导读:本文包含了场发射性质论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:水热反应,场发射性能,ZnO纳米棒,ZnO薄片
场发射性质论文文献综述
贾钰欣[1]（2018）在《ZnO/金刚石双层结构及场发射性质研究》一文中研究指出ZnO和金刚石是非常重要的宽带隙半导体材料,具有优异的物理化学性质。将ZnO和金刚石结合起来制备的新型复合结构,在场发射显示器冷阴极材料、半导体异质结及表面声波学器件等领域被广泛研究。通过把ZnO沉积到金刚石基底上,可明显提高ZnO及金刚石的场发射性能。因此,本文采用水热法把ZnO分别沉积到自支撑金刚石膜和纳米金刚石基底上,改变生长时间、反应物浓度、金刚石基底及对ZnO进行B掺杂,系统的研究了上述条件对ZnO生长形态和场发射性能的影响,以期望改进ZnO及金刚石的场发射性能。采用场发射扫描电子显微镜、掠入射X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、光致发光光谱仪对样品的微结构进行表征;采用高真空场发射测试研究样品的场发射特性。系统的研究了不同反应时间、不同反应物浓度、金刚石晶粒尺寸和ZnO掺杂对ZnO/金刚石复合结构的微结构和场发射性能的影响。主要研究内容及结果如下:(1)以自支撑金刚石膜为基底,水热反应时间分别为1.5 h、3 h、6 h和8 h,制备ZnO纳米棒。并与在相同条件下,制备的ZnO纳米棒/Si复合结构进行比较。结果表明,在自支撑金刚石膜上制备的ZnO纳米棒出现了尖端现象,并且具有更好的结晶度、更高的纯度与更少的结构缺陷。反应时间为6 h,ZnO纳米棒/金刚石复合结构中,ZnO纳米棒排列更加整齐均匀,其长径比最大,并出现了尖端现象,产生大量电子隧穿,降低阈值电压,显着改善了 ZnO纳米棒的场发射特性。反应时间为6h,在自支撑金刚石膜基底上生长的ZnO纳米棒的开启电场为6.8 V/μm,在11.9 V/μm的电场下,发射电流密度为0.20 mA/cm2。(2)在纳米金刚石基底上生长ZnO纳米棒,反应物浓度分别为O.1 M、0.05 M、0.025 M和0.01 M。系统研究了纳米金刚石基底和反应物浓度对ZnO纳米棒的微结构和场发射性能的影响。结果表明,纳米金刚石基底可以明显提高ZnO/金刚石复合结构的导电性,更有利于电子从金刚石导带传输到ZnO导带。此外,纳米金刚石晶粒尺寸更小,含有更多晶界,更有利于场发射过程中电子的转移。反应物浓度为0.025 M,在纳米金刚石基底上生长的ZnO纳米棒品质更好,通过计算得出此时的场增强因子可达5277.7,其开启电场为2.9 V/μm,在8.7 V/μm的电场下,发射电流密度为0.48 mA/cm2。(3)反应时间分别为1.5 h、3 h、6 h和8 h,在纳米金刚石基底上生长B掺杂的ZnO薄片。系统的研究了不同反应时间对ZnO薄片的表面形貌、晶粒品质及场发射性能的影响。B原子的掺杂,抑制了 ZnO沿着[0001]方向生长,从而形成了二维ZnO结构—ZnO薄片。纳米金刚石导电性好、晶粒小、晶界多,ZnO薄片的形貌有利于电子的传输。在场发射过程中,电子传导率大,使得ZnO薄片/纳米金刚石的场发射性能显着提高。反应时间为8 h,在纳米金刚石基底上制备的ZnO薄片的开启电场可低至2.3 V/μm,在4.0 V/μm的电场下,发射电流密度可达到0.53 mA/cm2。(本文来源于《太原理工大学》期刊2018-06-01）
