导读:本文包含了横向电阻论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:横向,电阻,应变,导通,传感器,电压,功率。
横向电阻论文文献综述
张永平,陈之战,石旺舟,章林文,刘毅[1]（2015）在《激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响》一文中研究指出采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7mJ增加到43.9mJ时,光导开关的导通电阻从295Ω降低到197Ω。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2015年05期）
胡文嘉,谢晓尧[2]（2014）在《双导层结构横向功率器件的导通电阻模型及应用研究》一文中研究指出横向高压器件是智能功率集成电路的核心器件,而漂移区结构参数是影响器件导通和击穿性能的重要因素。为此,提出了LDMOS叁种经典结构的导通电阻模型并研究了漂移区结构参数对导通电阻的影响,它们分别是:Single RESURF,Double RESURF,Dual conduction layer结构。然后借助这些模型研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、漂移区厚度对器件导通电阻的影响。利用MATLAB计算相同器件参数下模型的解析结果。对比模型的解析结果和仿真结果,发现解析结果和仿真结果基本一致,证明了解析模型的正确性。(本文来源于《贵州师范大学学报(自然科学版)》期刊2014年03期）
石艳梅,刘继芝,姚素英,丁燕红[3]（2014）在《具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构》一文中研究指出为降低绝缘体上硅(SOI)横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的导通电阻,同时提高器件击穿电压,提出了一种具有纵向漏极场板的低导通电阻槽栅槽漏SOI-LDMOS器件新结构.该结构特征为采用了槽栅槽漏结构,在纵向上扩展了电流传导区域,在横向上缩短了电流传导路径,降低了器件导通电阻;漏端采用了纵向漏极场板,该场板对漏端下方的电场进行了调制,从而减弱了漏极末端的高电场,提高了器件的击穿电压.利用二维数值仿真软件MEDICI对新结构与具有相同器件尺寸的传统SOI结构、槽栅SOI结构、槽栅槽漏SOI结构进行了比较.结果表明:在保证各自最高优值的条件下,与这叁种结构相比,新结构的比导通电阻分别降低了53%,23%和提高了87%,击穿电压则分别提高了4%、降低了9%、提高了45%.比较四种结构的优值,具有纵向漏极场板的槽栅槽漏SOI结构优值最高,这表明在四种结构中新结构保持了较低导通电阻,同时又具有较高的击穿电压.(本文来源于《物理学报》期刊2014年10期）
许生根[4]（2011）在《SOI横向高压低通态电阻MOS型器件研究》一文中研究指出随着SOI技术不断发展成熟,SOI高压集成电路因其隔离性能好、漏电流小、速度快、高温性能好和抗辐照等优点已成为功率集成电路的重要发展方向。MOS型功率器件由于良好的栅控能力和驱动电路简单等优点,逐渐取代双极型功率器件成为功率器件的主导产品。SOI横向高压功率器件是SOI高压集成电路的核心器件,受到研究人员的广泛关注。耐压能力和通态电阻一直是衡量SOI横向功率器件的重要指标。如何获得具有高耐压性能及低通态电阻的SOI横向MOS型功率器件,对功率集成电路的发展具有十分重要的意义。概述了近几年来国内外SOI横向功率器件耐压技术的研究和进展,总结了SOI横向功率器件的设计原理和设计方法基础上,对SOI LDMOS/LIGBT的通态电阻进行了建模分析。然后采用SILVACO TCAD软件对SOI LDMOS/LIGBT的截止态耐压性能、通态特性进行海量变参数仿真,优化后获得良好的器件性能。在器件的原理分析和仿真验证时发现了两个问题：CMOS工艺的迅速发展,良好深槽加工技术使得纵向沟道横向高压MOS型器件成为可能。但在SOI LDMOS由于槽栅的引入,使得器件在通态时在电路通路上增加了一个高阻的JFET区域。器件的耐压性能取决于其横向耐压和纵向耐压的较小者。由于SOI技术中衬底不参与耐压,纵向耐压成为耐压性能提高的瓶颈,使得传统SOI技术很难实现800V以上的耐压。针对槽栅SOI LDMOS通态电阻高的特点,提出了双槽栅(Double Trench Gate, DTG)SOI LDMOS结构。该结构是在槽栅SOI LDMOS的P阱区与漂移区之间增加另外一个槽栅结构,使得器件形成两条纵向的导电沟道。利用SILVACO TCAD软件对器件的结构参数进行设计与仿真验证,结果表明DTG SOI LDMOS有效地降低了槽栅SOI LDMOS的通态电阻,并且截止态耐压和饱和区跨导等性能得到改善。同时,还研究了采用标准CMOS工艺制造DTG SOI LDMOS的可行性。针对器件的纵向耐压瓶颈,提出了具有P埋层(Buried P-type Layer, BPL)的SOI横向高压器件结构。该结构是在传统SOI横向高压器件SOI层与埋氧层之间插入一个P型埋层。器件处于截止态时,SOI层与BPL层之间形成的反向PN结将承担大部分纵向耐压,摆脱了传统的SOI横向高压器件靠厚埋氧层承受纵向耐压的束缚。采用SILVACO TCAD分别对BPL SOI LDMOS和BPL SOI LIGBT的截止态耐压性能和通态特性进行辅助优化设计与仿真验证,结果表明两种结构不仅容易获得超过1400V的击穿电压,而且由于它们的埋氧层能降到几百纳米甚至更薄,它们的热学特性也能得到明显改善。BPL SOI LIGBT在通态时有部分电流从BPL中通过,增大了器件通态电流的横截面,降低了器件的导通功率损耗。最后根据期望器件性能指标要求对BPL SOI基衬底材料进行了设计,为BPL SOI横向高压器件的实现提供了衬底平台。(本文来源于《杭州电子科技大学》期刊2011-12-01）
