导读:本文包含了受主杂质论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:杂质,施主,量子,陶瓷,电阻率,钛酸钡,氮化物。
受主杂质论文文献综述
雷莉萍[1]（2019）在《应变Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能及压力效应》一文中研究指出在有效质量近似下,采用变分理论研究了流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能,理论推导了杂质态结合能的表达式,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、A1组分以及流体静压力的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分析。结果表明:受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸、Al组分以及压力的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能要大;该结构中的核尺寸对受主和施主杂质态结合能的影响要远大于壳尺寸的影响。考虑应变效应后,对上述问题进行了进一步的理论研究,分析对比了施主杂质和受主杂质的结合能。结果表明:应变下施主杂质与受主杂质的结合能随核尺寸的增大而单调减小,随着壳尺寸的增大先减小后增大。受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能小,指出应变效应是明显的。最后,我们分析对比了有无应变时结合能的变化情况,并发现随着核半径的越来越大,应变后的结合能要明显高于无应变下的结合能。且应变效应逐渐变弱,所以有无应变时结合能间的差别越来越不明显;随着壳尺寸的越来越大,结合能较无应变时要大。随着核半径的逐渐增大,应变效应逐渐增强,所以有无应变时结合能间的差别越来越明显。(本文来源于《内蒙古农业大学》期刊2019-06-01）
雷莉萍,石磊,闫祖威[2]（2019）在《压力下Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能》一文中研究指出采用变分法从理论上对流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能进行了研究,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、Al组分以及压强的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分析.结果表明:该结构中的核尺寸对杂质态的结合能影响要远大于壳尺寸对结合能的影响;受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸、Al组分以及压强的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能要大.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2019年02期）
李昆,史冰川,董俊,黄磊,亢若谷[3]（2016）在《直拉硅单晶制备中来自于石英坩埚的受主杂质污染定量分析》一文中研究指出半导体硅单晶制备中一般要求掺入一定量的杂质以控制其电阻率。但是,由于坩埚受熔体侵蚀引入杂质污染,影响硅棒的实际电阻率,降低产品合格率。特别对于连续拉晶过程中,长时间的熔体侵蚀造成硅棒尾部杂质含量急剧升高。讨论了由于石英坩埚中受主杂质污染对硅单晶棒电学性能的影响,并对杂质渗入量进行了定量分析。结果表明,随着晶体生长时间的延长,石英坩埚的Ba涂层被破坏,杂质的渗入速率快速增加。试验中杂质总渗入量超过700μg。(本文来源于《云南冶金》期刊2016年02期）
房丽敏[4]（2006）在《施、受主杂质（铌、锰）共掺BaTiO_3陶瓷的PTC效应微观机理研究》一文中研究指出钛酸钡(BaTiO_3)是一种具有钙钛矿(ABO_3)结构的介电材料，在电子器件方面有广泛的应用。纯净的钛酸钡具有较高的室温电阻率，但是适量的掺杂物可以将提高电阻率。经过适当的掺杂的钛酸钡多晶体或陶瓷材料，在居里温度以上电阻率急剧增大，这一现象就是正温度系数效应，已应用于热敏电阻。对这些复杂特征物理机制的解释，引起了人们极大的研究兴趣。 本文首先回顾了微波烧结技术的研究概况和PTCR陶瓷材料的发展动态，介绍了微波烧结技术的特点、国内外在此领域的研究进展及应用、PTCR陶瓷材料的特性和应用、分类等，详细阐述了微波烧结技术的机理、BaTiO_3基复合物PTC效应的理论模型；其次，通过对微波烧结陶瓷材料的烧结时间、晶粒尺寸、相对密度等与传统烧结方法进行对比，得出微波烧结技术不同于传统烧结方法的特点：简单、快捷、节省能量，可以有效抑制晶粒生长，使晶粒有更好的韧性和延展性；再次，我们分析了Jahn-Teller效应与BaTiO_3陶瓷材料结构相变的联系，将顺电相到铁电相这个复杂的相变问题简化。最后，研究了施、受主杂质(铌、锰)共掺BaTiO_3陶瓷的PTC效应微观机理，通过对样本的阻温特性和XRD分析，我们认为用Heywang模型和铁电自发极化效应可以很好的解释PTC效应。此外，我们还提出了今后对于BaTiO_3陶瓷材料一些可行的研究设想。(本文来源于《云南师范大学》期刊2006-05-08）