杨秀清,王艳秋[2]（2018）在《硅纳米线的场发射性质研究方法》一文中研究指出研究硅纳米线的场发射的均匀性、稳定性及寿命问题是制备新型大面积冷阴极纳米功能材料的基础,本文提出了采用透明阳极法测试硅纳米线冷阴极薄膜的场发射特性的实验方法,并对实验方法进行了阐述。(本文来源于《中国科技信息》期刊2018年02期）
周清[3]（2017）在《微波辐照法合成碳化硅纳米线及其场发射性质研究》一文中研究指出碳化硅(SiC)材料以其独特的结构和优异的力学、光学、电学、场发射、光催化等性能,被广泛应用在复合材料增强、电子器件、显示器件等领域。SiC纳米材料作为SiC材料的一个重要部分,除具备体材料的优异性能外,还拥有自身特异的光、电、磁、场效应,使其在真空微电子、微纳结构器件等领域具有广阔的应用前景。本论文以高能微波技术合成的SiC纳米线为研究对象,以提高或改善SiC纳米线的场发射特性为目标牵引,通过催化剂的引入实现SiC纳米线的优势合成,并对其生长过程和场发射的影响因素进行相应的解析和评价。开展的主要研究及所得结果如下:(1)利用高能微波技术直接辐照由人造石墨、硅粉、二氧化硅粉组成的叁组份原料,可快速高效的获得大量灰绿色物质。经X-射线分析技术(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)等分析测试方法检测后发现产物是由纳米线、纳米棒、微晶及部分未反应的原料组成的混合物,对纳米线进行形貌、结构、成分的表征可证实其为圆柱状SiC/SiO_x同轴结构,芯部SiC含有大量的堆垛层错、氧空位等结构缺陷。光致发光(PL)特性的研究结果为:室温条件下,用240nm的激发光照射样品,在390nm处会出现一个强的发射峰,表现出明显的蓝移现象。场致发射(FE)特性的研究结果为:室温条件下,测量产物在高电压作用下的电流电压(U-I)值,经F-N公式计算后绘制J-E曲线,从曲线中可以得出样品的开启电压Eto约为0.25V/μm。上述结果表明高能微波辐照技术合成的圆柱状SiC/SiO_x同轴纳米线具有突出的PL特性和FE特性。(2)利用催化剂辅助高能微波技术合成SiC纳米线。催化剂的添加方式有两种:一是以金属粉末的形式直接加到叁组份原料中;另一种是通过金属盐溶液浸泡基板一段时间,于空气环境中自然风干,在基板表面形成一层金属盐薄膜,再将该基板放在装有叁组份原料的坩埚上方。结果表明:合适催化剂的引入对产物的合成起积极作用,其中,Fe和Ni的存在对实现产物尺寸的均一化和纯净性、结构的新颖性、性能的优越性等具有非常重要的作用。值得注意的是,以含(Fe(NO_3)_3薄膜的基板催化得到的产物表现出最优的形貌、结构和性能优势,其产物完全由纳米线组成,这些纳米线尺寸均匀、形貌一致、直径集中在1OOnm左右,具有超长尺寸特点,且为SiC/SiO_x同轴纳米线,芯部SiC呈现出特殊的试管刷状结构。对催化得到的样品进行性能分析可知:1、PL特性:金属粉末直接催化得样品的PL发射峰集中在387nm附近;含催化剂基板催化得样品的PL发射峰出现更进一步的蓝移,约在380nm处,初步分析其原因可能是由于新结构中SiC芯与SiO_x壳之间的接触面积增大,界面处存在更多的结构缺陷和大量悬挂键所致。2、FE特性,对于金属粉末直接催化的样品,表征FE特性的E芯o值不仅没有降低反而增大,其原因在于金属单质完成催化使命后仍留在纳米线顶端,在电子的发射过程中,对于电子的运动起屏蔽作用,因此抑制了 FE特性。但含(Fe(NO_3)_3薄膜的基板催化的样品经测量计算后发现其Eto和Ethr的值分别为0.2和2.1 V/μm,如此低的开启电压和阈值电压表明新型试管刷状SiC/SiO_x同轴纳米线具有优异的场发射特性。