温度猝灭论文_赵旺,平兆艳,郑庆华,周薇薇

导读:本文包含了温度猝灭论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译,主要关键词:荧光粉,温度,磷光,发射光谱,复合物,探针,吡啶。

温度猝灭论文文献综述

赵旺,平兆艳,郑庆华,周薇薇[1](2018)在《白光发光二极管用SrGdLiTeO_6:Eu~(3+)红色荧光粉的浓度猝灭和温度猝灭行为》一文中研究指出采用高温固相法成功合成出双钙钛矿结构SrGd_(1-x)LiTeO_6:xEu~(3+)(x=0.1-1.0)红色荧光粉,并采用X-射线衍射、漫反射光谱、光致发光光谱、电致发光光谱等测试手段对粉体的结构、光致发光特性以及发光二极管器件的光色电特性进行了系统研究.激发光谱、发射光谱和荧光衰减曲线测试结果表明Eu~(3+)的最佳掺杂浓度为x=0.6,更大的掺杂量会引起浓度猝灭.基于van Uitert浓度猝灭公式,提出一种更准确的表达形式用于拟合、分析能量传递类型,揭示出电偶极-电偶极作用导致浓度猝灭.Judd-Ofelt理论计算得出较高的跃迁强度参数和量子效率,说明高度畸变的非心C_1晶体场促使高效的超灵敏跃迁红光发射.在423 K时积分发光强度达到室温时的85.2%,热激活能经计算为0.2941 eV.基于此样品的发光二极管能够发出明亮的红光.综上所述,该类荧光粉表现出良好的发光效率、色纯度以及发光热稳定性,是一种潜在的近紫外激发白光发光二极管用红色荧光粉.(本文来源于《物理学报》期刊2018年24期)

颉信忠[2](2016)在《荧光粉的温度猝灭性质对WLED光参数的影响》一文中研究指出照明用白光LED大多数是由蓝光LED芯片激发黄色YAG∶Ce~(3+)系荧光粉得到。荧光粉的温度猝灭性质显着地影响WLED的光效和光色参数,通过利用LED加速老化与寿命测试系统,研究了用YAG∶Ce~(3+)系荧光粉制成的WLED在60 mA电流驱动下的变温亮度和500 h内的光色参数变化,结果表明温度会显着影响WLED的光效、光色参数。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2016年06期)

闫玲玲[3](2012)在《稀土掺杂温敏漆的制备及温度猝灭性能研究》一文中研究指出本文以叁氯化钌,稀土氯化物,联吡啶为原料制备了稀土掺杂联吡啶钌探针分子。将稀土掺杂的探针分子掺入到不同的基质(聚甲基丙烯酸甲酯和虫胶)中获得稀土掺杂的温敏漆样品。采用红外光谱、扫描电镜、能谱、吸收和荧光光谱等表征方法对探针分子及温敏漆的组成、形貌、吸收及荧光发射等性能进行了分析。红外光谱测试结果表明,探针分子中联吡啶的结构没有被破坏。扫描电镜观察发现,探针分子是片状晶体,隐约可见呈现六边形结构。能谱分析表明,稀土元素确实掺入到探针分子中。吸收光谱表明温敏漆的最佳吸收波段位于200-600nm范围内。选择410nm作为激发光源,发现温敏漆在600nm左右有很强的荧光发射峰,并且随着温度的升高温敏漆的荧光强度减弱,说明温敏漆有良好的温度猝灭特性。(本文来源于《长春理工大学》期刊2012-03-01)

董艳丽,孙晶,范薇,金光勇,李昌立[4](2011)在《发光温敏漆的制备及其温度猝灭特性研究》一文中研究指出以叁氯化钌、2-2联吡啶为主要原料,甲基丙烯酸甲酯为基质,制备了钌联吡啶/聚甲基丙烯酸甲酯发光温敏漆,并对其温度猝灭特性进行了研究。扫描电镜观察发现钌联吡啶为规则的层状六边形结构;差热-热重测试表明钌联吡啶在320℃发生分解。紫外吸收光谱分析发现,温敏漆的适合激发光波长区间为410~500 nm。荧光光谱测试结果表明温敏漆的发射波长为583nm,并且随着温度的升高,发光强度逐渐减弱,说明该温敏漆具有较好的温度猝灭特性。(本文来源于《光学与光电技术》期刊2011年06期)

褚明辉,刘学彦,吴庆,王健,蒋大鹏[5](2010)在《高掺杂Ce,Gd(Y_(3-x-y)Ce_xGd_y)Al_5O_(12)荧光粉的发光下降及温度猝灭特性》一文中研究指出采用高温固相法分别合成了不同Ce浓度掺杂的和固定Ce浓度为0.06不同Gd浓度掺杂的Y3Al5O12(YAG)系列荧光粉,通过测量其激发、发射光谱、漫反射光谱、荧光寿命和变温发射光谱,研究了掺杂元素的浓度对荧光粉发光性能的影响以及荧光粉发光的温度猝灭性质。研究结果表明:荧光粉发光强度随着Ce3+掺杂浓度和Gd3+掺杂浓度的提高均呈下降趋势。分析发现,荧光粉发光强度下降并非主要由浓度猝灭所引起,而是由于高浓度掺杂下发生YAG基质与Ce3+对激发光的竞争吸收,导致Ce3+对激发光的吸收量减少,从而影响发光强度。温度实验表明,随着温度的升高,荧光粉发光强度下降。Ce含量的改变对YAG:Ce荧光粉的热猝灭性质影响较小,Gd的掺杂使荧光粉的发射波长向长波方向移动,同时热猝灭现象严重。(本文来源于《无机化学学报》期刊2010年02期)