庄重,张娜[5]（2010）在《电阻应变测试中横向效应误差分析》一文中研究指出电阻应变测试这种早期发展起来的测试技术在科学技术迅猛发展的今天仍焕发着勃勃生机,可见其重要性,有必要对其测试中的一些重要问题加以关注,以便得到更为精确地测试结果。本文就应变测试中的横向效应引起的误差做了一些分析。(本文来源于《科技传播》期刊2010年21期）
董冬,胥德峰[6]（2005）在《电阻应变片灵敏系数与横向效应系数测定》一文中研究指出本文报导了以电测原理和技术对应变式传感器用电阻应变片测量其灵敏系数和横向效应系数。得出了在-30℃、20℃、60℃温度场下,应变式传感器用电阻应变片的灵敏系数和横向效应系数值。其结果对于传感器精度的提高具有重要意义。(本文来源于《试验技术与试验机》期刊2005年Z1期）
王志娟,汤建华,于前洋[7]（2005）在《激光横向切割长度对片式电阻阻值影响的实验研究》一文中研究指出激光在片式电阻上的横向切割长度对阻值影响较大 ,合理设计其长度能够以较低成本提高激光调阻精度及调阻效率。通过实验数据分析得出激光横向切割的长度变化率与阻值变化率之间的定量结论 ,并拟合了有效横向切割长度的阻值变化率与切割长度变化率之间的关系函数 ,二者能够为提高调阻精度和调阻效率提供控制依据。(本文来源于《激光杂志》期刊2005年01期）
王炜,李德杰,姚保纶,张金驰[8]（2000）在《分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究》一文中研究指出提出了一种新型的分布串联横向电阻Spindt型FEA的制作工艺。通过溅射的办法制备了各层电极、绝缘层以及FEA电阻层。利用磁增强反应离子刻蚀设备 ,刻蚀出Mo薄膜电极图案和直径 1 μm ,深度 1 μm的SiO2 绝缘层圆孔。利用电子束双源蒸发设备 ,蒸发Al和Mo薄膜 ,得到Mo的微尖阵列 ,制成了分布串联横向电阻Spindt型FEA。最后得到了常规条件下可测量的场发射(本文来源于《微细加工技术》期刊2000年02期）
朱甫金,陶宝琪[9]（1998）在《正交各向异性材料电阻应变测量的横向效应修正》一文中研究指出本文讨论了电阻应变片测量正交各向异性材料应变的横向效应修正。将测量各向同性测量的表观弹性模量、表观泊松比推广应用于正交各向异性材料，得出了一组与广义虎克定律形式上相同的计算式，并讨论了横向效应对应力测量精度的影响。(本文来源于《实验力学》期刊1998年01期）
李晓峰,田金生,常本康[10]（1996）在《多碱阴极横向电阻和光电流监控研究》一文中研究指出叙述多碱阴极这种制作工艺简单而性能优良的半导体光电发射材料的应用，通过对多碱阴极制造过程中其横向电阻和光电流监控的原理分析，阐明多碱阴极的形成过程，提出改进多碱阴极制作工艺的措施。(本文来源于《应用光学》期刊1996年04期）
横向电阻论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
横向高压器件是智能功率集成电路的核心器件,而漂移区结构参数是影响器件导通和击穿性能的重要因素。为此,提出了LDMOS叁种经典结构的导通电阻模型并研究了漂移区结构参数对导通电阻的影响,它们分别是:Single RESURF,Double RESURF,Dual conduction layer结构。然后借助这些模型研究了漂移区掺杂浓度、漂移区长度、漂移区厚度对器件导通电阻的影响。利用MATLAB计算相同器件参数下模型的解析结果。对比模型的解析结果和仿真结果,发现解析结果和仿真结果基本一致,证明了解析模型的正确性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
横向电阻论文参考文献
[1].张永平,陈之战,石旺舟,章林文,刘毅.激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响[J].强激光与粒子束.2015
[2].胡文嘉,谢晓尧.双导层结构横向功率器件的导通电阻模型及应用研究[J].贵州师范大学学报(自然科学版).2014
[3].石艳梅,刘继芝,姚素英,丁燕红.具有纵向漏极场板的低导通电阻绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体器件新结构[J].物理学报.2014
[4].许生根.SOI横向高压低通态电阻MOS型器件研究[D].杭州电子科技大学.2011
[5].庄重,张娜.电阻应变测试中横向效应误差分析[J].科技传播.2010
[6].董冬,胥德峰.电阻应变片灵敏系数与横向效应系数测定[J].试验技术与试验机.2005
[7].王志娟,汤建华,于前洋.激光横向切割长度对片式电阻阻值影响的实验研究[J].激光杂志.2005
[8].王炜,李德杰,姚保纶,张金驰.分布串联横向电阻Spindt型FEA的研究[J].微细加工技术.2000
[9].朱甫金,陶宝琪.正交各向异性材料电阻应变测量的横向效应修正[J].实验力学.1998
[10].李晓峰,田金生,常本康.多碱阴极横向电阻和光电流监控研究[J].应用光学.1996
论文知识图
