导读:本文包含了激光退火论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:激光,耐热钢,薄膜,光纤,磁控溅射,圆光,多晶。
激光退火论文文献综述
马福帅[1]（2019）在《微纳器件激光退火工艺的优化和探索》一文中研究指出随着大数据和云计算的迅猛发展,集成电路需要处理的数据量不断增加,数据的存储变得越来越重要。为了满足市场对高性能和高密度存储设备的需求以及缓解平面NAND Flash的技术瓶颈,3D NANDFlash结构被提出。由于3D NAND Flash结构需要更低的热预算来减少温度对器件层的损坏,因此3D体系结构退火工艺的研究对于新一代存储器件具有一定的实际意义。本文主要围绕存储器制备中激光退火工艺的优化展开,分别对纳秒激光(短脉冲激光)退火条件下器件中的温度场变化和飞秒激光(超短脉冲激光)照射半导体材料时的相变机理作了深入的探究。目的是更加详尽的掌握激光非晶硅退火过程中热力场的变化,优化激光退火的工艺以及对激光退火制备多晶硅沟道提供了一定的数据参考。第一部分主要介绍了基于有限元软件对纳秒激光脉冲作用下3D垂直沟道结构单元中的热力场分布进行数值仿真。通过参数设置、模型创建、网格划分、相变处理等建立激光退火的仿真模型,其中施加热源为高斯激光光束。然后,分别改变多晶硅沟道厚度、激光能量密度和脉冲宽度并对相应的热力场进行数值模拟。结果表明:样品表面的温度与激光能量密度成正比,与脉冲宽度成反比。同时,沿半径方向以及沿轴线方向的温度大小和温度梯度大小逐渐降低。当激光能量密度U= 1500mJ/cm2时,沟道层表面非晶硅材料首先达到相变温度;当U≈2000mJ/cm2时,底部非晶硅材料温度才能稳定在非晶硅的相变温度;同时为了避免临近Si02材料层的熔化,激光退火过程中使用的激光能量应限制在3000mJ/cm2以内。此外,多晶硅沟道厚度与界面温度呈非线性关系,且沟道层厚度约13nm时,界面处温度最低。该研究结果可为3DNANDFlash退火工艺的优化提供重要的参考。第二部分主要从理论分析、数值模拟和实验分析叁方面研究了飞秒激光与非热退火的机理和可行性。理论部分,介绍了飞秒激光飞秒激光与固体材料相互作用的物理机理,为飞秒激光非热作用过程的理解奠定理论基础。数值计算部分,通过引入和求解双温模型来探究飞秒激光与半导体材料相互作用过程,分析结果可得:电子-晶格耦合时间远大于飞秒激光脉冲持续时间,电子温度和晶格温度始终处于非平衡状态;激光在半导体样品中的穿透深度为微米量级;当激光能量密度不变时,增加激光脉冲宽度,电子温度的最大值和晶格的平衡温度减小,同时晶格温度的升高速率变缓。实验部分,首先采用PECVD工艺在两种不同的衬底上制备非晶硅薄膜,然后在室温下使用飞秒激光照射该薄膜来实现非晶硅的晶化。经扫描电子显微镜和原子力显微镜观测表明,退火后非晶硅薄膜表面出现纳米晶粒,表面粗糙度增大,以及衬底对退火过程的影响很小。经拉曼光谱分析可知,飞秒激光实现了从非晶硅到多晶硅的相变。以上结果表明,飞秒激光非热退火工艺适用于室温非耐热衬底上大规模制备多晶硅薄膜。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-25）
尹广玥[2]（2018）在《准分子激光退火设备关键技术研究》一文中研究指出准分子激光退火设备是高端有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器的工业生产中的核心设备之一,利用该设备可以对大尺寸基板上的非晶硅薄膜进行高效、高质量地晶化,从而大幅提高显示器的性能,然而,该设备牵涉到准分子激光器、光束整形等领域的前沿技术,研发难度大。目前,仅美国的相干公司等少数机构有能力提供高性能的商品化准分子激光退火设备,而国内该设备完全依赖于进口。