导读:本文包含了极紫外投影光刻论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:光刻,光学,物镜,反射,模模,时域,光学系统。
极紫外投影光刻论文文献综述
刘菲[1]（2014）在《共轴极紫外投影光刻物镜设计研究》一文中研究指出极紫外光刻技术是具有很好发展前景的下一代光刻技术。投影曝光系统是极紫外光刻系统的核心组成部分。极紫外光刻投影物镜和照明系统设计是极紫外光刻技术研究的重要内容之一，对我国的半导体制造设备的研制具有重要意义和作用。本文在极紫外光刻投影物镜的初始结构设计方法、非球面结构成像系统优化方法、极紫外光刻照明系统的初始建模与优化等方面开展了深入的研究。利用本文建立的设计方法，设计了多套极紫外光刻机成像系统。利用本文建立的优化设计方法，优化后的成像系统，具有接近衍射极限分辨率和很好的成像质量。建立了极紫外光刻投影物镜的初始结构分组设计的方法和人机交互设计程序。针对现有设计方法存在的计算量大，搜索速度慢，搜索不全面，普遍适用性和灵活性差,人机互动不良等不足，提出了全球面共轴反射投影物镜分组设计的方法和人机交互设计程序。分组设计方法将复杂投影物镜分为若干镜组，根据各镜组的光路特点、反射镜结构和系统结构参数的特征，选取适当的计算条件，分别计算各组反射镜的结构参数；然后通过物像匹配和光瞳匹配规则进行衔接，进而得到全光路无遮拦或中心遮拦较小的共轴全球面初始结构设计。这一方法将人工设计和计算机自动搜索过程相结合，运算耗时短，计算和搜索过程直观可控，能够在短时间内给出大量备选的初始结构设计。应用本文建立的共轴全球面初始结构设计方法和人机交互设计程序，设计了多种六枚反射镜、八枚反射镜，以及十枚反射镜构成的成像物镜的初始结构，对应的数值孔径在0.3~0.7范围内。详细和具体地实施了分组设计的方法，研究确定了物镜中每个镜组的结构参数取值范围和多种参数组合、选取出适当的镜组结构衔接、得到了多种满足给定系统参数要求的全球面初始结构。同时，提出了初始结构的微调优化方法，通过对结构参数实施人工判断和程序自动步进微调，实现更为紧凑、平衡、合理的光路结构。建立了将全球面初始结构转化为非球面镜系统的参数渐进优化方法。渐进优化方法基于阻尼最小二乘法，从小数值孔径和低次非球面系数逐步优化投影物镜，分类、分次加入优化控制条件，操作简单，保证了优化速度，易于掌握和实现。本文使用渐进优化方法，对部分结构较为合理的全球面系统加入非球面系数进行了优化，并对优化后的非球面成像系统进行了成像质量分析，其系统达到衍射极限分辨率时，获得了很好的成像质量，即有效控制了畸变和成像均匀性，各项成像指标符合产业化极紫外光刻光学系统的光学设计要求。建立了逆向设计方法并设计了传统照明方式的极紫外光刻照明系统。提出从投影物镜方向开始对极紫外光刻照明系统进行建模。首先设定和计算出中继镜组及复眼组的空间位置，使之与常用的极紫外光源的尺寸和发散角等参数相匹配，然后对复眼进行对位和排布，从获得照明性能良好的极紫外照明系统。利用复眼对位的微调方法能够进一步对照明均匀性进行优化，从而保证极紫外光刻所需的掩模面照明性能。逆向设计方法能够很好地对任意给定的投影物镜物方视场和入瞳参数进行匹配，光能利用率高，设计速度快。(本文来源于《北京理工大学》期刊2014-06-01）
曹宇婷,王向朝,步扬,刘晓雷[2]（2012）在《极紫外投影光刻掩模阴影效应分析》一文中研究指出极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模(物方)最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模(物方)焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移;基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正,以目标CD为22nm的线条图形为例,入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3nm,但当目标CD继续减小时理论公式误差增大,需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。(本文来源于《光学学报》期刊2012年08期）
