一、用分步注入法改善SOI-SIMNI薄膜材料的电学性能（论文文献综述）
刘思佳[1]（2017）在《多个硫化物靶溅射制备铜锌锡硫（硒）（CZTS（Se））薄膜及性能研究》文中进行了进一步梳理铜锌锡硫（硒）CZTS（Se）薄膜太阳电池具有高效太阳电池的两个基本条件,其一CZTS（Se）是直接带隙半导体,其二是它的禁带宽度为1.01.5 eV,与单结太阳电池的最佳带隙相近。CZTS（Se）的构成元素Cu、Zn、Sn、S和Se都属于地壳含量丰富、价格低廉,还具有环境友好的特点。CZTS（Se）薄膜太阳电池因具有以上几个优点,受到了科学界的极大关注。本文利用磁控溅射技术,通过溅射多个硫化物靶制备得到了CZTS（Se）薄膜的含硫预制层,再经过高温硫（硒）化得到CZTS（Se）薄膜,并对制备的薄膜材料进行优化,最终制备出薄膜太阳电池器件。CZTS（Se）薄膜样品通过X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FEI-SEM）、能谱仪（EDS）、拉曼光谱（Raman）、霍尔效应测试仪（Hall）和紫外-可见分光光度计（UV-Vis）等测试手段对晶体结构、表面形貌、元素含量、相的纯度、电学性能和光学性能进行测试表征。通过作I-V测试分析所制备的薄膜太阳电池器件的光电特性。本论文的主要研究内容及结果:1、以ZnS、SnS和CuS作为靶材,利用磁控溅射技术在钼玻璃基片上制备不同叠层顺序的铜锌锡硫（硒）（CZTS（Se））薄膜的预制层。叠层顺序为Glass/SnS/ZnS/CuS、Glass/SnS/CuS/ZnS的预制层硫化退火后薄膜脱落情况严重。叠层顺序为Glass/ZnS/SnS/CuS、Glass/ZnS/CuS/SnS的两种预制层硫化退火后薄膜脱落情况轻微。研究发现,Glass/ZnS/CuS/SnS该叠层顺序所制备的铜锌锡硫（硒）（CZTS（Se））薄膜具有较好的附着性,经硫化退火后,薄膜无脱落现象。虽然Glass/ZnS/SnS/CuS叠层顺序制备的预制层附着性良好,但硫化退火后的薄膜部分脱落。对于叠层顺序为Glass/CuS/ZnS/SnS、Glass/CuS/ZnS/SnS的预制层,硫化退火后的薄膜表面呈现出差别较大的脱落情况。对于不同叠层顺序样品出现的薄膜脱落现象,是因为SnS在三种溅射物质中密度最大,与衬底上金属Mo的密度差别较大,因此最先溅射SnS的时候,硫化退火过程中受热导致薄膜脱落。同时SnS的相对密度在三种靶源中是最大的,含硫预制层的制备过程中应遵循相对密度从小到大的原则。因此Glass/ZnS/CuS/SnS为最佳叠层顺序。2、通过对最佳叠层顺序Glass/ZnS/CuS/SnS进行优化,优化后的最终顺序为Glass/ZnS/CuS/SnS/CuS。研究Glass/ZnS/CuS/SnS/CuS叠层顺序不变情况时周期厚度变化对CZTS薄膜质量的影响。也就是将薄膜预制层的总厚度固定,按照上述叠层顺序制备不同周期的预制层。研究发现,不同周期数的预制层经过硫化退火后,CZTS薄膜都具有良好的附着性,均未出现脱落现象。单周期、双周期和多周期的预制层经过590℃高温硫化退火,CZTS薄膜表面光滑致密,晶体颗粒尺寸均匀,无明显杂相,且满足贫铜富锌结构,符合高效太阳电池的要求。3、对CZTS薄膜吸收层材料进行稀盐酸和溴甲醇化学腐蚀,将处理后的CZTS薄膜吸收层放入空气气氛的烘箱中进行低温退火,退火时间设定为5小时、10小时、15小时、20小时和25小时,研究低温退火对CZTS薄膜载流子浓度的的影响。研究发现,CZTS薄膜材料的载流子浓度随着退火时间先减小后增大。经过15小时的烘烤,薄膜材料的载流子浓度降低到5.256×1017cm-3,以此为基础制备电池器件,得到电池器件的转换效率为3.6%。4、利用真空法制备CdS薄膜,其作为缓冲层应用在CZTS薄膜太阳电池上。并对比了长时间低温退火对于CZTS薄膜太阳电池器件性能的影响。研究发现,长时间低温退火后的CZTS薄膜关键性能均获得了改善,电池的短路电流、开路电压均和填充因子均得到了提升。我们最终得到了转换效率为3.6%的CZTS薄膜太阳电池。
陈慧芳[2]（2016）在《基于飞秒激光微加工的光纤传感器制备及其传感特性研究》文中提出光纤传感系统具有灵敏度高、结构精巧、抗电磁干扰、耐腐蚀并能实现分布式测量等优势,在科研、生产、安全等领域的应用日益增加。飞秒激光具有超短的脉冲宽度、超高的峰值功率,从根本上改变了激光加工过程中的光与材料的作用机理,具有精度高、加工材料广泛及真三维加工等优势,被广泛应用于各种功能器件的加工过程。本论文以飞秒激光加工的光纤微结构传感器为中心内容,从传感机理、模式分析、数值仿真、制作工艺及传感测试等方面展开研究,并对加工光束的优化问题进行了探讨。论文的主要创新性工作包括以下三个方面：（1）开展了基于微拉锥的光纤内微腔传感技术研究,获得了一种多功能、小体积、高强度、低成本的光纤传感器。理论分析了基于内置微腔的干涉型光纤传感器机理,对双光束干涉公式解析得到传感器的温度、纵向应力及外界折射率传感灵敏度均与模式阶数有关的结论;建模并仿真分析了微腔壁中的传导模式,探讨了传感器在纵向应力及折射率传感时存在红移或蓝移的可能性；实验研究了光纤内置微腔传感器的制作方法,确定了飞秒激光烧蚀-熔接-微拉锥的三步法制作流程并优化了工艺参数;测试了微拉锥内微腔干涉仪在温度、应力和折射率方面的传感性能,实验获得了与理论研究一致的结果;实现了微拉锥内微腔干涉仪用于温度与应力同时测量;为增强器件对外部折射率的响应进行了微腔壁的减薄处理,实验获得该器件在低折射率区间灵敏度达到4202nm/RIU,较微拉锥微腔传感器提升约100倍。（2）开展了基于选择填充光子晶体光纤的传感技术研究,获得了一种设计灵活、制备可控的弯曲矢量传感器。理论研究了选择填充光子晶体光纤耦合器的传感机理,建模并仿真分析了光子晶体光纤结构参数及填充材料对耦合器传感性能的影响;以正交位置填充不同折射率液的方案,设计了能够实现全空间弯曲矢量测量的传感器;实验研究了以飞秒激光为关键加工手段的选择填充光子晶体光纤耦合器的制备方法;测试了耦合器的弯曲传感特性,在0-10.7m-1曲率范围内获得具方向指示的线性响应,灵敏度达到-1.20nm/m-1,实验结果与理论分析高度统一,为特殊功能传感器的设计和制备提供了可靠的依据。（3）开展了飞秒激光加工光束的优化技术研究,设计了一种能够减小光斑横向尺寸并延长焦深的光瞳滤波器。以矢量衍射方法计算了径向偏振光在聚焦点附近的光强分布;分析了影响光斑尺寸的主要因素并以此为依据设计了连续相位型光瞳滤波器;以横向超分辨因子为优化目标,施特列尔比为约束条件对滤波函数进行了优化,计算结果表明在保持较高能量利用率的同时（S=0.5）,获得了更小的聚焦光斑（GT=0.75）。
