导读:本文包含了辐照缺陷论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:缺陷,点缺陷,空位,热机,电子束,石英玻璃,质子。
辐照缺陷论文文献综述
张梓晗,宋力刚,靳硕学,曹兴忠,孙建荣[1]（2019）在《RAFM钢中H~+辐照空位型缺陷的慢正电子束研究》一文中研究指出为研究低活化铁素体/马氏体(Reduced Activation Ferritic/Martensitic,RAFM)钢的辐照损伤机理,利用慢正电子技术研究了H~+辐照RAFM钢时所产生的空位型缺陷及其对于材料微观结构的影响。H~+能量和剂量分别为100 keV和1×10~(15)cm~(-2)、1×10~(16) cm~(-2)、1×10~(17)cm~(-2)。慢正电子束多普勒展宽测量结果可得,S参数随着剂量的增大而增大,W参数呈现正相反的趋势。样品中主要辐照区域为142～348 nm,此范围内有大量缺陷产生,辐照产生的主要为空位型缺陷,其中多为氢-空位复合体缺陷,辐照缺陷的浓度随着H~+剂量的增大而增加。空位型缺陷的尺寸大小也随着辐照剂量的增大而有所变化,辐照剂量达到10~(17)cm~(-2)时,S-W曲线斜率发生变化,故辐照缺陷类型发生明显变化,有较大尺寸的缺陷产生。(本文来源于《核技术》期刊2019年07期）
刘思冕,韩卫忠[2]（2019）在《金属材料界面与辐照缺陷的交互作用机理》一文中研究指出高能粒子辐照在材料内部产生大量的辐照缺陷,如间隙原子、空位、位错环、空洞和气泡等.大量辐照缺陷的形成和演化引起材料微观结构的失稳并造成严重的辐照硬化和脆化.界面工程是一种调控材料抗辐照性能的有效方法.通过引入高密度的晶界、相界、自由表面等来增加空位和间隙原子的复合概率,能有效降低辐照缺陷的积聚,提高材料的结构稳定性,消除或减弱辐照的有害效应.本文简述了几种典型金属材料界面与不同类型辐照缺陷的交互作用机理,分析了界面结构、缺陷类型和辐照条件对交互作用过程的影响,最后讨论了本领域需进一步关注的热点问题,期望运用多学科知识和研究方法更好地揭示辐照损伤过程并设计新型抗辐照损伤材料.(本文来源于《物理学报》期刊2019年13期）
李明阳,张雷敏,吕沙沙,李正操[3]（2019）在《离子辐照和氧化对IG-110核级石墨中的点缺陷的影响》一文中研究指出核级石墨是球床模块式高温气冷堆(HTR-PM)中的一种关键材料,在堆内用作燃料元件基体材料、结构材料和中子反射层材料.研究核级石墨辐照和氧化行为下的缺陷演化对反应堆安全具有重要意义.本文对IG-110石墨样品进行了一系列包含不同顺序和不同条件的离子辐照和氧化的实验,分为仅辐照、仅氧化、辐照后氧化、氧化后辐照,通过观察其结构、形貌、石墨化程度和点缺陷的演化,研究离子辐照和氧化对IG-110核级石墨中点缺陷的影响.拉曼光谱表明,随辐照剂量的增大,拉曼峰强比I_D/I_G先增大后减小,说明离子辐照使石墨中产生了点缺陷,且点缺陷在辐照剂量增大时进一步发生演化;氧化后石墨化程度增大,说明高温下的退火效应使点缺陷发生复合,因此氧化之后点缺陷数量减少.氧化后辐照样品的点缺陷含量低于仅辐照样品,辐照后氧化样品的点缺陷含量高于仅氧化样品.正电子湮灭多普勒展宽揭示了离子辐照后石墨中仅有点缺陷,而氧化使点缺陷部分回复.离子辐照和氧化对石墨中点缺陷的演化产生相反的影响,即离子辐照使平均S参数增大,平均W参数减小,而氧化使平均S参数减小,平均W参数增大.对于辐照后氧化的样品,850℃高温的退火效应不足以使点缺陷完全回复.(本文来源于《物理学报》期刊2019年12期）