曹宇婷,王向朝,步扬[3]（2012）在《极紫外投影光刻接触孔掩模的快速仿真计算》一文中研究指出采用一个极紫外投影光刻掩模衍射简化模型实现了叁维接触孔掩模衍射场的快速仿真计算。基于该模型,得到了接触孔掩模衍射场分布的解析表达式,并对光刻成像时的图形位置偏移现象进行了解释和分析。简化模型中,掩模包括吸收层和多层膜两部分结构,吸收层的透射利用薄掩模修正模型进行计算,多层膜的反射近似为镜面反射。以周期44nm、特征尺寸分别为16nm和22nm的方形接触孔为例,入射光方向发生变化时,该简化模型与严格仿真相比,图形特征尺寸误差小于0.4nm,计算速度提高了近100倍。此外,考虑到多层膜镜面位置对图形位置偏移量的影响,得到了图形位置偏移量的计算公式,其计算结果也与严格仿真相一致。(本文来源于《光学学报》期刊2012年07期）
曹宇婷,王向朝,邱自成,彭勃[4]（2011）在《极紫外投影光刻掩模衍射简化模型的研究》一文中研究指出建立一个计算极紫外投影光刻掩模衍射场的简化模型,在该简化模型中通过对入射光场进行追迹推导衍射场分布的解析表达式。简化模型中的掩模包括多层膜结构和吸收层结构两部分。多层膜结构的衍射近似为镜面反射。吸收层结构的衍射利用薄掩模修正模型进行分析,即将吸收层等效为位于某等效面上的薄掩模,引入边界点脉冲描述边界衍射效应,通过确定等效面的位置和边界点脉冲的振幅和相位,对经过吸收层的几何光波进行修正。吸收层结构的薄掩模修正模型能够用于计算斜入射角在12°范围内变化时,11nm及其以上节点的密集线条的衍射场。以计算6°角斜入射、22nm密集线条的掩模衍射场为例,该掩模简化模型与严格仿真计算结果相一致。(本文来源于《光学学报》期刊2011年04期）
刘菲,李艳秋[5]（2011）在《大数值孔径产业化极紫外投影光刻物镜设计》一文中研究指出极紫外光刻技术(EUVL)是半导体制造实现22 nm及以下节点的下一代光刻技术,高分辨投影物镜的设计是实现高分辨光刻的关键技术。为设计满足22 nm产业化光刻机需求的极紫外光刻投影物镜,采用6枚高次非球面反射镜,像方数值孔径达到0.3,像方视场宽度达到1.5 mm。整个曝光视场内的平均波像差均方根值(RMS)为0.0228λ,不采用任何分辨率增强技术的情况下,75 nm光学成像的焦深内,25 nm分辨力的光学调制传递函数(MTF)大于45%。在部分相干因子为0.5~0.8的照明条件下,畸变小于1.6 nm,线宽变化小于1.6%。物面到像面的距离为1075 mm,像方工作距大于30 mm。该物镜结合离轴照明或相移掩模等分辨率增强技术,能够在更大的焦深内实现22 nm光刻分辨率的光刻胶成像,满足半导体制造中22 nm节点技术对产业化极紫外光刻物镜的需求。(本文来源于《光学学报》期刊2011年02期）
王丽萍[6]（2010）在《极紫外投影光刻光学系统》一文中研究指出极紫外光刻(EUVL)是半导体工业实现32～16nm技术节点的候选技术,而极紫外曝光光学系统是EUVL的核心部件,它主要由照明系统和微缩投影物镜组成。本文介绍了国内外现有的EUVL实验样机及其系统参数特性;总结了EUVL光学系统设计原则,分别综述了EUVL投影光学系统和照明光学系统的设计要求;描述了EUVL投影曝光系统及照明系统的设计方法;重点讨论了适用于22nm节点的EUVL非球面六镜投影光学系统,指出了改善EUVL照明均匀性的方法。(本文来源于《中国光学与应用光学》期刊2010年05期）
杨雄,邢廷文[7]（2009）在《极紫外投影光刻物镜设计》一文中研究指出极紫外投影光刻用14 nm波长的电磁辐射,可以在实现高分辨率的同时保持相对较大的焦深,有希望成为制造超大规模集成电路的下一代光刻技术。极紫外投影光刻工作于步进扫描方式,采用全反射、无遮拦、缩小的环形视场投影系统。无遮拦投影系统的初始结构设计困难且重要。介绍了一种近轴搜索方法,该方法引入了像方远心、物方准远心、固定放大率、Petzval条件和物像共轭关系等约束,通过计算确定第一面反射镜、最后一面反射镜、光阑所在反射镜的曲率,以及物距和像距。编写了近轴搜索程序,搜索出初始结构。从初始结构出发,优化得到两套物镜,一套由四反射镜组成的系统,数值孔径0.1,像方视场26 mm×1 mm,畸变10 nm,分辨率优于6000 cycle/mm。一套系统由六反射镜组成,数值孔径0.25,像方视场26 mm×1 mm,畸变3 nm,分辨率优于18 000 cycle/mm。(本文来源于《光学学报》期刊2009年09期）