石艳梅[3]（2016）在《基于槽技术的SOI LDMOS器件新结构研究》文中进行了进一步梳理作为SOI（Silicon On Insulator）功率集成电路的核心器件,SOI LDMOS（Lateral Double-diffused MOSFET）器件因具有低功耗、易于集成、速度快等优势被广泛应用于航空航天、无线通信、汽车电子等领域。提高器件耐压和降低器件比导通电阻是功率器件设计中非常重要的两个方面。对于传统SOI LDMOS器件,提高击穿电压的同时往往伴随着比导通电阻的增加。本文以缓解击穿电压和比导通电阻的矛盾关系为目的,对基于槽技术的SOI LDMOS器件结构进行了深入研究。在深入研究槽栅SOI结构、槽漏SOI结构以及双槽型SOI结构的击穿特性和比导通电阻特性的基础上,本文提出了三种基于槽技术的SOI LDMOS器件新结构:具有纵向漏极场板的槽栅槽漏SOI LDMOS器件新结构、具有L型源极场板的双槽型SOI LDMOS器件新结构、具有纵向栅极场板的槽栅槽源SOI LDMOS器件新结构。二维数值仿真结果表明,本论文提出的三种新结构能够缓解击穿电压与比导通电阻的矛盾关系。本论文的主要创新工作包括:1、提出了一种具有纵向漏极场板的槽栅槽漏SOI LDMOS器件新结构。该结构采用了槽栅槽漏结构,降低了器件比导通电阻;漏端采用了纵向漏极场板,该场板对漏端下方的电场进行了调制,减弱了漏极末端的高电场,提高了器件耐压。与传统SOI结构相比,击穿电压提高了4%,比导通电阻降低了53%。2、提出了一种具有L型源极场板的双槽型SOI LDMOS器件新结构。漂移区引入的槽型介质层显着提高了器件击穿电压,在L型源极场板的作用下,比导通电阻显着下降。与相同器件尺寸的传统SOI结构相比,击穿电压提高了151%,比导通电阻降低了20%。与相同击穿电压的传统SOI结构相比,比导通电阻降低了80%。3、提出了一种具有纵向栅极场板的槽栅槽源SOI器件新结构。槽栅槽源结构扩展了电流传导区域,降低了器件比导通电阻。纵向栅极场板及右侧氧化层使该结构具有更高的耐压。与传统SOI结构相比,击穿电压提高了33%,比导通电阻降低了33%。
王黎明[4]（2014）在《高分散纳米TiO2的低温制备、生长控制及在棉制品上的应用》文中研究指明由于纳米TiO2粉体粒径小、比表面大、表面能高以及特殊的表面结构,使其生长不易控制,且容易团聚,在水相或其他介质中分散不稳定。同时,一般制备的TiO2需要采用300℃以上的高温处理,才能获得结晶良好的粉体或薄膜,而这对于柔性纺织品而言是无法承受的。为了控制纳米TiO2的生长,使其能均匀分散,不易团聚,且使纳米TiO2应用于柔性纺织品时无需高温处理,也能获得结晶良好的粉体或薄膜,并能在纺织品上实现纳米粒子与纤维的坚牢结合,本文对纳米TiO2的低温制备和结晶、热晶化处理方式、掺杂改性及其在纺织品上复合多功能整理工艺、光催化性能评价方法等方面进行较深入的研究。主要研究内容和创新性成果如下一、纳米TiO2水溶胶的低温制备与结晶方式研究利用溶胶-凝胶法在过量水体系条件下低温制备了锐钛矿型TiO2水溶胶,并创新性地应用汽蒸热晶化处理方式对TiO2溶胶进行低温结晶,获得了晶型完整、高结晶度和高催化活性的纳米TiO2粉体或薄膜。同时分析和探讨了水量、pH值、反应物的滴加顺序和热晶化方式等对纳米TiO2低温结晶的影响。结果表明：当钛酸四丁酯与水的摩尔比超过1：100,在100～120℃水汽蒸体系中处理TiO2溶胶后,能使钛酸四丁酯水解得更彻底,所制得的粉体晶型更完善,结晶度高,粒径小且光催化性能好。这种低温汽蒸热晶化处理的方法无须经过高温烧结,可应用于不耐高温的纺织材料上,从而拓宽了纳米TiO2的应用领域。二、掺杂金属或非金属离子与纳米TiO2水溶胶的协同效应通过掺杂金属和非金属离子到低温制备的纳米TiO2的晶格中或负载到TiO2表面上,可在TiO2中引入缺陷或改变结晶度,使掺杂后的TiO2禁带宽度变窄,影响光生电子与光生空穴的复合,并在可见光条件下也可激发其产生光催化能力,拓宽TiO2的光响应范围。以铁、银、氮和碳等为掺杂元素,通过溶胶-凝胶一步法直接掺杂离子制备掺杂纳米TiO2,并利用它们之间的协同效应来提高TiO2的光催化活性。与未掺杂的TiO2相比,掺杂TiO2在可见光下对亚甲基蓝有很好的降解效果,且掺杂TiO2的光催化活性主要取决于掺杂离子的特性和浓度。将掺杂后的纳米TiO2处理到织物上,可赋予其较好的抗紫外线和抗菌效果。三、纳米TiO2/ZnO复合体系的制备及对其光催化性能的影响利用纳米ZnO对纳米TiO2表面进行修饰,采用直接混合法和分步沉淀法制备摩尔比为9：1的TiO2/ZnO复合粉体,比较不同方法制备的纳米复合物的结构与性能差异,分析其对紫外光、紫外-可见光及可见光下的光催化活性和自清洁性能的影响。在纳米TiO,中复合一定量的ZnO,可以使Zn2+作为电子接受体,加强了对电子的争夺,抑制了复合物表面电子-空穴对的复合,从而能导致复合物的表面产生更多的O2-和·OH,使其去除有机物的能力得到了明显的提高。研究结果显示：纳米TiO2/ZnO复合物紫外吸收边带发生了红移,且带隙能减少,使其在可见光下也可以被激发产生光催化活性。同时,利用TiO2/ZnO复合物对织物进行自清洁整理,可赋予织物在太阳光下也具有良好的光催化自清洁性能。四、低温制备的纳米TiO2生长控制及多功能整理工艺将低温制备的纳米TiO2溶胶应用于棉制品上,分析各种整理工艺对其生长控制和分散均匀性的影响,使处理后的棉织物能具有良好的抗紫外线、抗菌、自清洁和降解VOC等性能。研究表明：采用新型的汽蒸处理方式,在无分散剂存在的情况下,能控制TiO2的生长和水解反应,使其粒子在棉织物上均匀分散,不易团聚,结晶强度高于传统的焙烘和水热整理工艺,且与纤维结合有一定的坚牢度,对织物的理化性能也无明显的影响,并可防止纤维可能产生的裂化现象。同时,采用等离子技术对棉纤维表面进行预处理,使纤维表面能产生如C=O,-COOH, CH2-OH等功能性基团,从而可有效地改善纤维与整理剂TiO2的结合牢度,进一步提高织物的耐洗性,并赋予织物持久复合多功能性。本文还自主建立了在线检测VOC测试舱,研究利用特殊的传感器、基本评价装置、数据编程、在线检测仪表等组成的织物光催化性能在线VOC检测系统。这个系统可对经纳米TiO2处理后的功能棉织物降解总有机挥发物（TVOC）的性能进行实时监测,且数据可靠,周期短。与传统的采用气相色谱等检测方法相比,检测数据表现为连续测试与记录,速度是传统方法的十几倍,且能定性和定量地进行监测。
