导读:本文包含了硅各向异性腐蚀技术论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:各向异性,磁阻,氢氧化钾,单晶硅,硅片,转轴,湿法。
硅各向异性腐蚀技术论文文献综述
陈靓[1]（2017）在《基于各向异性磁电阻的非接触式转轴腐蚀电流检测技术研究》一文中研究指出舰船在海洋中航行时船壳会发生电化学腐蚀。采用阴极保护技术可以减小船壳腐蚀,但会产生腐蚀电流,并在舰船周围激发轴频电场。由于电场探测技术的发展和电场引信水雷的存在,轴频电场给舰船安全性带来了威胁。精确检测螺旋桨传动轴腐蚀电流的大小,是研究舰船外部电场和磁场的重要基础。然而传动轴腐蚀电流幅值变化范围大,检测环境复杂,干扰较大,精确测量转轴电流有较大难度。同时,为保证传动轴结构完整,不能使用采样电阻等简单方法进行电流测量。基于此,本文设计了一种非接触式的电流检测系统,具有高稳定性,高精度,抗干扰的特点。通电导线周围会产生环形磁场,通过检测磁场可以间接反映被测电流的大小。作者基于该原理,针对舰船螺旋桨传动轴腐蚀电流检测需求,设计了一个具有差分结构的空间测磁系统,实现在不接触传动轴的条件下间接检测传动轴腐蚀电流。作者选择性能优越、应用广泛的AMR(各向异性磁阻效应)传感器作为本系统的敏感元件。并使用双传感器对被测电流进行检测,通过差分处理后,可以消除环境磁场中对传感器产生的共模干扰。本文首先针对舰船螺旋桨传动轴电流产生的磁场进行了仿真,主要仿真了电流检测系统的可行性,传感器的安装方向,传感器的安装宽度,安装过程中的误差对实验结果的影响。针对这些仿真结果,对传感器安装条件提出了一些要求。然后,针对螺旋桨传动轴腐蚀电流检测范围和精度的要求,设计了高信噪比的硬件系统和信号处理软件。作者搭建了模拟的测试环境,对整个电流检测系统进行了实验验证。结果表明,系统可以检测±2A的电流,分辨率可达2mA,线性度优于全量程的0.5%,该系统能够有效检测螺旋桨传动轴腐蚀电流,并且系统具有良好的稳定性、线性度,以及较高的分辨率。在复杂的测量环境中,有一定的抗干扰能力。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-02-01）
李倩,崔鑫,李湘君[2]（2012）在《硅各向异性腐蚀技术研究》一文中研究指出针对两种补偿结构探讨了硅的凸角腐蚀补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了好的直角凸面补偿效果。(本文来源于《微处理机》期刊2012年06期）
万珊珊[3]（2009）在《硅器件湿法各向异性腐蚀加工技术研究》一文中研究指出由于单晶硅在各种高pH值的碱性溶液(如:EPW,KOH,NH_4OH,TMAH等)中表现出各向异性的腐蚀特性,因此在微电子学,微光学,微机械系统领域,体硅微机械技术得到广泛应用。在硅的微细加工中,在制作方面KOH工艺生产成本低,可重复,因此KOH是在硅的各项异性腐蚀中最常用的一种碱性溶液。本文研究了KOH各向异性腐蚀硅片的原理及硅在碱性溶液中各向异性腐蚀的机理模型,同时研究了KOH各向异性湿法对硅片进行背部减薄的实验,并用机械研磨法对硅片背部进行减薄,对比总结了两者实验结果并分析了影响表面现象的原因。(本文来源于《长春理工大学》期刊2009-03-01）
张为,姚素英,张生才,张维新[4]（2005）在《压力传感器中的各向异性腐蚀技术》一文中研究指出研究了半导体压阻式压力传感器制作中的关键工艺———硅各向异性腐蚀.采用两种腐蚀液:m(TMAH)∶V(H2O)=50g∶50ml和m(KOH)∶V(IPA)∶V(H2O)=50g∶15ml∶35ml,在80～85℃腐蚀,均获得了较为理想的效果.制作的1MPa多晶硅压力传感器的输出线性度、迟滞和重复性分别约为0.06%、0.02%和0.02%.(本文来源于《哈尔滨工业大学学报》期刊2005年06期）