王丽萍,金春水,张立超[8]（2007）在《极紫外投影光刻两镜微缩投影系统的光学设计》一文中研究指出极紫外投影光刻(EUVL)两镜微缩投影物镜通常采用Schwarzschild结构和平场结构。本文分析了这两种结构在EUVL不同发展阶段的设计特点,并依据有限距反射系统像差理论,从解析解出发,设计了两套平场两镜系统,分别用于对分辨力为70nm、无遮拦、环形视场扫描曝光系统及目前研制的EUVL32nm技术节点小视场曝光系统的研究。系统设计指标满足极紫外投影光刻要求。(本文来源于《光电工程》期刊2007年12期）
杨雄,金春水,张立超[9]（2006）在《极紫外投影光刻掩模的多层膜与照明误差》一文中研究指出讨论了极紫外投影光刻掩模的反射光谱随多层膜参量的变化,通过曲线拟合得到了峰值反射率、带宽和中心波长与多层膜粗糙度、材料比值以及周期厚度的9个函数关系·模拟了6镜极紫外投影光刻系统的反射光谱,并计算了晶圆片处的相对照明强度·分析了由掩模在晶圆片处引入的照明误差,给出了照明误差的合成公式·(本文来源于《光子学报》期刊2006年05期）
杨雄,金春水,姚志华,曹健林[10]（2005）在《粗糙度对极紫外投影光刻掩模的影响》一文中研究指出基于Nevot-Croce模型,计算了一系列具有粗糙界面的极紫外投影光刻掩模的反射光谱。通过拟合计算结果,得到了峰值反射率、带宽和中心波长与粗糙度的函数关系。根据光刻系统对照明均匀性的要求,讨论了在相同粗糙度变化范围内,分别由峰值反射率、带宽和中心波长引起的照明误差。结果表明,粗糙度对极紫外投影光刻掩模的峰值反射率影响最大。当掩模粗糙度为0.85±0.04nm时,峰值反射率将产生±0.9%的波动,并由此产生±1.5%的照明误差。为保证由峰值反射率导致的照明误差小于±1%,极紫外投影光刻掩模的粗糙度必须控制在±0.025nm以内。(本文来源于《光电工程》期刊2005年10期）
极紫外投影光刻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
极紫外(EUV)投影光刻掩模在斜入射光照明条件下,掩模成像图形位置和成像图形特征尺寸(CD)都将随入射光方向变化,即存在掩模阴影效应。基于一个EUV掩模衍射简化模型实现了掩模阴影效应的理论分析和补偿,得到了掩模(物方)最佳焦面位置和掩模图形尺寸校正量的计算公式。掩模(物方)焦面位置位于多层膜等效面上减小了图形位置偏移;基于理论公式对掩模图形尺寸进行校正,以目标CD为22nm的线条图形为例,入射光方向变化时成像图形尺寸偏差小于0.3nm,但当目标CD继续减小时理论公式误差增大,需进一步考虑掩模斜入射时整个成像光瞳内的能量损失和补偿。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
极紫外投影光刻论文参考文献
[1].刘菲.共轴极紫外投影光刻物镜设计研究[D].北京理工大学.2014
[2].曹宇婷,王向朝,步扬,刘晓雷.极紫外投影光刻掩模阴影效应分析[J].光学学报.2012
[3].曹宇婷,王向朝,步扬.极紫外投影光刻接触孔掩模的快速仿真计算[J].光学学报.2012
[4].曹宇婷,王向朝,邱自成,彭勃.极紫外投影光刻掩模衍射简化模型的研究[J].光学学报.2011
[5].刘菲,李艳秋.大数值孔径产业化极紫外投影光刻物镜设计[J].光学学报.2011
[6].王丽萍.极紫外投影光刻光学系统[J].中国光学与应用光学.2010
[7].杨雄,邢廷文.极紫外投影光刻物镜设计[J].光学学报.2009
[8].王丽萍,金春水,张立超.极紫外投影光刻两镜微缩投影系统的光学设计[J].光电工程.2007
[9].杨雄,金春水,张立超.极紫外投影光刻掩模的多层膜与照明误差[J].光子学报.2006
[10].杨雄,金春水,姚志华,曹健林.粗糙度对极紫外投影光刻掩模的影响[J].光电工程.2005
论文知识图