李龙[5]（2013）在《GaAs材料的制备与表征》文中认为GaAs是一种非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙化合物半导体材料,具有高的电子迁移率,优良的光电性能,广泛应用于制造微波器件,红外光电器件以及太阳能电池。GaAs是非常重要的光电子与微电子材料,深受国际关注,对于它的研究已经成为当前半导体科学领域的热点。工业生产中,热壁外延（HWE）、分子束外延（MBE）以及金属有机化学气相沉积（MOCVD）等方法常被用于制造GaAs材料,但普遍存在设备复杂,成本高的缺点,如何采用简易方法制备GaAs材料便成为研究者关注的焦点。本文采用分步电沉积的方法,制备了GaAs纳米薄膜并且对其形成机理作了研究。同时,采用水热法制备了GaAs八面体以及薄膜,并对其晶体结构、形貌特征、光学性能以及形成机理进行了系统研究,主要结果如下：1、采用分步电沉积法,配合适当的退火工艺,制备了GaAs纳米薄膜。通过XRD、FESEM、UV-Vis、PL对不同退火工艺下所制薄膜进行测试。得出制备GaAs薄膜的最佳退火工艺参数,为300℃退火2h。此条件下制备的GaAs薄膜为面心立方晶系,颗粒分布均匀,Ga与As的原子量比接近1：1,PL峰为红外发射峰。随着退火温度的升高,薄膜内颗粒尺寸增大,Ga与As原子量比发生变化,禁带宽度值减小。并对GaAs薄膜的形成机理进行了探讨。2、采用水热合成法,以单质Ga和As2O3为反应源,制备了形貌为八面体的GaAs粉末。研究了反应物摩尔比、HCl浓度、退火温度、反应时间对产物的影响。反应物摩尔比的变化会导致产物中产生其它杂质；HCl浓度较低时（<2mol/L）,溶液内反应不充分,HCl浓度较高时（>2mol/L）,会使生成的GaAs八面体发生水解,八面体形貌遭到破坏；随着退火温度的升高,晶体的结晶程度得到改善,GaAs八面体尺寸逐渐增大；随着反应时间的延长,GaAs产物经历了由纳米颗粒向八面体结构的转变。最后得出制备GaAs八面体的最佳反应条件是：反应物Ga与As2O3摩尔比为2：1,溶液中HCl浓度2mol/L,在190℃下反应20h后,再在300℃下退火1h。此时制得GaAs八面体大小均匀,表面平滑,不含其它杂质。并对GaAs八面体的形成机理进行了研究。3、采用水热合成法,以Ti片为基底,成功制备了GaAs薄膜。薄膜由球状颗粒组成,为面心立方结构,同时考察了反应时间对薄膜的影响,得到制备GaAs薄膜的最佳反应时间为15h。生成的GaAs薄膜发射峰位于879nm处,为红外发射。
陈镐[6]（2010）在《热浸镀铝制备不锈钢容器表面铝化物涂层及其渗氘性能》文中研究表明不锈钢作为TBM氚系统多数组件的结构材料,具有塑性好、强度高等优点,但是它的氚渗透率比较高。为满足我国参试TBM的氚安全要求,在前期DDD报告中曾对高温氚包容的管道、容器等部件设计了阻氚涂层,并根据涂层在500℃以上的气态氚使用工况规定了其阻氚因子大于100。本文综述了铝化物阻氚层的制备方法、热浸镀铝的工艺、机理及发展现状、阻氚层的渗透机制、氢同位素渗透测试方法,在对涂层性能及其制备技术进行比较之后,提出了采用热浸镀铝技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢容器表面进行铝化物涂层制备的思路。实验制备出了均匀、致密的热浸镀铝层。采用SEM、EDS、XRD和XPS对热浸镀铝层的组织、成份和相结构进行了研究,通过金相实验对镀层的厚度进行测量。结果表明：镀层由表面纯铝层与合金层构成,合金层的主要成分为FeAl3和Fe2Al5。根据实验结果确定了助镀剂和覆盖剂的优化配方分别为6%KF+4％NaCl和50％KCl+25％NaCl+17％NaF+8％AlF3。在此基础上,制备出了表面均匀、光亮,合金层中无缺陷的热浸镀铝层。当温度为700℃、720℃时,合金层近似按抛物线规律生长,其拟合方程分别为y2=3.912t和少2=3.426t；当温度为740℃、760℃时,其生长逐渐偏离抛物线规律。热浸镀铝层在600℃的空气中逐渐氧化成膜；当温度高于650℃时,氧化膜开裂、脱落,随后氧化物再次逐渐成膜。随着热处理的进行,合金层逐渐发生由富铝相向贫铝相的转变：FeAl3→Fe2Al5→FeAl2→FeAl→Fe3Al。在热处理过程中,合金层的厚度在初期增长较快,随后其增长逐渐趋于平缓。对样品的氘渗透测试结果表明：未经氧化处理的渗铝样品对氘气的阻挡效果较弱。空气中氧化的样品的渗透激活能与空白样相近,其PRF在400℃～750℃时保持在100左右；真空氧化的样品的渗透激活能较高,其PRF在500℃时达到了850,在700℃时为89。阳极氧化的样品在500℃时的PRF达到了750,但随着温度升高其PRF迅速降低,逐渐失去阻挡作用。
唐海霞[7]（2009）在《基于可制造性设计研究及测试芯片设计》文中认为随着集成电路进入超深亚微米阶段,半导体制造工艺中广泛采用了一些新技术——亚波长光刻技术、铜电镀技术、化学机械抛光技术。这些新技术在带来好处的同时,也产生了一些新缺陷,这些缺陷对芯片的电学性能及良率产生了一定的影响,特别是在超深亚微米阶段,以往不予考虑的缺陷现在却对芯片造成致命的威胁,甚至使芯片失效。本文从化学机械抛光和测试芯片两个方面对可制造性和成品率问题展开了分析和研究。首先介绍了可制造性设计和集成电路设计流程;其次分析了目前影响超深亚微米级集成电路成品率问题的几种误差因素,如光学临近效应、化学机械抛光、随机误差、系统误差等,着重介绍了化学机械抛光对超深亚微米级集成电路成品率和性能的影响。再从测试芯片设计方面对可制造性问题进行了研究,该测试芯片可同时测量电阻与电容,大大节约了测试芯片面积,同时也使得测量精确度有了提高;最后,通过对化学机械抛光和测试芯片研究,本文提出了今后需要做的工作以及对本次工作做的了总结。
霍晓华[8]（2009）在《5GHz硅双极晶体管的研制》文中进行了进一步梳理本文主要对高频器件多晶硅发射极工艺进行了研究,对其制作工艺、主要工艺参数进行了研究和优化,并通过优化结果,成功地开发出一套完整的1μm制备微波晶体管工艺。主要的工作和研究成果包括:1根据设计指标对微波晶体管的纵向结构和横向结构进行设计,并根据所设计的结构进行了理论计算验证。2利用减压外延在极高浓度的掺砷衬底上制备了2μm均匀的外延层,形成极小串联电阻的集电极结构。3采用高温Si3N4作为介质层,减小了漏电流。4采用基区发射区全注入结构形成了极小的基区宽度并均匀可调,均匀的多晶硅发射极缓冲层,能形成均匀的浅发射极,为制作高频器件奠定了基础。对器件的浓硼基区,淡硼基区以及发射极的注入条件、RTA条件等工艺进行研究和优化,根据器件各项性能的综合考虑,设计了一套合理的双极制作工艺。5深入研究了金属铝的细线条干法刻蚀,通过改变反应气体的流量、比例及RF功率、磁场的试验摸索,找到了最佳的干法刻蚀Al工艺。6通过工艺优化,成功地开发了一套完整的1μm多晶硅发射极制作工艺。制作出高频器件特征频率预计达到5GHz,各项直流性能良好。为制作更高频的微波器件的技术研究积累了经验。
