论文摘要
氮化镓(Ga N)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想材料。受制于氮化镓单晶衬底的尺寸、产能及成本的影响,当前的Ga N基器件主要基于异质衬底(硅、碳化硅、蓝宝石等)制作而成,Ga N单晶衬底的缺乏已成为制约Ga N器件发展的瓶颈。近年来,国内外在Ga N单晶衬底制备方面取得了较大的进展。本文综述了氮化镓单晶生长的最新进展,包括氢化物气相外延法、氨热法和钠助熔剂法的研究进展,分析了各生长方法面临的挑战与机遇,并对氮化镓单晶材料的发展趋势进行了展望。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 任国强,王建峰,刘宗亮,蔡德敏,苏旭军,徐科
关键词: 氮化镓单晶,氢化物气相外延,氨热法,助熔剂法
来源: 人工晶体学报 2019年09期
年度: 2019
分类: 基础科学,工程科技Ⅰ辑
专业: 化学,无机化工
单位: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州纳维科技有限公司
基金: 国家自然科学基金(61574162,61604169),国家重点研发计划项目(2017YFB0404100)
分类号: O782;TQ133.51
DOI: 10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.09.004
页码: 1588-1598
总页数: 11
文件大小: 756K
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