准分子激光退火设备建立于大能量、高重频激光技术及均匀照明等众多关键技术之上,对这些技术展开攻关,使该设备国产化,对我国显示产业的发展具有重要意义。论文以基于薄膜晶体管像素开关的液晶显示技术及有机发光二极管显示技术为出发点,首先概述了激光退火工艺,然后重点介绍了准分子激光退火设备涉及到的大体积均匀放电、高压快脉冲激励、光斑匀化、微缩投影、线形光斑监测等单元技术;对上述若干单元技术开展研究,并集成线形光束扫描退火设备原理性样机;最后采用样机输出的线形光斑对大面积非晶硅薄膜进行退火,以验证样机的技术路线和设计方法的正确性,并研究过程参数对薄膜晶化质量的影响。设计并组装了一套高压快脉冲激励系统,激励回路采用了基于氢闸流管的反转倍压结构和基于磁脉冲压缩开关的能量转移结构,最终获得了峰值电压为42 kV,上升沿为100 ns的激励脉冲。采用张氏理论设计并加工了一套用于大体积均匀放电的电极,结合基于火花放电的预电离结构,对XeCl工作气体进行抽运,其中激活区长度为510 mm,电极间距为30 mm,电场不均匀度为27.8%。对于作气体组分对脉冲能量的影响进行了实验研究,当采用Ne气作为缓冲气体,HC1和Xe的含量分别为0.11%和2.86%,且总气压为2800 mbar时,可以获得440 mJ的308 nm激光单脉冲能量;输出的激光近场光斑呈矩形,长轴宽度约为30 mm,短轴宽度约为13 mm。分别采用几何光学与波动光学的理论对透镜阵列的激光光斑匀化作用进行了分析。提出了一种线形光束整形系统的设计方法,首先依据工况需求对短轴投影镜头进行设计;然后采用匀化尺寸、远心照明、照明孔径角、一对一原则对短轴、长轴均束系统进行约束,以期获得合理的系统参数;最后根据均束系统的要求,求解扩束或缩束系统的参数。采用上述方法分别设计了远心和非远心照明的两套线形光束整形系统,对比分析了系统结构,分析结果表明,远心系统的大部分器件具有与线形光斑相仿的长度,且系统总长度大,器件加工与系统装调难度高。结合光学设计和仿真软件,讨论了阵列单元中心偏差、工作面的偏移等关键参数对线形光斑质量的影响,结果表明,在±0.3 mm范围内,两套系统中的工作面偏离对线形光斑分布影响不明显,远心系统的长轴匀化光斑对工作面位置的大幅度变化不敏感。基于透镜阵列,加工并组装了一套非远心均匀照明系统;采用缩放法设计并集成了一套叁片式折射型大孔径、小视场投影镜头,以20:3的缩小倍率将视场光阑处的短轴匀化光斑投影于工件表面;此外,采用光斑转换模块使原始光束的截面横纵倒置,采用激光扩束模块对原始光束的短轴进行准直,其扩束倍率亦可限定光束尺寸,以配合均束系统的孔径。某次对样机的测试结果表明,线形光束整形系统的能量传递效率约为33%,工件表面的线形光斑尺寸为100 mm×0.3 mm,部分长轴光斑的均匀度可达到93.95%,平均能量密度可达到520 mJ·cm 2。采用线形光斑对大尺寸非晶硅薄膜进行退火处理,研究了线形光斑的能量密度、辐照脉冲数量对薄膜晶化程度的影响,讨论了制备的大尺寸多晶硅薄膜的晶化体积分数及均匀性。实验结果表明,薄膜晶化的阈值为194mj·cm-2;薄膜的晶化体积分数随能量密度先线性增大,再缓慢减小,线性增长因子约为0.3,当能量密度为432 mJ·cm-2时,晶化程度最优;当辐照脉冲数超过20次时,薄膜的晶化体积分数维持稳定;当光斑搭接率为93.7%时,制备的大尺寸多晶硅薄膜右侧区域的晶化体积分数为92.26%,相对标准差为1.56%。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-06-01）