常华[9]（2007）在《316L不锈钢表面氧化铝梯度涂层制备工艺及机理研究》文中指出本文首先简述了功能梯度涂层、阻氚渗透涂层、双层辉光渗金属技术、热浸镀铝技术的概念、原理及发展现状。综述了近十年来阻氚渗透涂层的研究进展,重点对不锈钢表面四种常见阻氚渗透涂层（氧化物涂层、铝化物涂层、钛基陶瓷涂层、硅化物涂层）的制备方法、阻氚机理及其各自的优缺点进行了讨论和对比。在总结目前阻氚涂层研究和应用现状的基础上,提出了利用双层辉光渗金属技术和热浸镀技术在316L不锈钢表面进行渗铝、渗氧并原位反应制备铝基阻氚渗透涂层的新思路。利用双层辉光渗金属技术在316L不锈钢表面制备了渗铝涂层。通过摸索试验确定了源极的类型和源极电压、工件电压、温度等工艺参数,然后分别以工作气压和极间距为考察对象,以涂层厚度、表面铝元素含量以及表面质量为指标,对工艺参数进行了优化,利用扫描电子显微镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）和辉光放电光谱仪（GDS）等对涂层的组织、成份和相的分布进行了研究,确定了合适的工艺参数为工件电压450V,源极电压950V,极间距30mm,工作气压75Pa,温度980℃,脉冲电源占空比0.3,所得渗铝层表面质量良好,涂层平均厚度20μm,铝、铁呈良好梯度分布。通过热浸镀铝和随后高温扩散的方法在316L不锈钢表面制备了铁铝梯度涂层。通过对涂层厚度、组织、合金元素分布、相组成和显微硬度进行分析,确定了合适的工艺为750℃下浸镀10分钟,并950℃时扩散4小时。制备的涂层表面质量较好,无明显漏镀现象。涂层与基体结合紧密,热处理后孔洞基本消除,厚度平均122μm,铝、铁呈良好梯度分布。利用工业用氮气中残留的氧气成功地在316L不锈钢渗铝涂层表面渗入氧元素,渗氧温度900℃,4小时,渗氧层厚度达15μm,X射线光电子能谱（XPS）分析表明渗入的氧与先行渗入的铝进行了择优氧化,原位反应生成了氧化铝,并且除表面是一层致密的氧化铝膜外,在氧化铝膜以内氧化铝呈现梯度分布。通过对比试验发现,双层辉光渗金属技术制备的涂层抗热震性和热氧化性均强于热浸镀制备的涂层,其中抗热震性是其2倍以上。
卢殿通[10]（2001）在《离子注入SOI材料的制备、性能及应用》文中认为SOI（Silicon On Insulator）材料是为了满足卫星、导弹、飞船航天电子控制系统的需要而发展起来的一种新型硅材料.采用这种材料制作的SOI—CMOS（Complementary Metal-Oxside-Semiconduator）电路,实现了完全介质隔离,具有无锁定、高速度、低功耗和强的抗福射能力等重要优点.因而受到世界各发达国家的高度重视.离子注入SOI材料,是把氧或氮注入硅单晶中形成绝缘埋层二氧化硅或氮化硅:即形成SIMOX（Separation by IMplamted OXygen）或 SIMNI（Separation byImplamted Nitrogen）材料,顶层硅仍保持单晶硅的性能.这种材料不但比SOS(Silicon
二、用分步注入法改善SOI-SIMNI薄膜材料的电学性能（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、用分步注入法改善SOI-SIMNI薄膜材料的电学性能（论文提纲范文）
（1）多个硫化物靶溅射制备铜锌锡硫（硒）（CZTS（Se））薄膜及性能研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 太阳电池工作原理 |
| 1.3 CZTS薄膜太阳电池研究进展 |
| 1.4 CZTS(Se)薄膜的制备方法 |
| 1.4.1 真空法 |
| 1.4.2 非真空法 |
| 1.5 选题的意义及研究内容 |
| 1.5.1 选题意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 第2章 CZTS(Se)薄膜材料的制备与表征 |
| 2.1 实验材料 |
| 2.2 实验仪器设备 |
| 2.2.1 CZTS薄膜制备设备 |
| 2.2.2 CZTS薄膜测试设备 |
| 2.3 本研究主要工艺参数及制备过程 |
| 2.3.1 工艺参数 |
| 2.3.2 薄膜制备过程 |
| 2.4 CZTS薄膜的表征 |
| 2.4.1 薄膜厚度的测量 |
| 2.4.2 薄膜组分及形貌分析 |
| 2.4.3 CZTS薄膜物相分析 |
| 2.4.4 CZTS薄膜光学性能测试 |
| 2.4.5 CZTS薄膜电学性能分析 |
| 2.4.6 器件的光荧光谱(PL)测试 |
| 第3章 CZTS(Se)薄膜的制备及表征 |
| 3.1 各靶材溅射速率 |
| 3.2 含硫预制层的设计及制备 |
| 3.3 CZTS(Se)薄膜的制备研究 |
| 3.3.1 CZTS(Se)薄膜的制备 |
| 3.3.2 CZTS(Se)薄膜的测试表征 |
| 3.4 不同堆叠顺序制备的CZTS薄膜的研究 |
| 3.4.1 CZTS薄膜的EDS测试 |
| 3.4.2 CZTS薄膜的附着性表征 |
| 3.4.3 CZTS薄膜的物相分析 |
| 3.5 周期性变化制备的CZTS薄膜的研究 |
| 3.5.1 CZTS薄膜的EDS测试 |
| 3.5.2 CZTS薄膜的XRD测试 |
| 3.5.3 CZTS薄膜的Raman测试 |
| 3.5.4 CZTS薄膜的SEM测试 |
| 3.5.5 CZTS薄膜的禁带宽度 |
| 第4章 CZTS薄膜的退火研究及电池器件的制备 |
| 4.1 CZTS薄膜的退火研究 |
| 4.2 CZTS薄膜电池器件的制备 |
| 4.2.1 Mo电极的制备 |
| 4.2.2 缓冲层的制备 |
| 4.2.3 窗口层的制备 |
| 4.3 CZTS薄膜电池器件测试 |
| 第5章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 论文创新点 |
| 5.3 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 |
| 致谢 |
（2）基于飞秒激光微加工的光纤传感器制备及其传感特性研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 光纤传感器 |
| 1.1.1 强度调制型传感器 |
| 1.1.2 相位调制型传感器 |
| 1.1.3 波长调制型传感器 |
| 1.1.4 偏振调制型传感器 |
| 1.2 飞秒激光微加工光纤传感器 |
| 1.2.1 飞秒激光微加工特点 |
| 1.2.2 光纤的直写法微加工 |
| 1.2.3 光纤的干涉法微加工 |
| 1.3 本论文创新点及研究内容 |
| 2 基于内置微腔的光纤传感器 |
