导读:本文包含了二次电子发射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:电子,航天器,无定形碳,系数,介质,微结构,磁控溅射。
二次电子发射论文文献综述
宋强强,崔万照,杨晶[1]（2019）在《基于等效电路模型的介质材料二次电子发射系数研究》一文中研究指出材料表面的二次电子发射过程是空间大功率微波射频器件微放电效应的触发与维持机制。微放电效应是限制空间大功率微波部件应用的关键问题之一。因此,对材料二次电子发射特性的研究与表征非常重要。为正确理解电子辐照下介质样品的充放电过程,文章提出一种基于等效电路模型的理论模型对二次电子发射特性进行表征。针对不同电导率样品进行仿真验证以证实该电路模型的有效性。仿真结果与理论分析结果相符。(本文来源于《空间电子技术》期刊2019年05期）
赵晓云,张丙开,王春晓,唐义甲[2]（2019）在《电子的非广延分布对等离子体鞘层中二次电子发射的影响》一文中研究指出采用一维流体模型研究了非广延分布电子对等离子体鞘层中二次电子发射的影响.通过数值模拟,研究了非广延分布电子对考虑二次电子发射的等离子体鞘层玻姆判据、器壁电势、器壁二次电子临界发射系数以及等离子体鞘层中二次电子密度分布的影响.研究结果发现,当电子分布偏离麦克斯韦分布(q=1,广延分布)时,非广延参量q的改变对器壁二次电子发射有着重要的影响.不论电子分布处于超广延(q <1),还是处于亚广延状态(q> 1),随着非广延参量q的增加,都会出现鞘边临界马赫数跟着减小,同时对于随着二次电子发射系数的增加,临界马赫数跟着增加.器壁电势随着参量q的增加而增加.器壁二次电子临界发射系数则随着非广延参量的增加而减小,并且等离子体中所含的离子种类质量数越大,非广延参量的变化对器壁二次电子临界发射系数的值影响越小.此外,随着非广延参量的增加,鞘层厚度减小,鞘层中二次电子数密度增加.通过对数值模拟结果分析,发现电子分布处于超广延分布状态对等离子体鞘层中二次电子发射特性的影响要比电子处于亚广延分布状态要更明显.(本文来源于《物理学报》期刊2019年18期）
王思展,黄建国,姜利祥,王军伟[3]（2019）在《二次电子发射系数在航天器表面充电的应用》一文中研究指出二次电子发射现象是电子入射到材料表面并从材料表面激发出次级电子的现象。在航天领域,二次电子发射系数对于评估和预测航天器的表面充电水平具有十分重要的作用。本文对航天器的表面充电机制进行了介绍,结合航天器表面充电平衡方程编写了计算航天器表面充电电位的Matlab程序,使用航天表面材料二次电子发射系数的测量结果通过计算获得了特定环境下某材料的表面充电电位,为评估材料二次电子发射系数对表面充电的影响提供了一个直接的分析工具。(本文来源于《环境技术》期刊2019年04期）
李杨威,任成燕,孔飞,刘俊标,张燕[4]（2019）在《绝缘材料二次电子发射系数的测量及其影响因素研究进展》一文中研究指出固体绝缘材料的二次电子发射现象会导致介质表面的电子倍增及电荷积累进而产生放电造成器件的失效,准确测量固体绝缘材料的二次电子发射系数对于指导材料选型、评价材料性能具有重要的意义。文中对比了绝缘与金属材料在二次电子产生、输运和发射过程的差异,总结了现有的绝缘材料二次电子发射系数测量手段,分析了初级电子能量、束流、入射角度、材料表面状态及样品表面电荷积累对二次电子发射特性的影响。初级电子在绝缘材料中的平均自由行程远大于二次电子,所以初级电子激发的内二次电子只有很少一部分能够逃逸为二次电子。绝缘材料的二次电子发射系数测量中,样品表面很容易积聚电荷,积累的电荷从改变初级电子能量和出射二次电子能量两个方面影响样品的二次电子发射,最终会达到一个出射和入射动态平衡的带电状态。绝缘样品表面积聚电荷的中和是二次电子测量的难点,目前大多采用加热法和电子束辐照法,不能定量的消除累积电荷。目前绝缘材料二次电子发射特性测量装置性能不一,可重复性差,如何全面消除样品电荷累积对于提高测量装置的精度和可重复性具有重要意义。(本文来源于《高压电器》期刊2019年05期）