(3)初步探讨微波场中含(Fe(NO_3)_3薄膜的基板催化合成新型试管刷状SiC/SiO_x同轴结构的过程,以及含铁物质的运动轨迹。在微波等离子体作用下,Fe元素的状态在纳米线的形成过程中不断发生变换。在此过程中,Fe有两个去向,一是扩散和挥发到微波炉的谐振腔中,二是结合和沉淀形成液态Fe(L)充当催化剂,其中作为催化剂的Fe(L)在微波等离子体作用下将会发生气液固叁种状态的循环,在此过程中Fe不断的发生消散直至基本耗尽,由此实现催化剂的自我净化。形成的新型试管刷状SiC/SiO_x同轴纳米线的特点为:大量发射位点、大长径比、小曲率半径、SiC/SiO_x异质结,此外,催化剂的自净化有效的解决了金属元素对电子的屏蔽作用。上述条件在最大程度上满足了场致发射电子的发射需求,从而使得试管刷状SiC/SiO_x同轴纳米线拥有优异的FE特性。(本文来源于《东南大学》期刊2017-06-20）
曹培江,韩舜,王欣,刘新科,柳文军[4]（2016）在《ZnO纳米棒/纳米锥阵列制备及其场发射性质研究》一文中研究指出采用化学气相沉积法在厚度约450 nm的ZnO晶种层上分别生长了ZnO纳米棒/纳米锥阵列,并对其场发射特性进行了研究。研究结果发现:沿c轴择优取向的ZnO晶种层中含有较少缺陷;长度分别为7μm和3.5μm的ZnO纳米棒/纳米锥均沿[0001]方向生长,ZnO纳米棒/纳米锥包含大量氧空位缺陷;ZnO纳米棒顶端尺寸约150 nm,而ZnO纳米锥具有非常尖锐的尖端;ZnO纳米棒/纳米锥的面密度分别为2.6×10~8/cm~2和1.9×10~8/cm~2;ZnO纳米锥具有相对较低的开启电场~6.1 V/μm和较高的场增强因子~1641。本文对影响场发射性能的因素进行了讨论。(本文来源于《2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）》期刊2016-08-23）
张永欣,申承民,刘飞,杨天中,邓少芝[5]（2016）在《低维纳米结构材料的制备和场发射性质》一文中研究指出新型冷阴极纳米功能材料由于在平板显示、微波放大器、毫米波器件、传感器、新型光学及光电子器件领域有着十分重要的应用前景,因此一直是研究的热点之一。具有低的表面功函数、良好的导电性、小的尖端曲面半径、高的热稳定性、化学稳定性和机械强度等特性的低维维纳米结构是用于电子显示器(本文来源于《2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）》期刊2016-08-23）
何银花[6]（2016）在《一维氧化锌纳米锥场发射性质第一性原理研究》一文中研究指出氧化锌(ZnO)作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有较宽的直接带隙能带结构,室温下禁带宽度为3.37eV,且激子结合能(60meV)远高于其他宽禁带半导体材料,其激子在室温下能够稳定存在,易于实现室温或更高温度下高效的激子受激发光。因此,氧化锌在许多应用领域,诸如液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管、场致发射器件等产品中具有潜在的研究价值而备受人们关注。随着纳米材料的制备与研究日益成熟,ZnO纳米结构因其具有优异的物化性质而成为人们探究的热点。其中一维氧化锌纳米结构场致发射性能得到广泛的研究,因其具有良好的抗氧化能力、较高的热稳定性、负的电子亲和能、成本低廉等特点,有望成为最理想的场发射阴极材料之一。