| 2.1 光纤微腔的传感应用 |
| 2.1.1 光纤微腔Fabry-Perot干涉仪 |
| 2.1.2 光纤微腔Mach-Zehnder干涉仪 |
| 2.2 内置微腔光纤传感器的理论研究 |
| 2.2.1 内置微腔光纤传感器的传感特性分析 |
| 2.2.2 内置微腔光纤传感器的传导模式 |
| 2.3 内置微腔光纤传感器的制作 |
| 2.4 内置微腔光纤传感器性能测试 |
| 2.4.1 外界折射率传感测试 |
| 2.4.2 纵向应力传感测试 |
| 2.4.3 温度传感测试 |
| 2.5 内置微腔传感器实现温度和应力同时测量 |
| 2.5.1 多参数同时测量原理 |
| 2.5.2 灵敏度矩阵标定 |
| 2.5.3 温度与应力同时测量 |
| 2.6 减薄腔壁增强折射率传感灵敏度 |
| 2.6.1 具有微纳级壁厚微腔的制作 |
| 2.6.2 微腔的折射率传感测试 |
| 2.6.3 微腔的高温稳定性测试 |
| 2.7 本章小结 |
| 3 基于选择填充光子晶体光纤的传感器 |
| 3.1 光子晶体光纤 |
| 3.1.1 光子晶体光纤的类型 |
| 3.1.2 光子晶体光纤的特性 |
| 3.1.3 光子晶体光纤的传感应用 |
| 3.2 光子晶体光纤的液体填充 |
| 3.2.1 光子晶体光纤全填充 |
| 3.2.2 光子晶体光纤选择填充 |
| 3.3 选择填充折射率导光型光子晶体光纤的理论研究 |
| 3.3.1 光波导的模式耦合 |
| 3.3.2 选择填充光子晶体光纤耦合器 |
| 3.3.3 耦合器的工作波长 |
| 3.4 基于耦合原理的弯曲传感器设计 |
| 3.4.1 耦合器弯曲传感原理 |
| 3.4.2 耦合器的弯曲灵敏度 |
| 3.4.3 二维弯曲矢量传感器设计 |
| 3.5 选择填充折射率导光型光子晶体光纤的实验研究 |
| 3.5.1 选择填充光子晶体光纤耦合器的制作 |
| 3.5.2 弯曲的传感测试 |
| 3.5.3 弯曲与温度交叉敏感 |
| 3.5.4 耦合器的弯曲检测极限 |
| 3.6 本章小结 |
| 4 飞秒激光微加工的光束优化 |
| 4.1 飞秒激光微加工中的超分辨 |
| 4.1.1 超分辨光瞳滤波器 |
| 4.1.2 偏振态对聚焦光斑的影响 |
| 4.2 径向偏振加工光束的聚焦 |
| 4.2.1 径向偏振光聚焦光场仿真 |
| 4.2.2 径向偏振光焦斑特征 |
| 4.3 连续相位型超分辨滤波器设计 |
| 4.3.1 相位滤波函数的构造 |
| 4.3.2 滤波函数优化结果及讨论 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 总结与展望 |
| 5.1 主要研究内容与结果 |
| 5.2 论文存在的不足及工作展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历 |
（3）基于槽技术的SOI LDMOS器件新结构研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 SOI技术 |
| 1.2 SOI功率器件研究现状 |
| 1.3 论文的选题意义、主要内容和创新点 |
| 1.3.1 选题意义 |
| 1.3.2 主要内容 |
| 1.3.3 主要创新点 |
| 第二章 SOI LDMOS器件 |
| 2.1 SOI LDMOS基本结构 |
| 2.2 SOI LDMOS耐压技术 |
| 2.2.1 降低表面电场（RESURF）技术 |
| 2.2.2 介质场增强（ENDIF）技术 |
| 2.2.3 场板技术 |
| 2.3 SOI LDMOS耐压结构 |
| 2.3.1 通过改变埋氧层提高器件耐压 |
| 2.3.2 通过改变漂移区提高器件耐压 |
| 2.3.3 通过界面电荷提高器件耐压 |
| 2.3.4 通过衬底提高器件耐压 |
| 2.3.5 通过在漂移区引入介质槽提高器件耐压 |
| 2.4 降低比导通电阻的SOI LDMOS结构 |
| 2.4.1 通过增加漂移区浓度降低比导通电阻 |
| 2.4.2 采用超结结构降低比导通电阻 |
| 2.4.3 采用槽型电极结构降低比导通电阻 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 具有槽型电极的SOI LDMOS器件 |
| 3.1 槽栅SOI结构 |
| 3.1.1 器件结构与机理 |
| 3.1.2 导通特性及击穿特性分析 |
| 3.1.3 漂移区浓度N_d对TGSOI结构BV、R_(sp,on)的影响 |
| 3.2 槽漏SOI结构 |
| 3.3 具有纵向漏极场板的槽栅槽漏SOI器件新结构 |
| 3.3.1 器件结构与机理 |
| 3.3.2 击穿特性与导通电阻特性分析 |
| 3.3.3 开关特性分析 |
| 3.4 槽栅槽源SOI器件新结构 |
| 3.4.1 器件结构与机理 |
| 3.4.2 击穿特性和比导通电阻特性分析 |
| 3.4.3 槽栅槽源SOI LDMOS实验方案 |
| 3.5 具有纵向栅极场板的槽栅槽源SOI器件新结构 |
| 3.5.1 器件结构与击穿特性分析 |
| 3.5.2 比导通电阻特性分析 |
| 3.5.3 器件参数对VGFP-TGTS SOI结构BV、R_(sp,on)的影响 |
| 3.5.4 开关特性分析 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 漂移区引入介质槽的SOI LDMOS器件 |
| 4.1 槽型SOI LDMOS二维表面电势和表面电场模型 |
| 4.1.1 区域2表面电势和表面电场 |
| 4.1.2 区域1和区域3表面电势和表面电场 |
| 4.1.3 结果与分析 |
| 4.2 双槽型SOI结构 |
| 4.3 具有L型源极场板的双槽型SOI器件新结构 |
| 4.3.1 器件结构与机理 |
| 4.3.2 仿真结果与分析 |
| 4.3.3 开关特性分析 |
| 4.3.4 具有L型源极场板的双槽型SOI LDMOS实验方案 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 总结和展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 下一步工作的展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和科研情况说明 |
| 致谢 |
（4）高分散纳米TiO2的低温制备、生长控制及在棉制品上的应用（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 纳米TiO_2的结构和性能 |