赵子文,茅煜季哲,程雪丽,陈娜,董艳华[3]（2018）在《锗芯光纤的CO_2激光退火温场分布仿真》一文中研究指出用有限元软件COMSOL Multiphysics对锗芯光纤的CO_2激光退火温场分布进行仿真,比较了不同的光纤轴向移动速度和激光功率对锗芯光纤加热区温场分布的影响,初步得出了在不同光纤轴向移动速度条件下对应的较合适的激光功率.对于内径和外径分别为80μm和300μm的锗芯光纤,当轴向移动速度为4 mm/s、8 mm/s、12 mm/s、16 mm/s、20 mm/s时,对应较合适激光功率分别为1.5 W、2.0 W、2.5 W、3.5 W、4.0 W.该仿真工作为CO_2激光退火优化锗芯光纤性能实验提供了理论依据.(本文来源于《应用科学学报》期刊2018年03期）
郭卫,孔德军[4]（2018）在《激光退火对1Cr5Mo钢焊接接头热拉伸性能的影响》一文中研究指出利用CO_2激光对1Cr5Mo耐热钢焊接接头进行退火处理,通过拉伸实验分析温度对激光退火前后试样热拉伸性能的影响。采用扫描电镜观察激光退火前后晶粒变化情况、断裂形式和断口形貌,并通过X射线应力仪测定激光退火前后焊接接头表面残余应力状态。结果表明:在200℃时激光退火后试样的屈服强度、抗拉强度和伸长率比原始试样分别提高了32.5%,22.5%和4.6%,而在300℃时激光退火后试样的屈服强度、抗拉强度和伸长率比原始试样仅分别提高了6.6%,6.5%和7.5%;激光退火前后试样拉伸断口均为韧性断口,但激光退火后试样的韧窝尺寸大于原始试样,随着温度升高,韧窝尺寸进一步增大;激光退火后试样表面产生的晶粒细化和残余压应力是热拉伸性能提高的主要因素。(本文来源于《材料工程》期刊2018年02期）
任乃飞,曹海迪,黄立静,李保家,祖伟[5]（2017）在《超声振动辅助激光退火对FTO薄膜光电性能的影响》一文中研究指出在激光退火处理掺氟二氧化锡(FTO)透明导电薄膜过程中引入超声振动,研究了超声振动辅助激光退火对FTO薄膜晶体结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:与未施加超声振动时相比,该方法可使薄膜上下位移而引起激光聚焦状态发生连续变化,由此保证薄膜处于最佳退火范围内,同时还可使薄膜表面激光熔融区域的颗粒被振动分散,由此抑制颗粒团聚,提高颗粒分布的均匀性和致密度,最终有效地改善薄膜的光电性能。当振动功率为300 W时,薄膜表面结构最为均匀、致密和平整,此时光电性能达到最佳,它在400~800 nm波段的平均透光率为84.7%,方块电阻为9.0?/。(本文来源于《无机材料学报》期刊2017年10期）
张璐,王一森,李成,陈松岩,黄巍[6]（2017）在《利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜》一文中研究指出采用磁控溅射的方法在柔性PI薄膜上生长出非晶GeSn薄膜,利用脉冲激光退火晶化为多晶GeSn薄膜。制备出了结晶性好,表面形貌较好且Sn偏析现象少的GeSn薄膜。(本文来源于《第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集》期刊2017-05-25）
姜魁经,刘宏,吕媛媛,王朋[7]（2016）在《激光退火工艺对化学沉积Ni-Mo-P镀层组织及硬度的影响》一文中研究指出目的研究两种激光退火工艺(线光斑无搭接扫描、圆光斑搭接扫描)对非晶态结构的Ni-4.6Mo-12.4P镀层晶化组织特征及硬度的影响。方法在Q235钢基体上化学沉积Ni-Mo-P镀层,然后用两种激光工艺对其进行热处理。通过XRD测试并结合Jade软件定量分析镀层晶化程度、结晶相质量分数及其晶粒尺寸,利用SEM/EDS确定镀层的成分及表面形貌,采用纳米压痕技术对镀层进行硬度测试,最后对两种激光工艺进行对比。结果 Ni-Mo-P镀层在线光斑扫描速度低于12 mm/s、圆光斑扫描速度低于10 mm/s时,发生Ni_3P晶化反应,同时伴有Ni-Mo固溶体形成。