固态电致变色器件。其电致变色性能测试表明该器件具有良好的变色能力,在550 nm处的透过率调节范围可达50%左右。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-09-01）
丁景兵,蔡长龙,邵雨[9]（2018）在《ITO透明导电薄膜的射频磁控溅射制备》一文中研究指出为保证氧化铟锡(ITO)薄膜良好的导电性和很高的可见光透过率,通过射频磁控溅射在光学玻璃基底上制备了ITO薄膜,采用分光光度计和四探针测试仪测试了ITO薄膜电阻率和在可见光范围内的透过率,X射线衍射(XRD)测试薄膜晶相结构.研究基底温度、氧气和氩气流量比和退火时间等工艺对ITO薄膜光电特性的影响.研究结果表明:在氧气和氩气流量比为1∶99、基片温度200℃、溅射功率150W、250℃退火60min条件下,沉积的ITO薄膜厚度约为1.4μm,ITO薄膜光电特性最佳,电阻率为3.42×10~(-3)Ω·cm,可见光范围内峰值透过率为89.27%.(本文来源于《西安工业大学学报》期刊2018年03期）
常鸿,许绍俊[10]（2018）在《射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺研究》一文中研究指出Zn O因其制备成本低和优异的压电性能在薄膜体声波器件中得到广泛应用。本文采用射频反应磁控溅射法,以Au为底电极,在硅(100)衬底上沉积了氧化锌(Zn O)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、台阶仪对不同工艺参数下制得薄膜的晶体结构、表面形貌和厚度进行了表征。研究了溅射功率、溅射气压和溅射气氛对Zn O薄膜结构影响,讨论了溅射功率和薄膜形貌及厚度的关系。结果显示在溅射功率为200 W、溅射气压0.8 Pa、氧氩体积流量比为0.4时,Zn O薄膜的c轴取向性最高,表面粗糙度最低,可用于压电器件。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2018年06期）
射频磁控溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
常温下利用TiO_2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO_2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:磁控溅射N2流量和退火处理对薄膜的微观结构和性能有重要的影响。退火前,薄膜由非晶态TiO_2构成;退火后,薄膜呈现锐钛矿相和金红石相的混合相。随着磁控溅射系统中N2流量的增加,退火前禁带宽度从3.19eV减少到2.15eV;退火后,薄膜由非晶相TiO_2组织转化为锐钛矿TiO_2和金红石TiO_2构成的浑河相组织,禁带宽度相比退火前的非晶相TiO_2薄膜略有增加。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
射频磁控溅射论文参考文献
[1].黄珂,刘文军,谭科,罗书径.射频辅助磁控溅射制备梯度Cr/CrC膜的性能[J].表面技术.2019
[2].杨勇,汪冰洁,姚婷婷,李刚,金克武.氮气流量和退火处理对射频磁控溅射氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响[J].材料科学与工程学报.2019
[3].李如永,段苹,崔敏,王吉有,原安娟.后退火对射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga_2O_3薄膜性质的影响[J].真空.2019
[4].陈含笑,盛苏.低损耗掺杂BST薄膜的射频磁控溅射沉积及其阻抗特性研究[J].功能材料.2019
[5].裴慧霞,王玉梅,高艳平,陈彬.射频磁控溅射制备非晶WO_3薄膜的结构及其光电性质研究[J].半导体光电.2018
[6].王晓然,马艳彬,段苹,李如永,庄碧辉.Mg掺杂浓度对射频磁控溅射制备Ga_2O_3薄膜性质的影响[J].真空.2018
[7].杨帆,王超,周路,初学峰,闫兴振.玉米蛋白质基底上射频磁控溅射法制备ZnO薄膜[J].发光学报.2018
[8].侯帅.氧化镍薄膜的射频反应磁控溅射制备与电致变色性能行为[D].哈尔滨工业大学.2018
[9].丁景兵,蔡长龙,邵雨.ITO透明导电薄膜的射频磁控溅射制备[J].西安工业大学学报.2018
[10].常鸿,许绍俊.射频反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺研究[J].电子元件与材料.2018
论文知识图