但影响电子场致发射的因素众多,如几何结构、形貌特征、外界条件等,寻找能够提高和改善一维ZnO纳米结构场发射性能的方法是十分重要和必要的。然而实验研究效率较低,研究成本较高,通过模拟计算从理论上进行研究,极大地缩短了研究周期,并且对实验研究起到指导作用,从而加快研究进程。本文运用基于密度泛函理论的第一性原理软件Materials Studio中的DMol3模块理论研究了一维ZnO纳米结构的几何构型和场致发射特性,取得如下创新性结果：(1)以第一性原理计算方法为基础,研究了不同构型的ZnO-NC (氧化锌纳米锥),得到了五种稳定的几何结构(根据ZnO-NC尖端原子构型特征)：Zn-Zn(4P), Zn-O(4P),O-O(4P), Zn-O(2Q-2H)和Zn-O(2Q-4H),通过电子态密度(DOS),赝能隙,HOMO/LUMO(最高占据分子轨道／最低未占据分子轨道),能隙分析表明：在外电场下,Zn-Zn(4P)表现出优异的电子结构特性,更具有发射电子的潜能。(2)采用基于密度泛函理论第一性原理计算方法,研究了In/Mg原子分别掺杂Zn-Zn(4P)体系的场发射性能,结果表明：掺杂使结构稳定性增强,相比掺Mg和未掺体系,掺In提高了LDOS(局域态密度)峰值且峰位更靠近EF(费米能级),尖端电子密度增大；根据Mulliken电荷、HOMO(最高占据分子轨道)-LUMO(最低未占据分子轨道)能隙及有效功函数的计算,可(?)In-In(4P)具有更优异的场发射性能。(3)建立ZnO-NC(氧化锌纳米锥)数学模型,对静电场中其尖端的电势和电场进行数值计算,得到场发射效应因子表达式为β=H/8πε0·h/d(其中h和d分别为ZnO-NC的高度和尖端直径),分析结果表明：ZnO-NC的高度与尖端直径之比对场发射效应因子的影响最为显着,在ZnO-NC结构稳定且d为定值的情况下,h越高尖端的场发射因子越大,纳米锥尖端场强越强,其场发射性能越突出。(4)采用第一性原理计算方法,研究了不同高度ZnO-NC的场发射性能,结果表明：在ZnO-NC结构稳定且尖端直径d为定值的情况下,随着其高度h的增大其尖端场发射效应因子β增大,根据DOS(态密度)、电子密度、Mulliken电荷、能隙及有效功函数的计算,可知h对尖端场发射性能影响显着,通过控制ZnO-NC的高度可有效提高其场发射性能。(本文来源于《西安建筑科技大学》期刊2016-05-01）
陈欣[7]（2015）在《化学修饰石墨烯材料的场发射性质研究》一文中研究指出纳米科技的提出和发展革新了传统的材料加工制作方式,它试图通过在微观世界中纳米尺度内的加工操作来改进器件的性能,被认为是21世纪头等重要的科学技术。随着纳米技术的迅速发展,一系列新兴学科产生,不同领域的广大的纳米科研人才努力于解决纳米科技在不同方向具有挑战性的问题,极大推进了它的实际应用。纳米材料器件作为纳米科技的基础是研究的一个热点,其中一方面便涉及到电子场发射阴极材料的制作。作为新型场发射阴极,纳米材料凭借自身结构及性质上的优势被寄予厚望。只有深入了解纳米材料的场发射的微观机制,人们在改进场发射器件性能时才能把握好方向,以减少资源和时间上的浪费。人们不仅希望得到强度大且稳定的场发射电流,而且也探索通过一些有磁性的纳米结构材料得到高自旋极化率的场发射电流。另一方面,密度泛函理论被广泛应用在固体物理和量子化学等学科中,尤其在纳米材料的电子结构性质的研究方面显示出极大的优势。本文通过基于密度泛函理论的理论模拟研究了对石墨烯纳米条带和石墨烯表面采用不同官能团作化学修饰后其场发射性能的变化情况,涉及到非极化和自旋极化的场发射性质研究,并借助第一性原理在保证计算的准确的基础上简化了计算的流程。