| 1.2.1 纳米TiO_2的结构 |
| 1.2.2 纳米TiO_2光催化机理 |
| 1.2.3 屏蔽紫外线性能 |
| 1.2.4 双亲性 |
| 1.3 提高TiO_2光催化性能的方法 |
| 1.3.1 金属离子掺杂 |
| 1.3.2 表面贵金属沉积 |
| 1.3.3 非金属掺杂 |
| 1.3.4 纳米TiO_2的复合改性 |
| 1.4 纳米TiO_2的制备方法进展 |
| 1.4.1 水热合成法 |
| 1.4.2 水解法 |
| 1.4.3 溶胶-凝胶法 |
| 1.4.4 沉淀法 |
| 1.4.5 一维TiO_2纳米材料的制备 |
| 1.5 纳米整理剂在纺织品上的应用 |
| 1.5.1 抗紫外线整理 |
| 1.5.2 抗菌整理 |
| 1.5.3 抗静电整理 |
| 1.5.4 自清洁整理 |
| 1.5.5 空气净化纺织品 |
| 1.6 本论文研究意义及内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 纳米TiO_2水溶胶的低温制备与结晶方式研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验 |
| 2.2.1 实验试剂及仪器 |
| 2.2.2 纳米TiO_2水溶胶低温制备方法 |
| 2.2.3 测试和表征 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 溶胶-凝胶法反应机理和特点 |
| 2.3.2 水量对低温制备TiO_2结晶的影响 |
| 2.3.3 反应体系pH值对纳米TiO_2低温结晶及光催化性能的影响 |
| 2.3.4 反应原料滴加顺序对纳米TiO_2低温结晶及光催化性能影响 |
| 2.3.5 结晶热处理方式对纳米TiO_2的晶型及光催化性能的影响 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 掺杂金属或非金属离子与纳米TiO_2水溶胶的协同效应 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 |
| 3.2.2 纳米TiO_2水溶胶低温制备方法 |
| 3.2.3 锐钛型纳米TiO_2的金属掺杂 |
| 3.2.4 锐钛型纳米TiO_2的非金属掺杂 |
| 3.2.5 测试和表征 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 铁离子掺杂TiO_2的结构和对光催化性能的影响 |
| 3.3.2 银离子掺杂TiO_2的结构和对光催化性能的影响 |
| 3.3.3 纳米TiO_2的非金属掺杂 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 纳米TiO_2/ZnO复合体系的制备及其光催化性能 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验 |
| 4.2.1 实验材料与仪器 |
| 4.2.2 纳米ZnO的制备 |
| 4.2.3 纳米TiO_2-ZnO复合粉体的制备 |
| 4.2.4 TiO_2溶胶和TiO_2/ZnO复合溶胶整理棉织物 |
| 4.2.5 纳米TiO_2-ZnO复合物的性能测试与表征 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 纳米TiO_2-ZnO复合粉体的结构表征 |
| 4.3.2 纳米TiO_2/ZnO复合粉体的光催化性能研究 |
| 4.3.3 纳米TiO_2/ZnO复合溶胶处理棉织物后在模拟太阳光下的自清洁性能 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 低温制备的纳米TiO_2生长控制及多功能整理工艺研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验 |
| 5.2.1 实验材料及仪器 |
| 5.2.2 织物的功能整理工艺 |
| 5.2.3 织物性能表征和测试 |
| 5.3 结果与讨论 |
| 5.3.1 棉织物表面纳米TiO_2晶型分析 |
| 5.3.2 棉织物表面纳米TiO_2形貌分析 |
| 5.3.3 汽蒸处理对棉织物结构和性能的影响 |
| 5.3.4 棉织物多功能整理效果 |
| 5.3.5 提高纳米TiO_2与棉织物耐久性结合的方式研究 |
| 5.3.6 连续评价织物光催化性能的在线检测系统的研制 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 结论 |
| 论文创新点 |
| 致谢 |
| 读博士期间发表的学术论文、授权和申请专利 |
（5）GaAs材料的制备与表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 GaAs的晶体结构及特性 |
| 1.2.1 GaAs的晶体结构 |
| 1.2.2 GaAs的基本性质 |
| 1.3 GaAs材料的应用 |
| 1.3.1 GaAs材料的应用领域 |
| 1.4 GaAs材料的制备方法 |
| 1.4.1 GaAs晶体生长工艺 |
| 1.4.1.1 水平布里奇曼法(HB)技术与水平梯度凝固法(HGF)技术 |
| 1.4.1.2 液封直拉法(LEC)技术 |
| 1.4.1.3 垂直布里奇曼法(VB)技术 |
| 1.4.1.4 垂直梯度凝固法(VGF) |
| 1.4.1.5 蒸气压控制直拉法(VCZ) |
| 1.4.1.6 GaAs单晶生长工艺比较 |
| 1.4.2 GaAs外延生长工艺 |
| 1.4.2.1 热壁外延法(HWE) |
| 1.4.2.2 分子束外延法(MBE) |
| 1.4.2.3 金属有机化学气相沉积(MOCVD) |
| 1.4.2.4 液相外延法(LPE) |
| 1.4.2.5 电化学沉积法 |
| 1.5 本课题选题意义及研究内容 |
| 第二章 实验试剂、设备和表征方法 |
| 2.1 实验试剂 |
| 2.2 实验设备 |
| 2.2.1 电化学工作站 |
| 2.2.2 反应装置 |
| 2.2.3 其它仪器 |
| 2.3 实验表征方法 |
| 2.3.1 XRD分析 |
| 2.3.2 SEM观察 |
| 2.3.3 EDS测试 |
| 2.3.4 TEM观察 |
| 2.3.5 UV-Vis测试 |
| 2.3.6 PL测试 |
| 第三章 分步电沉积法制备GaAs纳米薄膜 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 衬底处理 |