张梓晗[4]（2019）在《低活化钢H/He辐照空位型缺陷的研究》一文中研究指出低活化钢作为未来聚变堆以及第四代反应堆技术良好的候选结构材料,引起研究者的广泛关注,其中包括RAFM钢和ODS钢。如今,中子嬗变产生的氢、氦导致的脆化、缺陷演化以及宏观力学性能的影响是结构材料基础物理问题研究的难点与热点。本文主要以RAFM钢和ODS钢作为研究对象,以Fe-9 wt.%Cr为基体炼制,添加W、V、C、Ta、Si等其他微量元素。本文的氢、氦原子的引入方式通过离子辐照技术完成。应用正电子湮没技术、扫描电子显微镜、原子力显微镜和同步辐射X射线衍射分析技术四种表征手段有机结合起来的方法,发挥每种分析技术的优点,深入研究低活化钢中辐照产生的微观缺陷,主要为空位型缺陷,以及缺陷对于表面肿胀,气泡产生的表面损伤的严重程度与影响。本文开展同一能量、不同辐照剂量的氦辐照ODS钢的辐照损伤的研究,不同的辐照剂量会导致不同类型的缺陷出现以及缺陷数量的变化。开展同一能量,不同的辐照剂量的氢辐照ODS钢和RAFM钢的辐照损伤研究,不同的材料在相同的辐照条件下会产生不同的辐照效应。通过SRIM模拟计算和正电子湮没谱学技术的结果分析可以知道,170 keV He~(2+)辐照ODS钢的损伤范围在600 nm左右。正电子湮没寿命结果显示辐照产生的缺陷尺寸都比较小,且缺陷类型为空位型缺陷。慢正电子束多普勒展宽测量进一步确定高剂量的He~(2+)辐照,He~(2+)易与空位结合,占据空位形成氦—空位复合体结构,辐照剂量为1×10~(16) cm~2时,形成的空位数量是最多的。样品表面的辐照损伤程度与辐照剂量呈现正相关,可以观察到有小空洞和析出物出现,5×10~166 cm~(-2)剂量辐照引起了表面的褶皱,这是由于在高注入剂量辐照区域向表面偏移,近表面区域形成严重的辐照损伤,可能有小氦泡的存在。X射线衍射结果显示辐照后的物相结构没有发生改变,氦致缺陷对于样品内的体相结构影响并不大。100 keV H~+辐照ODS钢和RAFM钢,辐照剂量分别为1×10~(15)、1×10~(16)、1×10~(17) cm~(-2)。ODS钢中氢离子产生的空位型缺陷,H~+与空位的结合能很低,易与空位形成复合体。高注入剂量1×10~(17) cm~(-2)的辐照缺陷类型发生变化,主要是尺寸相对较大的空位团或空洞以及辐照区向基体区过渡中存在的大量空位复合体。随着辐照剂量的增加,表面可以观察到出现大量的晶界,并且在其边缘有大量的析出物。平均晶粒尺寸是随着辐照剂量的增加而呈现增大的趋势,空位型缺陷对于样品的体相结构整体影响并不大。慢正电子束多普勒结果都显示出RAFM钢正电子湮没机制发生变化。注入剂量为1×10~(15) cm~(-2)时缺陷的尺寸总体没有发生变化,1×10~(16) cm~(-2)和1×10~177 cm~(-2)两种辐照剂量实验条件下的缺陷尺寸也跟随剂量的增大而有所增大,其中1×10~177 cm~(-2)辐照样品的尺寸变化最为显着,AFM图像观察到其表面局部出现轻微的肿胀且有大量小气泡产生。(本文来源于《东华理工大学》期刊2019-06-14）