王思展[5]（2019）在《材料二次电子发射特性及测量方法研究》一文中研究指出当材料表面受到具有初始动能的粒子撞击时,会被激发出二次电子。二次电子发射特性广泛应用于各个领域,而在航天领域,二次电子发射系数与在地球同步轨道运行的航天器表面带电水平息息相关。为了更好地计算航天器表面带电电位,需要准确获取航天器表面材料的二次电子发射特性,因而二次电子发射特性研究以及二次电子发射系数测量显得尤为重要。基于二次电子从产生之时所经历的输运、逃逸等物理过程对二次电子发射理论进行了整理,并对目前国内外二次电子发射系数的测量方法及测量手段进行了综述。(本文来源于《科技与创新》期刊2019年08期）
王丹,叶鸣,冯鹏,贺永宁,崔万照[6]（2019）在《激光刻蚀对镀金表面二次电子发射的有效抑制》一文中研究指出使用红外激光刻蚀技术在镀金铝合金表面制备了多种形貌的微孔及交错沟槽阵列.表征了两类激光刻蚀微阵列结构的叁维形貌和二维精细形貌,分析了样品表面非理想二级粗糙结构的形成机制.研究了微阵列结构二次电子发射特性对表面形貌的依赖规律.实验结果表明:激光刻蚀得到的微阵列结构能够有效抑制镀金表面二次电子产额(secondary electron yield,SEY),且抑制能力明显优于诸多其他表面处理技术;微阵列结构对SEY的抑制能力与其孔隙率及深宽比呈现正相关,且孔隙率对SEY的影响更为显着.使用蒙特卡罗模拟方法并结合二次电子发射唯象模型和电子轨迹追踪算法,仿真了各微结构表面二次电子发射特性,模拟结果从理论上验证了微阵列结构孔隙率及深宽比对表面SEY的影响规律.本文获得了能够剧烈降低镀金表面SEY的微阵列结构,理论分析了SEY对微结构特征参数的依赖规律,对开发空间微波系统中低SEY表面及提高镀金微波器件性能有重要意义.(本文来源于《物理学报》期刊2019年06期）
KHAN,Muhammad,Saadat,Shakoor,邹艳波,李超,丁泽军[7]（2019）在《波型结构样品二次电子发射的Monte Carlo模拟（英文）》一文中研究指出用于研究电子与固体相互作用的Monte Carlo(MC)模拟技术已成功应用于获得测长扫描电子显微镜(CD-SEM)中的线扫描轮廓曲线.以前的研究主要关注具有尖锐边缘的简单几何形状的样品,为此将相应的模拟扩展到具有平滑弯曲形貌的波形结构样品. MC模拟模型用Mott截面描述电子的弹性散射以及基于完全Penn算法的介电函数理论描述电子的非弹性散射.综合考虑了不同实验因素,如电子束能量,几何参数和材料性质对波型结构样品CD-SEM线扫描曲线的影响;计算表明,随着样品结构高度的降低,二次电子的两个侧边峰可以合并成一个中心单峰,该特征为平滑线状结构样品的关键尺寸表征带来了新的挑战.(本文来源于《中国科学技术大学学报》期刊2019年01期）
张宇心,王一刚,葛晓琴,张波,尉伟[8]（2018）在《无定形碳薄膜的二次电子发射特性研究》一文中研究指出新一代粒子加速器向着高能量和高亮度方向发展,而储存环中的电子云效应极大地阻碍了粒子束的稳定性,是限制加速器进一步发展的主要制约因素。因此,对于新一代的高能粒子加速器来说,寻找低二次电子发射系数(SEY)的储存环真空室表面材料是至关重要的。研究发现,储存环真空室表面沉积无定形碳薄膜是一种很有潜力的加速器真空室表面处理方法。采用直流磁控溅射的方法,在管道表面沉积了高质量的无定形碳薄膜,并对二次电子发射特性进行了研究,发现在入射电子密度为1×10~(-8)C/mm~(-2)的条件下,薄膜的SEY为1. 132,说明无定形碳薄膜可以很好地降低二次电子发射,从而抑制电子云效应。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2018年12期）
柳钰,梁昌慧,梅策香,刘婷[9]（2018）在《镀膜对金属材料表面二次电子发射系数的影响》一文中研究指出材料表面产生二次电子发射会对器件的正常工作和使用寿命产生重大影响,因此对于抑制二次电子发射系数的研究显得越来越重要。该实验中选择通过改变材料表面结构的方法抑制二次电子发射,对材料表面进行真空溅射镀膜,在表面镀上一层二次电子发射系数较小的材料,实验中选择一层40 nm厚的Ta-C薄膜。实验结果表明:未经处理的基片二次电子发射系数峰值为2.15左右,经过镀膜处理的样片二次电子发射系数峰值为1.39,减少了35%,这说明通过镀膜的方法能有效减小材料表面二次电子发射系数。(本文来源于《咸阳师范学院学报》期刊2018年06期）