Ni_3P相的晶粒尺寸大于Ni/Ni-Mo相尺寸,但扫描速度为6 mm/s时,Ni/Ni-Mo相尺寸大于Ni_3P相尺寸。扫描速度相同时,线光斑扫描镀层比圆光斑扫描镀层获得更高的晶化程度和Ni_3P质量分数,而线光斑扫描的Ni_3P相尺寸小于圆光斑扫描的尺寸。扫描速度为6~10 mm/s时,除扫描速度10 mm/s外,线光斑扫描镀层的硬度较高。结论能量密度高的线光斑无搭接扫描比能量密度低的圆光斑搭接扫描更有利于Ni_3P相的析出,而圆光斑搭接扫描易于Ni_3P相尺寸的长大。镀层的硬度主要受Ni_3P相的尺寸及其质量分数的影响。(本文来源于《表面技术》期刊2016年10期）
刘敏,何志,钮应喜,王晓峰,杨霏[8]（2016）在《激光退火形成Ni/4H-SiC欧姆接触》一文中研究指出脉冲激光退火具有热积存小、高温影响深度浅等优点,用来制备Si C欧姆接触可以忽略高温对衬底背面结构的影响,更好地与减薄工艺兼容,从而提高器件性能。借助波长为532 nm的固态Nd∶YAG激光器退火Ni/4H-Si C结构,分析了激光脉冲能量与脉冲个数对欧姆接触的影响。实验表明,激光脉冲能量对于Ni/4H-Si C欧姆接触的形成起主要作用,只有脉冲能量高于1.8 J/cm2的激光束才有可能形成欧姆接触。对于能量过小的激光脉冲,即使增加脉冲个数也无法形成欧姆接触。当激光脉冲能量为2.3 J/cm2,脉冲数为60个时可形成良好的欧姆接触,比接触电阻为4.8×10-5Ω·cm2。当激光脉冲能量为3.6 J/cm2时,单脉冲就可实现欧姆接触,比接触电阻为7.0×10-5Ω·cm2。脉冲数越少、脉冲能量越高的激光退火方式总能量消耗相对较少、能效较高。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年09期）
黄志伟,易孝辉,毛亦琛,林光杨,李成[9]（2016）在《激光退火改善Si上外延Ge晶体质量》一文中研究指出由于Si和Ge有着高达4.2%的晶格失配度,在Si衬底上外延低位错密度的Ge仍然是一个很大的挑战。为了在Si衬底上异质外延出高质量的Ge层,文献报道了许多方法和技术[1-3],其中低温Ge缓冲层技术由于工艺简单,过渡层薄,材料表面平整,成为目前Si基Ge材料生长的主要方法.然而基于低温Ge缓冲层外延的Si基Ge材料的位错密度仍然偏高,传统的循环退火过程虽然可以减小位错,但会引起Si-Ge界面互扩散,从而影响Ge薄膜其他特性[4]。不同于传统的退火方式,激光退火退火时间极短,能有效的避免退火过程Ge和Si的互扩散,而且可以选择性的对特定的区域进行处理,忽略对周围区域的影响。本文利用UHV/CVD系统制备样品.第一组样品采用了低温生长的方法(310oC)在Si上外延了约90nm的Ge。然后选用不同能量密度的激光对样品进行退火。为了进行比较,同时也采用了快速热退火对样品进行处理。第二组样品采用了两步生长的方法,在低温外延90nm Ge的基础上高温(600oC)外延了280nm的Ge,其Ge层厚度共370nm,然后选用不同能量密度的激光对样品进行退火.低温外延Ge的X射线衍射(XRD)测试结果表明,激光退火可以提高Si上外延Ge的结晶度,且效果优于传统的快速热退火(图1(a))。对于基于低温Ge缓冲层生长的370nm外延Ge,激光退火后样品的结晶度得到改善(图1(b)),透射电镜(TEM)测试结果表明激光退火后Si基外延Ge薄膜的位错密度有所降低(图1(c)),原子力显微镜(AFM)测试显示选择合适能量密度的激光有利于外延Ge表面的平整化(图2)。(本文来源于《第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集》期刊2016-06-16）