| 3.2.2 前驱溶液的配制 |
| 3.2.3 电极处理 |
| 3.2.4 GaAs薄膜的制备 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 样品结构分析 |
| 3.3.2 SEM和EDS分析 |
| 3.3.3 GaAs薄膜的吸收光谱 |
| 3.3.4 PL光谱分析 |
| 3.3.5 反应过程分析 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 水热法制备GaAs微纳米结构 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 水热法制备GaAs八面体 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 反应物摩尔比对GaAs结构的影响 |
| 4.2.3 HCl浓度对GaAs的影响 |
| 4.2.3.1 XRD分析 |
| 4.2.3.2 FESEM分析 |
| 4.2.4 反应时间对GaAs的影响 |
| 4.2.4.1 XRD分析 |
| 4.2.4.2 FESEM分析 |
| 4.2.4.3 TEM和HRTEM分析 |
| 4.2.5 退火温度对GaAs的影响 |
| 4.2.5.1 XRD分析 |
| 4.2.5.2 FESEM分析 |
| 4.2.6 GaAs八面体的光学性能 |
| 4.2.7 反应过程分析 |
| 4.2.8 GaAs八面体形成机理 |
| 4.3 水热法制备GaAs薄膜 |
| 4.3.1 样品制备 |
| 4.3.2 XRD分析 |
| 4.3.3 FESEM分析 |
| 4.3.4 PL分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 结论与展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 |
（6）热浸镀铝制备不锈钢容器表面铝化物涂层及其渗氘性能（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 不锈钢表面阻氚涂层概述 |
| 1.2.1 氧化物涂层 |
| 1.2.2 钛基陶瓷涂层 |
| 1.2.3 硅化物涂层 |
| 1.2.4 铝化物涂层 |
| 1.3 铝化物阻氚层制备方法概述 |
| 1.3.1 物理气相沉积法(PVD) |
| 1.3.2 化学气相沉积法(CVD) |
| 1.3.3 真空等离子喷涂(VPS) |
| 1.3.4 包埋法(PC) |
| 1.4 热浸镀铝技术发展现状 |
| 1.4.1 热浸镀铝工艺概述 |
| 1.4.2 熔剂法及其助镀机理概述 |
| 1.4.3 热浸镀铝镀层形成机理 |
| 1.5 铝基涂层的氧化技术 |
| 1.6 阻挡层的渗透机制 |
| 1.7 氢同位素渗透测试方法 |
| 1.7.1 电化学方法 |
| 1.7.2 热抽取法 |
| 1.7.3 气相渗透法 |
| 1.8 本论文研究的主要内容及技术路线 |
| 1.8.1 研究的主要内容 |
| 1.8.2 研究的技术路线 |
| 第二章 1Cr18Ni9Ti不锈钢表面热浸镀铝的工艺研究 |
| 2.1 实验材料与方法 |
| 2.1.1 实验材料 |
| 2.1.2 热浸镀铝实验过程 |
| 2.1.3 分析测试方法 |
| 2.2 实验结果与工艺参数优化 |
| 2.2.1 热浸镀铝的镀层的组织结构 |
| 2.2.2 工艺参数的选定 |
| 2.3 热浸镀铝镀层中合金层的生长 |
| 2.3.1 温度对合金层厚度的影响 |
| 2.3.2 合金层厚度随时间的变化 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 铝化物涂层的氧化技术研究 |
| 3.1 热浸镀铝涂层的氧化及分析方法 |
| 3.1.1 热氧化实验与方法 |
| 3.1.2 分析仪器与方法 |
| 3.2 实验结果与讨论 |
| 3.2.1 铝化物涂层的热氧化结果及讨论 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 热浸镀铝制备阻氚层的渗透性能 |
| 4.1 氘渗透测试过程 |
| 4.1.1 实验材料及样品 |
| 4.1.2 渗透测试实验装置 |
| 4.1.3 渗透测试的实验过程 |
| 4.2 实验结果与讨论 |
| 4.2.1 热氧化样品的渗透性能 |
| 4.2.2 阳极氧化样品的渗透性能 |
| 4.3 本章小结 |
| 第五章 结论及展望 |
| 5.1 结论 |
| 5.2 展望 |
| 致谢 |
| 附录 |
| 参考文献 |
（7）基于可制造性设计研究及测试芯片设计（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 致谢 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 集成电路的发展历史及其设计流程 |
| 1.2 集成电路的制造工艺 |
| 1.3 纳米集成电路的可制造性问题 |
| 1.4 用于可制造性问题的测试芯片设计 |
| 1.5 目前世界上的研究状况 |
| 1.6 本文完成的主要工作 |
| 第二章 集成电路的可制造性设计、物理设计规则 |
| 2.1 成品率问题 |
| 2.1.1 随机误差 |
| 2.1.2 系统误差 |
| 2.2 工艺的良率问题 |
| 2.2.1 工艺可变性问题 |
| 2.2.2 光刻问题 |
| 2.2.3 CMP 问题 |
| 2.3 涉及到可制造性问题的物理设计规则 |
| 2.4 用于可制造性研究的测试芯片 |
| 第三章 基于可制造性设计的化学机械抛光技术 |
| 3.1 化学机械抛光原理、抛光设备及消耗品介绍 |
| 3.1.1 化学机械抛光设备及消耗品介绍 |
| 3.1.2 化学机械抛光模型介绍 |
| 3.2 化学机械抛光后缺陷、目前的解决方法 |
| 3.2.1 基于设计规则的金属填充 |
| 3.2.2 基于模型的金属填充 |
| 3.3 CMP 技术研究现状与存在的问题 |
| 第四章 用于可制造性设计研究的测试芯片设计 |
| 4.1 测试芯片设计背景、目的 |
| 4.2 基本测试结构及注意事项 |
| 4.2.1 CBCM 电容测试结构 |
| 4.2.2 comb-meander 互连测试结构 |
| 4.3 测试芯片原理 |
| 4.4 测试芯片描述 |
| 4.4.1 一些参数定义 |
| 4.4.2 芯片布局 |
