论文摘要
与传统光源相比,基于GaN材料的发光二极管（LED）具有量子效率高、寿命长等优势,在通用照明、显示、医疗等领域中的应用份额稳步提升。然而受制于其材料特性与器件结构,GaN基LED在内量子效率与光提取效率方面仍有较大的提升空间。为解决以上关键问题,利用电子束曝光技术成功在GaN基LED表面的氧化铟锡（ITO）窗口层集成了光子晶体,并对光子晶体对于LED发光波长、电流-电压特性、发光强度等关键参数的调控进行了表征测量,结果表明,器件的法向电致发光强度提升了25%,器件的工作电压也有所降低。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 郭忠全,赵璇,郭颖
关键词: 发光二极管,光子晶体,电致发光,光提取效率
来源: 半导体技术 2019年09期
年度: 2019
分类: 信息科技,基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 物理学,化学,无线电电子学
单位: 济南历下控股集团有限公司,山东创宇环保科技有限公司
分类号: TN312.8;O734
DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.09.005
页码: 686-690
总页数: 5
文件大小: 1331K
下载量: 106
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