第一章分为有关场发射的基本理论介绍、文章中使用的波函数匹配及第一性原理相结合的场发射电流计算方法、场发射的研究进展(包括石墨烯、石墨烯条带和碳纳米管)、密度泛函理论基础四个方面。场发射是电子场发射的简称,又称为冷阴极电子发射,一般是借助于外界施加的强电场降低材料表面的势垒的限制从而提高电子隧穿至真空的概率,宏观上得到可测的电流。文中对场发射的具体过程和发展状况给出了较详细的介绍,纳米材料的场发射电流计算有其自身的特殊性,文中对相关问题作出了讨论。在文中给出了我们采用的计算方法详细的理论推导步骤,因其中采用传统的波函数匹配方法和第一性原理结合,所以对密度泛函理论的基础知识也给出了介绍。我们研究的纳米材料主要为化学修饰的石墨烯材料,因而文中对石墨烯、石墨烯纳米条带和碳纳米管都有基本知识的讲解,使人们对它们在场发射领域的应用有清晰的认识。第二章前面部分给出了边界修饰有C-0-C醚基的锯齿形石墨烯纳米条带(包括边界有连续的醚基和50%覆盖度的醚基两种例子,分别简称ZGNR-CE和ZGNR-AE)的电子场发射特性的计算结果。该体系在实验上已经被制备和研究。场发射电流计算用到的即为第一章中有详细描述的波函数匹配方法。模拟结果显示两种纳米条带的场发射主要由布里渊区中心且靠近费米面的电子态所决定。因为具有较低的功函数,ZGNR-CE条带能产生比未修饰的重构锯齿形石墨烯纳米条带强很多的场发射电流；而ZGNR-AE的电流值虽然小,但也具备其它优势,即能够得到属于高自旋极化的电流。我们也发现在较低的外电场下,单轴方向的外加应变能有效调控它们的场发射电流,但ZGNR-AE条带的高自旋极化在这种情况下保持不变。通过分析这些条带的功函数、能带结构以及结合边界电偶极模型,我们揭示了这些现象的相关机制。在第二章的后面部分,我们介绍了N-H亚氨基修饰边界的锯齿形石墨烯纳米条带(简称ZGNR-NH)的场发射性能的计算情况。ZGNR-NH的原子不在同一平面上,体系的功函数极低,能带结构上有平带一直延伸至费米能级处的Γ点处。ZGNR-NH发射的场发射电流强度超强,这得益于它较强的边界电偶极矩,其场发射性能超过了醚基官能团修饰的纳米条带。第叁章介绍了对于氢和氟修饰的双层石墨烯表面的场发射特性的研究。双层石墨烯表面的r电子态远离费米面,使得其场发射性能较低。当用氢双面修饰时,所产生的双层石墨烷功函数略微降低,但更重要的是使得费米面附近的占据电子态主要分布在r点周围,导致其场发射性能得到明显提高。他人研究表明,通过单边氟取代可以有效地调制双层石墨烷的电子结构,将近自由电子态拉降至费米能级以下并有效地降低功函数。我们也深入计算了单侧氟取代双层石墨烷的场发射电流的情况,并通过与双层石墨烷和双层石墨烯的计算结果比较可以看出其在场发射性能方面的巨大的提高。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2015-05-01）
张永欣,申成民,高鸿钧[8]（2014）在《图案化硼纳米线的制备及场发射性质研究》一文中研究指出通过Fe3O4纳米粒子为催化剂,使用钼网作为模版,在Si(111)基底上采用碳热还原化学气相沉积的方法实现了硼纳米线的图案化制备,并对硼纳米线的结构和图案化的场发射性质进行了分析和测试.图案化的硼纳米线的开启电场是4.6 V/μm,阈值电场是9.2 V/μm。场发射性质研究表明优良的场发射性质来源于图案化的生长降低了无规生长的硼纳米线之间的屏蔽效应。这一优异结果表明图案化的生长提高了硼纳米线的场发射性能。(本文来源于《中国化学会第29届学术年会摘要集——第33分会：纳米材料合成与组装》期刊2014-08-04）