陈宏[5]（2019）在《分子动力学模拟辐照损伤、点缺陷对单晶α锆力学性能的影响》一文中研究指出本文采用分子动力学首先研究了原子尺度下单晶α锆的辐照损伤动态过程,主要考察了温度、初级离位原子(PKA)能量及方向对辐照损伤的影响,发现温度升高会使Frenkel缺陷对数目呈现一个小幅度的下降趋势;PKA能量对辐照损伤影响最大,随PKA能量的增加,辐照产生Frenkel缺陷对数目稳步增加;PKA方向对Frenkel缺陷对数目影响不大,但对其分布有影响。然后对辐照损伤后的缺陷模型进行单轴[0001]方向的拉伸,发现辐照产生Frenkel缺陷对会显着降低单晶α锆的屈服强度,且随着PKA能量的增加,屈服强度呈现逐渐下降的趋势。通过对拉伸形变过程的微观结构演化分析,发现辐照产生缺陷给位错或位错环提供了成核的位置,从而引导了晶体发生孪生或滑移,引发晶体内位错的急剧增加,这是导致其屈服强度相对单晶α锆的有大幅度下降的原因。Frenkel缺陷对数目越多,位错成核越早,Frenkel缺陷对分布也会对位错成核快慢造成一定影响。本文又构造了叁种不同类型的点缺陷(空位、间隙原子、Frenkel缺陷对)模型进行力学拉伸模拟,发现间隙原子的屈服强度相较纯单晶α锆的下降最多,对单晶α锆的力学性能影响最大,其次是Frenkel缺陷对,空位最小。间隙原子相较于空位,在拉伸过程中更容易聚集演化形成位错或位错环等缺陷团。随着缺陷浓度的增加,Frenkel缺陷对(即间隙原子与空位)的复合减缓了间隙原子聚集形成位错环等缺陷团的速度。(本文来源于《武汉科技大学》期刊2019-06-01）
王蕾,邵竹锋,贾亚男,符博[6]（2019）在《石英玻璃辐照诱导缺陷结构的研究》一文中研究指出石英玻璃经辐照诱导产生色心缺陷导致石英玻璃光学透过率下降,影响石英玻璃在航天工程和核工程中的应用性能,本文基于国内外色心缺陷的研究进展,对辐致损伤的过程机制、色心缺陷的存在形式和转变过程、色心缺陷的测试方法等研究内容进行了综述。(本文来源于《中国建材科技》期刊2019年01期）
何金刚[7]（2019）在《氮化镓基器件电子辐照诱生缺陷表征和分析》一文中研究指出氮化镓(GaN)作为目前全球半导体研究的前沿和热点,其应用领域不断在拓展,从而使愈来愈多的GaN器件会工作在辐照环境中,辐照环境中的辐射粒子会在GaN器件内部诱生各种缺陷,进而影响器件的性能,因此有效的表征GaN器件辐照诱生缺陷对GaN器件在辐照环境下的应用具有重要的理论意义和实用价值。本文分别对GaN基发光二极管(LED)和AlGaN/GaN异质结进行1.5MeV电子辐照,剂量依次为1kGy、1OkGy和50kGy,然后用变频C-V特性测试、低频噪声测试、PL谱、TRPL谱、XRD测试和XPS测试手段对不同剂量电子辐照诱生的缺陷进行表征分析,主要研究工作和结果如下:1、对不同剂量电子辐照的GaN基LED进行了变频C-V特性测试和低频噪声测试,PL谱、TRPL谱和XRD测试。变频C-V测试结果表明电子辐照使器件内部产生复合中心点缺陷和界面态缺陷,且缺陷密度均随辐照剂量的增加而增加;低频噪声测试结果表明电子辐照在器件源区产生大量界面态缺陷,且缺陷密度随辐照剂量的增加而增加;PL谱测试结果表明电子辐照剂量使器件内产生了N空位缺陷、MgGa替位缺陷和MgGa-VN复合体缺陷。样品中辐射复合中心随辐照剂量的增加而增加,且辐照剂量为50kGy时产生的非辐射复合中心使LED发光强度降低;TRPL谱测试结果表明非平衡载流子浓度、辐射复合中心和非辐射复合中心密度随辐照剂量的增加而增加;XRD测试结果表明电子辐照使样品缺陷密度增加,同时在样品中产生VN或VGa空位缺陷和MgGa替位缺陷。2、对不同剂量电子辐照的AlGaN/GaN异质结外延片进行了变频C-V特性、XRD和XPS测试。