| 4.4.3 PAD 说明 |
| 4.4.4 芯片整体结构 |
| 4.4.5 单元模块版图示意图 |
| 4.5 总结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 附录：攻读硕士期间发表的论文 |
| 参考文献 |
（8）5GHz硅双极晶体管的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 微波晶体管的概述 |
| 1.2 微波晶体管的发展历程及现状 |
| 1.3 本论文的主要工作 |
| 第二章 晶体管的频率和噪声特性分析 |
| 2.1 晶体管的频率特性 |
| 2.2 晶体管的噪声特性 |
| 2.3 小结 |
| 第三章 高频晶体管设计及参数设计 |
| 3.1 晶体管设计概述 |
| 3.2 设计指标 |
| 3.3 纵向参数设计 |
| 3.4 横向参数设计 |
| 3.5 特征频率f_T 初步计算 |
| 3.6 小结 |
| 第四章 制定工艺流程及单项工艺实验研究 |
| 4.1 掩模版的设计及制备 |
| 4.2 初步工艺流程制定 |
| 4.3 采用比较先进的工艺 |
| 4.4 氧化工艺实验 |
| 4.5 离子注入及退火实验 |
| 4.6 光刻工艺实验 |
| 4.7 刻蚀工艺实验 |
| 4.8 小结 |
| 第五章 流片实验及测试 |
| 5.1 流片实验及测试 |
| 5.2 流片中出现的问题及解决方案 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 结论及展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（9）316L不锈钢表面氧化铝梯度涂层制备工艺及机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 功能梯度涂层技术概述 |
| 1.1.1 功能梯度材料概述 |
| 1.1.2 功能梯度涂层的特点 |
| 1.1.3 功能梯度涂层的制备技术 |
| 1.1.4 功能梯度涂层的应用研究进展 |
| 1.2 不锈钢表面阻氚渗透涂层研究现状 |
| 1.2.1 氧化物涂层 |
| 1.2.2 钛基陶瓷涂层 |
| 1.2.3 硅化物涂层 |
| 1.2.4 铝化物涂层 |
| 1.3 双层辉光表面冶金技术发展现状 |
| 1.3.1 双层辉光渗金属技术概述 |
| 1.3.2 双层辉光渗金属技术发展现状 |
| 1.4 热浸镀铝技术发展现状 |
| 1.5 本文研究目的和主要内容 |
| 第二章 316L不锈钢表面双辉离子渗铝的工艺研究 |
| 2.1 试验与方法 |
| 2.1.1 工艺方案的总体设计 |
| 2.1.2 试验材料 |
| 2.1.3 试验方法与过程 |
| 2.2 工艺参数的初步选择 |
| 2.2.1 源极电压 |
| 2.2.2 工件电压 |
| 2.2.3 极间距 |
| 2.2.4 气压 |
| 2.2.5 温度的选择 |
| 2.3 源极的选择和渗具的布置 |
| 2.3.1 源极的制作与选择 |
| 2.3.2 渗具的布置 |
| 2.4 渗层的成分分布及组织特征 |
| 2.4.1 渗层的表面形貌 |
| 2.4.2 渗层的截面形貌与合金元素的分布 |
| 2.4.3 渗层相结构分析 |
| 2.5 工艺参数对渗层的影响 |
| 2.5.1 工作气压对渗层的影响 |
| 2.5.2 极间距对渗层的影响 |
| 2.6 渗入机理的探讨 |
| 2.6.1 源极溅射 |
| 2.6.2 工件表面离子轰击效应 |
| 2.6.3 热扩散 |
| 2.7 本章小结 |
| 第三章 不锈钢表面热浸镀铝及后续热处理工艺的研究 |
| 3.1 试验与方法 |
| 3.1.1 工艺方案设计 |
| 3.1.2 试验材料 |
| 3.1.3 试验与方法 |
| 3.1.3.1 镀前处理 |
| 3.1.3.2 热浸镀 |
| 3.1.3.3 镀后处理 |
| 3.1.3.4 扩散工艺 |
| 3.2 试验结果与工艺参数优化 |
| 3.2.1 热浸镀结果 |
| 3.2.2 扩散后结果 |
| 3.2.3 工艺参数的选定 |
| 3.3 涂层成分分布及组织特征 |
| 3.3.1 涂层的金相组织 |
| 3.3.2 涂层各层物相的分布 |
| 3.3.3 涂层显微硬度 |
| 3.3.4 渗入机理 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 铝基涂层渗氧研究 |
| 4.1 渗氧工艺设计与试验 |
| 4.2 涂层渗氧的结果与讨论 |
| 第五章 铝基涂层性能研究 |
| 5.1 涂层抗热震性测试 |
| 5.1.1 测试原理与方法 |
| 5.1.2 结果与分析 |
| 5.2 涂层抗热氧化性测试 |
| 5.2.1 测试原理与过程 |
| 5.2.2 结果与分析 |
| 第六章 结论与展望 |
| 6.1 本文工作总结和主要结论 |
| 6.2 工作展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
| 附录 |
四、用分步注入法改善SOI-SIMNI薄膜材料的电学性能（论文参考文献）
- [1]多个硫化物靶溅射制备铜锌锡硫（硒）（CZTS（Se））薄膜及性能研究[D]. 刘思佳. 云南师范大学, 2017(02)
- [2]基于飞秒激光微加工的光纤传感器制备及其传感特性研究[D]. 陈慧芳. 浙江大学, 2016(02)
- [3]基于槽技术的SOI LDMOS器件新结构研究[D]. 石艳梅. 天津大学, 2016(07)
- [4]高分散纳米TiO2的低温制备、生长控制及在棉制品上的应用[D]. 王黎明. 东华大学, 2014(03)
- [5]GaAs材料的制备与表征[D]. 李龙. 太原理工大学, 2013(03)
- [6]热浸镀铝制备不锈钢容器表面铝化物涂层及其渗氘性能[D]. 陈镐. 中国工程物理研究院, 2010(02)
- [7]基于可制造性设计研究及测试芯片设计[D]. 唐海霞. 合肥工业大学, 2009(11)
- [8]5GHz硅双极晶体管的研制[D]. 霍晓华. 西安电子科技大学, 2009(01)
- [9]316L不锈钢表面氧化铝梯度涂层制备工艺及机理研究[D]. 常华. 南京航空航天大学, 2007(06)
- [10]离子注入SOI材料的制备、性能及应用[A]. 卢殿通. Hyperfine Interaction and Nuclear Solid State Physics--Proceedings of CCAST (World Laboratory) Workshop, 2001