王真[9]（2014）在《有机/磁性金属界面性质和有机材料场发射性能研究》一文中研究指出有机电子学是一门交叉和前沿学科,凭借着有机材料具有廉价的成本、低的密度、种类和结构多、良好的机械性能、可调节性能强、制备简单等独特性质,为具有特定或多功能电子器件的合成提供了新的思路。有机自旋电子学主要是利用了有机材料对自旋电子散射不强,拥有长的自旋弛豫时间的特点,希望可以制备具有高自旋注入效率和高自旋极化率的自旋电子器件。但在有机-磁性金属界面处,电子注入效率会受到界面能级分布的影响,通常在界面会存在一个偶极层,会增大对自旋电子的散射,影响到自旋电子的注入效率,因此研究有机-磁性金属界面处的能级结构是非常必要的。另外,由于有机材料具有较小的功函数,以及较容易调控的形貌和结构,所以其场发射性能也是一个非常值得研究的方向。因此,我们对有机-磁性金属界面的能级结构和有机材料的场发射性能进行了研究：(1)通过真空热蒸发和磁控溅射制备了Bepp2-FeCo双层膜结构,对Bepp2/FeCo和剥离反转(peel-off) Bepp2/FeCo样品,利用Ar离子刻蚀,得到了X射线光电子能谱(XPS)和紫外线光电子能谱(UPS)的谱图随着刻蚀时间增加(即样品厚度逐渐变薄)的变化情况。通过不同元素的含量变化以及Co、Fe、O和C的XPS精细谱图的拟合分析,得到了在Bepp2-FeCo界面处,Co和Fe都不同程度上与Bepp2发生了化学反应,并且Fe比Co更容易与有机层发生反应。通过UPS分析,在Bepp2-FeCo界面处,由于两层的表面势垒不一样,会有一个大的能量移动A=-3.0eV,表明在界面处出现了一个较大的偶极层,空穴注入势垒ΦpB=1.6eV,电子注入势垒ΦnB=1.2eV。说明了在Bepp2-FeCo界面,电子比空穴较容易注入。通过磁光克尔效应(MOKE)对样品磁性分析,发现只有当FeCo厚度小于3nm时,才可以在Bepp2有机层上诱导出明显的单轴各向异性。(2)通过制备条件的控制,制备了表面粗糙度约为0.9nm的Alq3有机薄膜。对于Alq3-FeCo双层膜结构的样品Alq3/FeCo和peel-off Alq3/FeCo,利用Ar离子刻蚀,得到了XPS和UPS谱图随刻蚀时间增加的变化情况。通过不同元素的含量变化以及XPS精细谱的拟合分析,得到了在Alq3-FeCo界面处,Co和Fe都不同程度上与Alq3有机层发生了化学反应。通过UPS分析,在Alq3-FeCo界面处有机层,出现了一个能量移动△=-0.9eV,表明在界面处存在一个偶极层,空穴注入势垒ΦPB=2.16eV,电子注入势垒ΦnB=0.64eV。说明了在Alq3-FeCo界面,电子比空穴更容易注入到有机层。通过MOKE对样品磁性的分析,发现当FeCo厚度小于5nm时,可以在Alq3有机层上诱导出单轴各向异性。(3)利用热蒸发方法,通过控制蒸发条件,在低电阻率的Si基底上制备了有机发光半导体Alq3微米刺。在外加电场连续升高降低的循环测试中发现了明显的滞后现象,但随着Alq3厚度的增加以及测试循环次数的增加,这种滞后现象在减弱。引起滞后现象的原因是在高真空中样品表面小分子的吸附和去吸附效应引起的。因此为了减小这种滞后现象,应将样品尽量保持在真空中,或者增加测量次数。厚度为20nm,50nm和100nm的Alq3微米刺分别具有低的开启电压2.2Vμm-1,6.8Vμm-1和9.0Vμm-1以及低的阈值电压5.1Vμm-1,10.0Vμm-1和13.0Vμm-1。