变频C-V测试结果表明电子辐照使AlGaN/GaN异质结内部产生Ga受主缺陷,在异质结表面和异质界面均产生界面态缺陷,且Ga受主缺陷、表面态和界面态缺陷密度均随辐照剂量的增加而增加;XRD测试结果表明电子辐照在AlGaN/GaN异质结中产生VN和VGa空位缺陷,以及GaAl替位缺陷,且缺陷密度随辐照剂量的增加而增大;XPS测试结果表明电子辐照使异质结表面Al-O键断裂生成Ga-O导致异质结表面A12O3减少,Ga203增多,同时辐照使异质结表面产生Ga空位和N空位,且空位密度随辐照剂量的增加而增大。通过本论文的研究,能够将由电子辐照引起的器件性能变化与辐照诱生缺陷相结合,为将电子辐照应用于器件改性提供参考价值。(本文来源于《天津工业大学》期刊2019-01-24）
熊启林,李振环,田晓耕[8]（2018）在《激光辐照诱导铜纳米薄膜超快热力耦合行为与缺陷演化的分子动力学研究》一文中研究指出利用分子动力学模拟(MDS)方法研究了飞秒激光脉冲照射下<100>、<110>、<111>晶向的单晶铜薄膜的超快热机耦合响应和原子"飞溅"行为。结果表明:晶体取向对飞秒激光诱导单晶铜薄膜的热机耦合响应和原子"飞溅"行为有显着影响。不同晶向铜薄膜中应力的差异导致晶格温度的显着差异。不同晶型的铜薄膜表现出显着差异的原子"飞溅"行为,包括结构熔化(原子溅射)和断裂。<100>铜薄膜的熔化深度为50nm,且融化的部分不飞离薄膜表浅部区域。而<110>和<111>铜薄膜熔化深度约为60nm,融化的部分已经飞离薄膜结构。在<110>和<111>铜薄膜的固-液界面上形成位错和滑移带,但<100>铜薄膜没有这种现象。此外,对于<110>和<111>铜薄膜,由于机械应力在薄膜的非照射表面发生反射,在非照射表面区域附近发展许多滑移带并生成裂纹,进一步导致薄膜的断裂。(本文来源于《2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）》期刊2018-11-23）
吴连平,郁汶山,胡淑玲,申胜平[9]（2018）在《富含孪晶界金属铜的辐照缺陷及其演化》一文中研究指出采用分子动力学方法模拟金属材料受到辐照作用下的原子间多重级联碰撞(Multi-collision cascade)过程。针对具有不同孪晶界(Twin boundary)层间距的多层孪晶铜,系统考察了不同孪晶界层间距和不同辐照剂量对材料内点缺陷、位错和孪晶界演化模式和孪晶界迁移的影响规律。研究发现,由于辐照作用,孪晶界间的晶粒内部会产生大量的点缺陷、点缺陷团簇、层错四面体(Stacking Fault Tetrahedron)和位错环结构,此外辐照过程产生的位错环会诱发孪晶界迁移,而孪晶界迁移会进一步吸收辐照过程中产生的点缺陷、层错四面体和位错环。随着孪晶界层间距逐渐减小,层错四面体尺寸和数量会减小,表明较小孪晶界层间距材料具有一定的耐辐照能力。鉴于层错四面体缺陷对材料力学行为具有很大影响,进一步研究了不同材料中孪晶界附近层错四面体在剪切载荷作用下的稳定性问题。发现层错四面体在载荷作用下会发生位错分解现象,这会进一步导致层错四面体破坏或者构型翻转,此外孪晶界还会发生迁移现象。(本文来源于《2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）》期刊2018-11-23）