郝子恒,李相鑫,张妮,朱宇峰,李丹[10]（2018）在《微通道板高增益二次电子发射层制备研究》一文中研究指出提高微通道板(Micro-channel Plate,MCP)的综合性能一直都是器件使用性能提升首要解决的关键问题。纳米薄膜材料的发展及其制备技术的成熟为微通道板性能提升提供了契机,使用原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)技术,在微通道板的通道内壁生长一层Al2O3薄膜作为高二次电子发射层,以增强通道内壁的二次电子发射能力,从而提升微通道板的增益性能。通过调节ALD沉积过程中的循环数,腔室反应温度和前驱体反应时间,分析工艺条件改变对MCP二次电子增益的影响。结果表明ALD沉积工艺参数对MCP二次电子增益有很大影响,使用适当的工艺参数,可得到具有高二次电子增益的MCP。(本文来源于《红外技术》期刊2018年11期）
二次电子发射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用一维流体模型研究了非广延分布电子对等离子体鞘层中二次电子发射的影响.通过数值模拟,研究了非广延分布电子对考虑二次电子发射的等离子体鞘层玻姆判据、器壁电势、器壁二次电子临界发射系数以及等离子体鞘层中二次电子密度分布的影响.研究结果发现,当电子分布偏离麦克斯韦分布(q=1,广延分布)时,非广延参量q的改变对器壁二次电子发射有着重要的影响.不论电子分布处于超广延(q <1),还是处于亚广延状态(q> 1),随着非广延参量q的增加,都会出现鞘边临界马赫数跟着减小,同时对于随着二次电子发射系数的增加,临界马赫数跟着增加.器壁电势随着参量q的增加而增加.器壁二次电子临界发射系数则随着非广延参量的增加而减小,并且等离子体中所含的离子种类质量数越大,非广延参量的变化对器壁二次电子临界发射系数的值影响越小.此外,随着非广延参量的增加,鞘层厚度减小,鞘层中二次电子数密度增加.通过对数值模拟结果分析,发现电子分布处于超广延分布状态对等离子体鞘层中二次电子发射特性的影响要比电子处于亚广延分布状态要更明显.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
二次电子发射论文参考文献
[1].宋强强,崔万照,杨晶.基于等效电路模型的介质材料二次电子发射系数研究[J].空间电子技术.2019
[2].赵晓云,张丙开,王春晓,唐义甲.电子的非广延分布对等离子体鞘层中二次电子发射的影响[J].物理学报.2019
[3].王思展,黄建国,姜利祥,王军伟.二次电子发射系数在航天器表面充电的应用[J].环境技术.2019
[4].李杨威,任成燕,孔飞,刘俊标,张燕.绝缘材料二次电子发射系数的测量及其影响因素研究进展[J].高压电器.2019
[5].王思展.材料二次电子发射特性及测量方法研究[J].科技与创新.2019
[6].王丹,叶鸣,冯鹏,贺永宁,崔万照.激光刻蚀对镀金表面二次电子发射的有效抑制[J].物理学报.2019
[7].KHAN,Muhammad,Saadat,Shakoor,邹艳波,李超,丁泽军.波型结构样品二次电子发射的MonteCarlo模拟（英文）[J].中国科学技术大学学报.2019
[8].张宇心,王一刚,葛晓琴,张波,尉伟.无定形碳薄膜的二次电子发射特性研究[J].真空科学与技术学报.2018
[9].柳钰,梁昌慧,梅策香,刘婷.镀膜对金属材料表面二次电子发射系数的影响[J].咸阳师范学院学报.2018
[10].郝子恒,李相鑫,张妮,朱宇峰,李丹.微通道板高增益二次电子发射层制备研究[J].红外技术.2018
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