并且表现出了很好的稳定性。因此,Alq3微米刺作为有机场发射材料具有潜在的应用前景。(4)在碳纳米管阵歹(carbon nanotubes, CNTs)表面,通过直流磁控溅射将Ta修饰到其表面,而Ta的修饰使得CNTs的场发射性能得到了显着地提高,开启电压和闽值电压都明显减小,最大电流密度增加了而且稳定性也有所增强。这些场发射性能指标参数的改进可以归因于Ta的修饰使CNTs的功函数降低以及场发射因子增强。Ta的修饰导致CNTs的功函数趋近于Ta的功函数,由于溅射过程中Ta离子轰击CNTs的表面造成了缺陷并且Ta原子的聚集形成了很多突起使得形貌发生变化而使场发射因子增强。同时,在外加电场升高降低的循环过程中,观察到了明显的滞后现象,引起的原因是在高真空中存在小分子气体吸附在样品表面,在加电场时会发生吸附／去吸附效应而导致的。表明CNTs通过Ta的修饰是一种良好的场发射体,具有潜在的应用价值。(本文来源于《兰州大学》期刊2014-05-01）
杨秀清,胡亦,张景路,王艳秋,裴春梅[10]（2014）在《AuPd纳米粒子作为催化剂制备硼纳米线及其场发射性质》一文中研究指出利用化学气相沉积法,采用不同组分的金属合金纳米粒子AuPd作为催化剂,在Si(111)基底上成功制备大面积、高密度的硼纳米线薄膜.纳米线的平均长度约为10μm,直径在50—130 nm之间.结构分析表明,纳米线为单晶结构,硼纳米线的直径随着元素Pd在合金催化剂中比例的增加而减少.场发射特性测试结果表明,通过调整催化剂组分可以实现对硼纳米线的尺寸和密度的调控.(本文来源于《物理学报》期刊2014年04期）
场发射性质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究硅纳米线的场发射的均匀性、稳定性及寿命问题是制备新型大面积冷阴极纳米功能材料的基础,本文提出了采用透明阳极法测试硅纳米线冷阴极薄膜的场发射特性的实验方法,并对实验方法进行了阐述。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
场发射性质论文参考文献
[1].贾钰欣.ZnO/金刚石双层结构及场发射性质研究[D].太原理工大学.2018
[2].杨秀清,王艳秋.硅纳米线的场发射性质研究方法[J].中国科技信息.2018
[3].周清.微波辐照法合成碳化硅纳米线及其场发射性质研究[D].东南大学.2017
[4].曹培江,韩舜,王欣,刘新科,柳文军.ZnO纳米棒/纳米锥阵列制备及其场发射性质研究[C].2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）.2016
[5].张永欣,申承民,刘飞,杨天中,邓少芝.低维纳米结构材料的制备和场发射性质[C].2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）.2016
[6].何银花.一维氧化锌纳米锥场发射性质第一性原理研究[D].西安建筑科技大学.2016
[7].陈欣.化学修饰石墨烯材料的场发射性质研究[D].中国科学技术大学.2015
[8].张永欣,申成民,高鸿钧.图案化硼纳米线的制备及场发射性质研究[C].中国化学会第29届学术年会摘要集——第33分会：纳米材料合成与组装.2014
[9].王真.有机/磁性金属界面性质和有机材料场发射性能研究[D].兰州大学.2014
[10].杨秀清,胡亦,张景路,王艳秋,裴春梅.AuPd纳米粒子作为催化剂制备硼纳米线及其场发射性质[J].物理学报.2014