论文摘要
nBn型红外探测器可有效抑制产生--复合电流,进而提高探测器的工作温度。由于制备工艺可移植于III/V族成熟工艺以及存在晶格完全匹配的衬底等优势,InAsSb/AlAsSb材料是nBn型红外探测器的首选。简单介绍了InAsSb/AlAsSb nBn型红外探测器的研究现状、工作原理以及近期的研究成果。通过生长试验实现了良好的材料表面质量、晶体质量和光学性能。相关结果表明,在制备器件时,nBn结构中势垒层的掺杂浓度不应低于8×1016cm-3,否则就不利于减小nBn型器件的暗电流。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 周朋,温涛,邢伟荣,刘铭
关键词: 结构,高工作温度,暗电流
来源: 红外 2019年11期
年度: 2019
分类: 信息科技
专业: 无线电电子学
单位: 华北光电技术研究所
分类号: TN215
页码: 7-12
总页数: 6
文件大小: 1149K
下载量: 28
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