黄平,田玉明,冷叔[5]（2001）在《施受主杂质Nb,Mn共掺BaTiO_3陶瓷的制备方法及其PTC特性》一文中研究指出采用固相法制备施主杂质 Nb和受主杂质 Mn共掺的 Ba Ti O3 陶瓷 ,应用固体物理的无序系统理论解释了 Ba Ti O3 陶瓷的半导化机理 ,并以此为指导选择了较合适的施主 Nb的掺杂量。讨论了受主杂质 Mn的摩尔浓度与陶瓷 PTC性能的关系(本文来源于《太原理工大学学报》期刊2001年01期）
赵九蓬,张洪喜,韩杰才[6]（1999）在《施受主杂质La、Mn共掺BaTiO_3陶瓷PTC特性的研究》一文中研究指出采用溶胶－凝胶法制备施主杂质Ｌａ和受主杂质Ｍｎ均相共掺ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷。掺杂过程中以Ｌａ、Ｍｎ的硝酸盐水溶液代替醇盐实现均相掺杂，改善组分均匀性。讨论了受主杂质Ｍｎ的浓度与陶瓷ＰＴＣ性能的关系，并结合ＸＰＳ测量结果，对其影响ＰＴＣ效应的微观机制进行了探讨(本文来源于《功能材料》期刊1999年02期）
龚树萍,曾少敏,付明,周东祥[7]（1995）在《BaTiO_3半导瓷材料中施受主杂质互补作用的研究》一文中研究指出对施主掺杂而言，在缺位补偿区，引入高受主掺杂可使材料的常温电阻率随受主杂质的引入量增加呈Ｕ型曲线变化，同时晶粒尺寸随之单调上升。这是由于受主杂质的引入利于产生氧空位，导致钡空位浓度下降的结果。(本文来源于《电子元件与材料》期刊1995年03期）
智宇,陈昂,张绪礼,周国良,王筱珍[8]（1993）在《受主杂质Mn对(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC热敏陶瓷的影响》一文中研究指出本文研究了(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC半导体陶瓷中半导化与其烧结工艺、铅空位、钡空位和施、受主杂质等相互之间的关系。着重分析讨论了引入受主杂质Mn对材料的半导化的影响,并采用复合缺陷模型自洽地解释了实验现象。(本文来源于《浙江大学学报(自然科学版)》期刊1993年01期）
刘晓,江炳熙,林秀华,廖远琰,袁路娃[9]（1989）在《等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移》一文中研究指出本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的变化关系以及与GaP∶(Bi)材料的实验结果比较,为这一能量转移过程提供了进一步的论据.(本文来源于《半导体学报》期刊1989年02期）
肖金才,俞志毅,陆卫,叶红娟,张继昌[10]（1988）在《用傅里叶变换光谱仪同时测定半导体浅施主和浅受主杂质浓度的装置》一文中研究指出报道了一个与Nicolet 200SXV傅里叶变换光谱仪联用的可同时测定半导体样品中浅施主和浅受主杂质浓度的实验装置,介绍了用该装置同时测定硅样品中杂质硼和磷浓度的实验。(本文来源于《红外研究(A辑)》期刊1988年03期）
受主杂质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用变分法从理论上对流体静压力下AlxGa1-xN/GaN量子点-量子阱结构中的施主与受主杂质态的结合能进行了研究,数值计算了该结构中杂质态结合能随核尺寸、壳尺寸、Al组分以及压强的变化情况,并对施主杂质和受主杂质的结合能进行了对比分析.结果表明:该结构中的核尺寸对杂质态的结合能影响要远大于壳尺寸对结合能的影响;受主杂质与施主杂质基态结合能随体系尺寸、Al组分以及压强的变化趋势类似,但受主杂质比施主杂质基态结合能要大.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
受主杂质论文参考文献
[1].雷莉萍.应变Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能及压力效应[D].内蒙古农业大学.2019
[2].雷莉萍,石磊,闫祖威.压力下Al_xGa_(1-x)N/GaN量子点-量子阱中施主与受主杂质态的结合能[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2019
[3].李昆,史冰川,董俊,黄磊,亢若谷.直拉硅单晶制备中来自于石英坩埚的受主杂质污染定量分析[J].云南冶金.2016
[4].房丽敏.施、受主杂质（铌、锰）共掺BaTiO_3陶瓷的PTC效应微观机理研究[D].云南师范大学.2006
[5].黄平,田玉明,冷叔.施受主杂质Nb,Mn共掺BaTiO_3陶瓷的制备方法及其PTC特性[J].太原理工大学学报.2001
[6].赵九蓬,张洪喜,韩杰才.施受主杂质La、Mn共掺BaTiO_3陶瓷PTC特性的研究[J].功能材料.1999
[7].龚树萍,曾少敏,付明,周东祥.BaTiO_3半导瓷材料中施受主杂质互补作用的研究[J].电子元件与材料.1995
[8].智宇,陈昂,张绪礼,周国良,王筱珍.受主杂质Mn对(Ba,Pb)TiO_3系高温PTC热敏陶瓷的影响[J].浙江大学学报(自然科学版).1993
[9].刘晓,江炳熙,林秀华,廖远琰,袁路娃.等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移[J].半导体学报.1989
[10].肖金才,俞志毅,陆卫,叶红娟,张继昌.用傅里叶变换光谱仪同时测定半导体浅施主和浅受主杂质浓度的装置[J].红外研究(A辑).1988
论文知识图
