导读:本文包含了镍自对准硅化物工艺论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:自对准硅化物,硅化物桥,电阻率,转移曲线
镍自对准硅化物工艺论文文献综述
刘允,陈海峰[1]（2006）在《亚微米自对准硅化物工艺开发》一文中研究指出文章对亚微米自对准硅化物制造设备及工艺进行了详细的描述。文中以实际生产为目标, 以实验数据为依据,对影响自对准硅化物薄膜特性的各项工艺参数进行调试和论证,找出合适的RTP1 温度,并开发出适合自对准硅化物薄膜的工艺标准。(本文来源于《电子与封装》期刊2006年03期）
王大海,万春明,徐秋霞[2]（2004）在《自对准硅化物工艺研究》一文中研究指出对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析。结果表明,随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不断提高,常规Ti和Co的自对准硅化物工艺已经不能满足器件特征尺寸进一步缩小的需要;Ni的自对准硅化物工艺可以很好地满足超深亚微米及纳米器件对硅化物的需求。(本文来源于《微电子学》期刊2004年06期）
王大海[3]（2003）在《适用于深亚微米CMOS器件的Ni自对准硅化物工艺的研究》一文中研究指出本论文对适用于深亚微米CMOS器件的镍自对准硅化物工艺进行了深入的研究。随着器件尺寸的进一步缩减，与传统的Ti、Co自对准硅化物相比，Ni自对准硅化物更能适用于CMOS器件对硅化物的要求。文中详细的阐述了采用Ni／Si和TiN／Ni／Si结构通过RTA在硅单晶<100>衬底上制备NiSi薄膜的方法。文中对Ni／Si和TiN／Ni／Si的热反应特性以及NiSi薄膜的形成规律进行了详细的研究。制备了优质的Ni硅化物浅结二极管。分析了Ni-Salicide浅结反向漏电流产生的机理，研究了不同的工艺条件对浅结反向漏电流的影响。在优化工艺的条件下，获得的镍自对准硅化物浅结的(对于结深为110nm的N~+P结)反向漏电流密度可以达到4.5E-8A/cm~2(V=5v)。实验结果表明，本工艺完全适用于超深亚微米CMOS器件甚至纳米器件对硅化物的要求。(本文来源于《长春理工大学》期刊2003-12-01）
王万业,徐征,刘逵[4]（2002）在《亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究》一文中研究指出自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进 ,有效地解决了问题。(本文来源于《微电子学》期刊2002年05期）
Y,H,Ku,S,K[5]（1995）在《离子束混合、掺杂硅化物及快速热处理在硅化物自对准工艺中的应用》一文中研究指出文中提出了一种应用于CMOS电路的硅化物工艺。该工艺中硅化物的形成运用了离子束混合技术，掺杂硅化物结合RTA推结实现硅化物浅结。并且也研究了与该工艺相关的一些主要问题。特别是：（1）离子束混合及RTA对Ti硅化物的特性及Ti／SiO2间的相互作用的影响；（2）自对准TiNxOy／TiSi2形成及相态转变；（3）RTA推结时杂质再分布、分凝和结形成的机理；（4）硅化物器件特性及可靠性。结果表明，该工艺在今后的VLSI技术中可起到重要作用。(本文来源于《微电子技术》期刊1995年06期）
镍自对准硅化物工艺论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对适用于深亚微米CMOS器件的各种自对准硅化物工艺进行了讨论,并对不同硅化物薄膜的特性进行了分析。结果表明,随着大规模集成电路特征尺寸的不断缩减及其对器件性能要求的不断提高,常规Ti和Co的自对准硅化物工艺已经不能满足器件特征尺寸进一步缩小的需要;Ni的自对准硅化物工艺可以很好地满足超深亚微米及纳米器件对硅化物的需求。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
镍自对准硅化物工艺论文参考文献
[1].刘允,陈海峰.亚微米自对准硅化物工艺开发[J].电子与封装.2006
[2].王大海,万春明,徐秋霞.自对准硅化物工艺研究[J].微电子学.2004
[3].王大海.适用于深亚微米CMOS器件的Ni自对准硅化物工艺的研究[D].长春理工大学.2003
[4].王万业,徐征,刘逵.亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究[J].微电子学.2002
[5].Y,H,Ku,S,K.离子束混合、掺杂硅化物及快速热处理在硅化物自对准工艺中的应用[J].微电子技术.1995