李慧娟,邵起越,董岩,蒋建清,梁超[6](2008)在《白光LED用YAG∶Ce~(3+)荧光粉的温度猝灭性质》一文中研究指出荧光粉的温度猝灭性质是影响白光LED的光效、光色参数和可靠性的关键因素之一。研究了不同激活剂浓度,不同元素掺杂的Y3-xCexAl5O12(YAG∶Ce3+)荧光粉在460nm光激发下的变温亮度和发射光谱。结果表明温度显着影响YAG∶Ce3+荧光粉的发光性能,随着温度的升高,发光强度下降,同时发射光谱红移。Ce含量为0.07(原子数分数)的YAG∶Ce3+荧光粉,150℃下亮度值约为室温时的89%,200℃时的发射光谱相对室温的红移了约10nm。Ce含量的改变对YAG∶Ce3+荧光粉的热猝灭性质影响较小。Lu的掺杂使YAG∶Ce3+荧光粉的发射波长蓝移,同时会显着改善荧光粉的热猝灭性能。Gd的掺杂使荧光粉的发射波长红移,同时也会导致热猝灭性能的劣化。(本文来源于《发光学报》期刊2008年06期)

李文连[7](1992)在《ZnS:Ag、Al荧光粉的温度猝灭与激发条件的关系》一文中研究指出1.前言用电子束激发时,荧光粉的发光亮度降低即温度猝灭现象,在 CRT 特别是投影电视应用中是个大的问题,这是因为在输入功率高的情况下会使彩色平衡遭到破坏。然而,用于电视的荧光材料都是粉状的,一般难以正确地测定温度并不容易测量其特性。我们提出了正确规定荧光粉颗粒温度的方法,用这种方法对荧光粉 ZnS:Ag、Al 的温度猝灭(本文来源于《发光快报》期刊1992年03期)

张洪杰,苏锵[8](1988)在《Ca_2YSbO_6:RE~(3+)磷光体温度猝灭的研究(RE=Sm,Eu,Dy,H0,Er)》一文中研究指出木文研究了Ca_2YSbO_6:RE~(3+)(RE=Sm,Eu,Dy,Ho,Er)等磷光体的荧光强度随温度的变化规律。发现所研究的磷光体随温度的增加荧光强度趋于下降。定性地解释了热猝灭的原因及Dy~(3+)离子的黄兰发射强度之比R与温变的关系。(本文来源于《应用化学》期刊1988年03期)

温度猝灭论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

照明用白光LED大多数是由蓝光LED芯片激发黄色YAG∶Ce~(3+)系荧光粉得到。荧光粉的温度猝灭性质显着地影响WLED的光效和光色参数,通过利用LED加速老化与寿命测试系统,研究了用YAG∶Ce~(3+)系荧光粉制成的WLED在60 mA电流驱动下的变温亮度和500 h内的光色参数变化,结果表明温度会显着影响WLED的光效、光色参数。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

温度猝灭论文参考文献

[1].赵旺,平兆艳,郑庆华,周薇薇.白光发光二极管用SrGdLiTeO_6:Eu~(3+)红色荧光粉的浓度猝灭和温度猝灭行为[J].物理学报.2018

[2].颉信忠.荧光粉的温度猝灭性质对WLED光参数的影响[J].电子工业专用设备.2016

[3].闫玲玲.稀土掺杂温敏漆的制备及温度猝灭性能研究[D].长春理工大学.2012

[4].董艳丽,孙晶,范薇,金光勇,李昌立.发光温敏漆的制备及其温度猝灭特性研究[J].光学与光电技术.2011

[5].褚明辉,刘学彦,吴庆,王健,蒋大鹏.高掺杂Ce,Gd(Y_(3-x-y)Ce_xGd_y)Al_5O_(12)荧光粉的发光下降及温度猝灭特性[J].无机化学学报.2010

[6].李慧娟,邵起越,董岩,蒋建清,梁超.白光LED用YAG∶Ce~(3+)荧光粉的温度猝灭性质[J].发光学报.2008

[7].李文连.ZnS:Ag、Al荧光粉的温度猝灭与激发条件的关系[J].发光快报.1992

[8].张洪杰,苏锵.Ca_2YSbO_6:RE~(3+)磷光体温度猝灭的研究(RE=Sm,Eu,Dy,H0,Er)[J].应用化学.1988

论文知识图

分别在Eu(II)(386nm)(a),Eu(I)(450nm...+荧光粉和商用荧光...在近紫外光395nm激发下,Y2-xTi2O7:xEu...不同温度下LiBaPO4:Eu2+的发射光谱(a...不同温度下370nm激发测得的Sr2SiO4:...–V半导体的能带与晶格常数的关系...

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