陈卫宾,刘学超,卓世异,柴骏,施尔畏[10]（2018）在《质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响》一文中研究指出采用电感耦合等离子体增强物理气相沉积法制备了Yb掺杂ZnO薄膜,并采用不同剂量质子对薄膜进行了辐照实验,重点采用X射线衍射、光电子能谱、正电子湮灭图谱和磁测量系统对Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜的缺陷和磁性能进行了研究。磁性测试结果表明:Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜经质子辐照后其饱和磁化强度随辐照剂量的增加逐渐增大,当辐照剂量为6×10~(15) ions/cm~2时,其饱和磁化强度达到最大,随着辐照剂量的进一步增加,其饱和磁化强度反而变小。正电子湮灭图谱结果显示薄膜中主要存在锌空位相关的缺陷,并且锌空位相关的缺陷随辐照剂量的变化与饱和磁化强度随辐照剂量的变化相一致。本研究从实验上揭示了在含有各种缺陷的Yb掺杂ZnO薄膜中,锌空位缺陷是影响质子辐照Zn_(0.985)Yb_(0.015)O薄膜磁性的主要原因。(本文来源于《无机材料学报》期刊2018年08期）
辐照缺陷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
高能粒子辐照在材料内部产生大量的辐照缺陷,如间隙原子、空位、位错环、空洞和气泡等.大量辐照缺陷的形成和演化引起材料微观结构的失稳并造成严重的辐照硬化和脆化.界面工程是一种调控材料抗辐照性能的有效方法.通过引入高密度的晶界、相界、自由表面等来增加空位和间隙原子的复合概率,能有效降低辐照缺陷的积聚,提高材料的结构稳定性,消除或减弱辐照的有害效应.本文简述了几种典型金属材料界面与不同类型辐照缺陷的交互作用机理,分析了界面结构、缺陷类型和辐照条件对交互作用过程的影响,最后讨论了本领域需进一步关注的热点问题,期望运用多学科知识和研究方法更好地揭示辐照损伤过程并设计新型抗辐照损伤材料.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
辐照缺陷论文参考文献
[1].张梓晗,宋力刚,靳硕学,曹兴忠,孙建荣.RAFM钢中H~+辐照空位型缺陷的慢正电子束研究[J].核技术.2019
[2].刘思冕,韩卫忠.金属材料界面与辐照缺陷的交互作用机理[J].物理学报.2019
[3].李明阳,张雷敏,吕沙沙,李正操.离子辐照和氧化对IG-110核级石墨中的点缺陷的影响[J].物理学报.2019
[4].张梓晗.低活化钢H/He辐照空位型缺陷的研究[D].东华理工大学.2019
[5].陈宏.分子动力学模拟辐照损伤、点缺陷对单晶α锆力学性能的影响[D].武汉科技大学.2019
[6].王蕾,邵竹锋,贾亚男,符博.石英玻璃辐照诱导缺陷结构的研究[J].中国建材科技.2019
[7].何金刚.氮化镓基器件电子辐照诱生缺陷表征和分析[D].天津工业大学.2019
[8].熊启林,李振环,田晓耕.激光辐照诱导铜纳米薄膜超快热力耦合行为与缺陷演化的分子动力学研究[C].2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）.2018
[9].吴连平,郁汶山,胡淑玲,申胜平.富含孪晶界金属铜的辐照缺陷及其演化[C].2018年全国固体力学学术会议摘要集（下）.2018
[10].陈卫宾,刘学超,卓世异,柴骏,施尔畏.质子辐照对Yb掺杂ZnO稀磁半导体薄膜缺陷与磁性的影响[J].无机材料学报.2018
论文知识图