赵杉月[10]（2016）在《激光退火对氧化锌薄膜压敏电阻性能影响的研究》一文中研究指出ZnO系压敏陶瓷广泛应用于高压领域的避雷器和低压领域的电路保护中,涵盖了各行各业的电力电子设备。近年来,电子技术迅猛发展,电子元件集成度提高,电子设备对电压的变化越来越敏感,因为静电、浪涌等因素,设备受到破坏或发生误操作的概率也大大提高,起到稳压和过压保护作用的压敏元件有着广泛应用前景,其可靠性和制备工艺也有着更高要求。本文采用自制靶材,通过磁控溅射法制备ZnO薄膜压敏电阻,并分别采用传统退火和激光退火对其进行后续处理,总结以上实验研究,得出了一些有意义的成果。1、在成型压力为40MPa,烧结温度为950℃时,制备的ZnO基陶瓷靶材致密度最高,断面气孔较少,晶粒尺寸约为4-6μm,靶材中主要包括ZnO主晶相、Bi2O3相和Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相。2、选用Ti作为电极材料,能够保证电极在后续的退火和激光退火处理中性能稳定。当溅射功率为300w时薄膜表面粗糙度达到最小值18.4nm,表面较为平整,得到的薄膜为非晶态,随着磁控溅射功率增大,薄膜出现了一定的晶化效果,且越来越明显。3、退火可以使非晶薄膜结晶,当退火温度达到850℃以上,薄膜晶粒饱满、均匀、致密,退火效果较好。氧化铋的熔点为825℃,在这附近,Bi2O3可以熔化,在ZnO晶界处形成富集相,而温度过高时,Bi元素挥发较严重,造成薄膜电学性能下降。退火温度为850℃时薄膜电学性能最好,此时样品的压敏电压为4.63V,非线性系数为13.89。4、采用能量密度和扫描速度适中的激光对ZnO薄膜进行辐照处理能够获得较好的退火效果,激光作用区域内的薄膜晶粒通过再结晶过程长大,激光辐照后薄膜中Bi元素含量没有明显变化,解决了炉内退火过程中Bi元素在温度过高时挥发严重的问题。激光退火的最佳工艺参数为扫描速度10mm/s,能量密度0.89J/cm2,此时薄膜C轴取向最好,样品的压敏电压为3.53V,非线性系数为18.93。(本文来源于《江苏大学》期刊2016-06-01）
激光退火论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
准分子激光退火设备是高端有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器的工业生产中的核心设备之一,利用该设备可以对大尺寸基板上的非晶硅薄膜进行高效、高质量地晶化,从而大幅提高显示器的性能,然而,该设备牵涉到准分子激光器、光束整形等领域的前沿技术,研发难度大。目前,仅美国的相干公司等少数机构有能力提供高性能的商品化准分子激光退火设备,而国内该设备完全依赖于进口。准分子激光退火设备建立于大能量、高重频激光技术及均匀照明等众多关键技术之上,对这些技术展开攻关,使该设备国产化,对我国显示产业的发展具有重要意义。论文以基于薄膜晶体管像素开关的液晶显示技术及有机发光二极管显示技术为出发点,首先概述了激光退火工艺,然后重点介绍了准分子激光退火设备涉及到的大体积均匀放电、高压快脉冲激励、光斑匀化、微缩投影、线形光斑监测等单元技术;对上述若干单元技术开展研究,并集成线形光束扫描退火设备原理性样机;最后采用样机输出的线形光斑对大面积非晶硅薄膜进行退火,以验证样机的技术路线和设计方法的正确性,并研究过程参数对薄膜晶化质量的影响。设计并组装了一套高压快脉冲激励系统,激励回路采用了基于氢闸流管的反转倍压结构和基于磁脉冲压缩开关的能量转移结构,最终获得了峰值电压为42 kV,上升沿为100 ns的激励脉冲。采用张氏理论设计并加工了一套用于大体积均匀放电的电极,结合基于火花放电的预电离结构,对XeCl工作气体进行抽运,其中激活区长度为510 mm,电极间距为30 mm,电场不均匀度为27.8%。