导读:本文包含了低噪声单片集成放大器论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:放大器,低噪声,晶体管,微波,集成电路,石墨,线路。
低噪声单片集成放大器论文文献综述
孙昕,陈莹,李斌[1]（2017）在《26-40GHz单片微波集成低噪声放大器研究》一文中研究指出采用法国OMMIC公司70nm GaAsm HEMT工艺,设计实现一款26-40GHz单片微波集成(MMIC)低噪声放大器,该电路采用四级级联结构,仿真结果表明:在工作频段内增益达到29dB,输入回波损耗优于-10dB,输出回波损耗优于-15dB。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2017年09期）
蔚翠[2]（2016）在《中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路》一文中研究指出日前,中国电子科技集团公司第十叁研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有(本文来源于《半导体技术》期刊2016年11期）
[3]（2016）在《中国电科13所研制出国际首只石墨烯低噪声放大器单片集成电路》一文中研究指出日前,中国电科13所石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,研制出国际首只石墨烯低噪声放大器单片集成电路。石墨烯是最典型的二维材料,由曼彻斯特大学的Geim教授和Novoselov教授发现,并因此获得2010年诺贝尔物理学奖,引发全世界研究热潮。石墨烯因其超高载流子迁移率、超高热导率、超薄等优异特性,是制作高频电子器件的理想候选材料。石墨烯晶体管最引人关注的应用方向之一是低噪声放大器,石(本文来源于《半导体信息》期刊2016年04期）
蔚翠[4]（2016）在《中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路》一文中研究指出日前,中国电子科技集团公司第十叁研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有里程碑式的意义。未来,中(本文来源于《半导体技术》期刊2016年08期）
李政凯,陈莹,李斌[5]（2014）在《8-20GHz 宽带单片微波集成低噪声放大器设计》一文中研究指出基于其体积小、重量轻、一致性好等特点,单片微波集成电路的低噪声放大器在射电天文中有着重要作用。本文采用稳懋公司150 nm和100 nm赝高电子迁移率晶体管(pseudomorphic high electron mobility transistor,pHEMT)工艺设计了两款低噪声放大器电路,成功流片,并进行比较。两款放大器的工作频率范围均为8-20 GHz,增益约为23~28 dB,噪声温度低于150K,输入输出回波损耗大于10 dB。(本文来源于《中国科学院上海天文台年刊》期刊2014年00期）
郑新年,杨浩,张海英,戴志伟[6]（2014）在《1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器》一文中研究指出设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。考虑到实际片上无源电感的性能(低Q值),最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能,相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积。设计旨在选择合适的输入晶体管,以免除输入电感的使用,减小芯片的面积。经过优化设计,芯片尺寸为0.8 mm×0.8 mm。测试结果表明,放大器在3.4~3.6 GHz频段内实现了1.1 dB的噪声系数以及25.8 dB的小信号增益,带内回波损耗最大值为-16.5 dB。在回波损耗小于-10 dB的范围内,电路带宽拓展到2.8~4.7 GHz,此时增益最小值为20 dB,噪声最大值为1.3 dB。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年05期）
戴剑,要志宏,赵瑞华,宋学峰,刘帅[7]（2014）在《宽带低噪声放大器单片微波集成电路》一文中研究指出从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20 GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5 V工作电压下,能够在2~20 GHz频率内实现小信号增益大于16 dB,增益平坦度小于±0.5 dB,输出P-1 dB大于14 dBm,噪声系数典型值为2.5 dB,输入和输出回波损耗均小于-15 dB,工作电流仅为63 mA,低噪声放大器芯片面积为3.1 mm×1.3 mm。(本文来源于《半导体技术》期刊2014年04期）