对于作气体组分对脉冲能量的影响进行了实验研究,当采用Ne气作为缓冲气体,HC1和Xe的含量分别为0.11%和2.86%,且总气压为2800 mbar时,可以获得440 mJ的308 nm激光单脉冲能量;输出的激光近场光斑呈矩形,长轴宽度约为30 mm,短轴宽度约为13 mm。分别采用几何光学与波动光学的理论对透镜阵列的激光光斑匀化作用进行了分析。提出了一种线形光束整形系统的设计方法,首先依据工况需求对短轴投影镜头进行设计;然后采用匀化尺寸、远心照明、照明孔径角、一对一原则对短轴、长轴均束系统进行约束,以期获得合理的系统参数;最后根据均束系统的要求,求解扩束或缩束系统的参数。采用上述方法分别设计了远心和非远心照明的两套线形光束整形系统,对比分析了系统结构,分析结果表明,远心系统的大部分器件具有与线形光斑相仿的长度,且系统总长度大,器件加工与系统装调难度高。结合光学设计和仿真软件,讨论了阵列单元中心偏差、工作面的偏移等关键参数对线形光斑质量的影响,结果表明,在±0.3 mm范围内,两套系统中的工作面偏离对线形光斑分布影响不明显,远心系统的长轴匀化光斑对工作面位置的大幅度变化不敏感。基于透镜阵列,加工并组装了一套非远心均匀照明系统;采用缩放法设计并集成了一套叁片式折射型大孔径、小视场投影镜头,以20:3的缩小倍率将视场光阑处的短轴匀化光斑投影于工件表面;此外,采用光斑转换模块使原始光束的截面横纵倒置,采用激光扩束模块对原始光束的短轴进行准直,其扩束倍率亦可限定光束尺寸,以配合均束系统的孔径。某次对样机的测试结果表明,线形光束整形系统的能量传递效率约为33%,工件表面的线形光斑尺寸为100 mm×0.3 mm,部分长轴光斑的均匀度可达到93.95%,平均能量密度可达到520 mJ·cm 2。采用线形光斑对大尺寸非晶硅薄膜进行退火处理,研究了线形光斑的能量密度、辐照脉冲数量对薄膜晶化程度的影响,讨论了制备的大尺寸多晶硅薄膜的晶化体积分数及均匀性。实验结果表明,薄膜晶化的阈值为194mj·cm-2;薄膜的晶化体积分数随能量密度先线性增大,再缓慢减小,线性增长因子约为0.3,当能量密度为432 mJ·cm-2时,晶化程度最优;当辐照脉冲数超过20次时,薄膜的晶化体积分数维持稳定;当光斑搭接率为93.7%时,制备的大尺寸多晶硅薄膜右侧区域的晶化体积分数为92.26%,相对标准差为1.56%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
激光退火论文参考文献
[1].马福帅.微纳器件激光退火工艺的优化和探索[D].山东大学.2019
[2].尹广玥.准分子激光退火设备关键技术研究[D].中国科学技术大学.2018
[3].赵子文,茅煜季哲,程雪丽,陈娜,董艳华.锗芯光纤的CO_2激光退火温场分布仿真[J].应用科学学报.2018
[4].郭卫,孔德军.激光退火对1Cr5Mo钢焊接接头热拉伸性能的影响[J].材料工程.2018
[5].任乃飞,曹海迪,黄立静,李保家,祖伟.超声振动辅助激光退火对FTO薄膜光电性能的影响[J].无机材料学报.2017
[6].张璐,王一森,李成,陈松岩,黄巍.利用脉冲激光退火在柔性基底上制备多晶GeSn薄膜[C].第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集.2017
[7].姜魁经,刘宏,吕媛媛,王朋.激光退火工艺对化学沉积Ni-Mo-P镀层组织及硬度的影响[J].表面技术.2016
[8].刘敏,何志,钮应喜,王晓峰,杨霏.激光退火形成Ni/4H-SiC欧姆接触[J].半导体技术.2016
[9].黄志伟,易孝辉,毛亦琛,林光杨,李成.激光退火改善Si上外延Ge晶体质量[C].第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会论文摘要集.2016
[10].赵杉月.激光退火对氧化锌薄膜压敏电阻性能影响的研究[D].江苏大学.2016
论文知识图