戴志伟,曾健平,杨浩,张海英,郑新年[8]（2013）在《一种具有0.75dB噪声系数的2.3～2.4GHz单片集成低噪声放大器》一文中研究指出报道了一种基于0.5μm赝配高电子迁移率晶体管工艺的两级级联结构的微波单片集成低噪声放大器。该低噪声放大器为光纤射频组网技术而研发,采用集总参数元件完成片上输入输出阻抗匹配,节省了芯片面积和成本。在50Ω端口测试条件下,该低噪声放大器在2.3~2.4GHz的频段内,噪声系数约为0.75dB,增益大于25dB,在3.3V的工作电压下消耗32mA的电流。与同频段同类型的低噪声放大器相比,文中报道的LNA具有突出的低噪声性能,这主要归因于依据晶体管的噪声最优阻抗匹配理论选取了合适的输入级放大管尺寸和一个具有极小寄生电阻的输入匹配网络以及pHEMT管本身优异的低噪声特性。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2013年06期）
俞汉扬,陈良月,李昕,杨涛,高怀[9]（2011）在《4～8GHz宽带单片集成低噪声放大器设计》一文中研究指出基于0.15μm GaAs PHEMT工艺设计了一款C波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由叁级放大器级联而成,叁级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电,它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点,又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上,解决了供电复杂的问题。第叁级电路采用了并联负反馈结构,降低了带内低频端增益,提高了高频端增益,从而改善了增益平坦度。利用微波仿真软件AWR对电路进行了仿真和优化,结果显示,在4～8 GHz频带内,噪声系数<1.4 dB,增益达23±0.5 dB,输入输出驻波比<2.0∶1。(本文来源于《电子科技》期刊2011年12期）
陈莹,李斌[10]（2011）在《4～10 GHz宽带单片集成低噪声放大器设计》一文中研究指出在单片微波集成电路领域,放大器的设计往往不能兼顾噪声、增益和带宽,通常为达到最佳噪声和增益会限制带宽,或者为增大带宽而牺牲噪声和增益。本文采用稳懋公司0.15μmpHEMT工艺,综合各种因素,设计了一款宽带低噪声放大器电路,其频率范围4～10 GHz,增益约25 dB,噪声温度低于100 K,输入输出回波损耗大于10 dB。(本文来源于《中国科学院上海天文台年刊》期刊2011年00期）
低噪声单片集成放大器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
日前,中国电子科技集团公司第十叁研究所在石墨烯射频领域取得里程碑式的成果,在石墨烯放大器单片电路设计和电路关键工艺上取得突破,成功研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路(成果发表于IEEE Electron Dev.Lett.,37,2016)。该电路工作于Ku波段,中心频率14.3 GHz,最大增益为3.4 d B,最小噪声系数为6.2 d B。此项工作对加速推动石墨烯在射频领域的应用具有
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
低噪声单片集成放大器论文参考文献
[1].孙昕,陈莹,李斌.26-40GHz单片微波集成低噪声放大器研究[J].电子技术与软件工程.2017
[2].蔚翠.中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路[J].半导体技术.2016
[3]..中国电科13所研制出国际首只石墨烯低噪声放大器单片集成电路[J].半导体信息.2016
[4].蔚翠.中国电子科技集团公司研制出石墨烯低噪声放大器单片集成电路[J].半导体技术.2016
[5].李政凯,陈莹,李斌.8-20GHz宽带单片微波集成低噪声放大器设计[J].中国科学院上海天文台年刊.2014
[6].郑新年,杨浩,张海英,戴志伟.1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器[J].半导体技术.2014
[7].戴剑,要志宏,赵瑞华,宋学峰,刘帅.宽带低噪声放大器单片微波集成电路[J].半导体技术.2014
[8].戴志伟,曾健平,杨浩,张海英,郑新年.一种具有0.75dB噪声系数的2.3～2.4GHz单片集成低噪声放大器[J].固体电子学研究与进展.2013
[9].俞汉扬,陈良月,李昕,杨涛,高怀.4～8GHz宽带单片集成低噪声放大器设计[J].电子科技.2011
[10].陈莹,李斌.4～10GHz宽带单片集成低噪声放大器设计[J].中国科学院上海天文台年刊.2011
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