李东宏,吴紫峰,孙晓冬[5]（2001）在《肼对硅片的各向异性腐蚀技术研究》一文中研究指出采用肼水溶液在各种条件下对硅片进行腐蚀 ,通过分析与腐蚀速率有关的因素 ,即改变腐蚀溶液温度和肼的质量分数 ,来提高腐蚀速率。整个实验过程实质就是寻求最佳腐蚀工艺条件 ,从而提高硅片的表面质量。(本文来源于《传感器技术》期刊2001年08期）
沈桂芬,吴春瑜,姚朋军,杨学昌,刘兴辉[6]（2001）在《各向异性腐蚀技术研究与分析》一文中研究指出本文详细分析了用各向异性腐蚀技术形成的压阻式压力传感器硅杯的几种腐蚀方法 ,根据实验提出了它们的优缺点 ,介绍了几种各向异性蚀的自致停止法和腐蚀中削角的补偿方法 ,对制造微量程、高灵敏度的压力传感器有一定的指导意义 .(本文来源于《传感技术学报》期刊2001年02期）
王丰,吕平临,李敬文[7]（2000）在《硅各向异性腐蚀技术》一文中研究指出论述了硅各向异性腐蚀技术在国内外的水平和友展趋势，攻关成果的推广应用前景。(本文来源于《黑龙江商学院学报(自然科学版)》期刊2000年02期）
战长青,庞江涛,刘理天,钱佩信[8]（1998）在《氢氧化钾各向异性腐蚀制作近似圆形单晶硅膜的掩膜补偿技术》一文中研究指出本文介绍我们通过掩膜图形的设计，在（１００）单晶硅上利用氢氧化钾各向异性腐蚀制作错综复杂的正八边形单晶硅膜的方法。据此技术可获得最小外接圆半径仅为腐蚀深度的２．６７倍的小尺寸正八边形单晶硅膜，其力学性能大大优于同样面积的等厚方形单晶硅膜，满足微动力机械的要求。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊1998年04期）
郑丹,李昕欣[9]（1993）在《利用硅的各向异性腐蚀技术批量制作压力传感器》一文中研究指出介绍一种新颖的采用硅的各向异性化学腐蚀工艺形成压力传感器的技术.给出了各向异性腐蚀的机理,报告了叁种不同腐蚀液(KOH,EPW,TMAH)的腐蚀工艺及实验结果.并结合腐蚀技术介绍了硅电容压力传感器的制作工艺.(本文来源于《沈阳化工学院学报》期刊1993年02期）
杨承志[10]（1992）在《硅的各向异性腐蚀及其在SDB介质隔离技术中的应用》一文中研究指出本文对硅的四种各向异性腐蚀剂的特点,腐蚀工艺条件和腐蚀效果进行了对比分析,选出了用以形成SDB介质隔离槽的最佳的腐蚀液和工艺。并讨论和分析了腐蚀槽的质量和影响质量的因素。最后指出了该工艺在SDB介质隔离岛形成中的一个应用。(本文来源于《电子器件》期刊1992年02期）
硅各向异性腐蚀技术论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对两种补偿结构探讨了硅的凸角腐蚀补偿原理,设计了补偿版图,并在KOH腐蚀液中进行实验验证,获得了好的直角凸面补偿效果。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅各向异性腐蚀技术论文参考文献
[1].陈靓.基于各向异性磁电阻的非接触式转轴腐蚀电流检测技术研究[D].华中科技大学.2017
[2].李倩,崔鑫,李湘君.硅各向异性腐蚀技术研究[J].微处理机.2012
[3].万珊珊.硅器件湿法各向异性腐蚀加工技术研究[D].长春理工大学.2009
[4].张为,姚素英,张生才,张维新.压力传感器中的各向异性腐蚀技术[J].哈尔滨工业大学学报.2005
[5].李东宏,吴紫峰,孙晓冬.肼对硅片的各向异性腐蚀技术研究[J].传感器技术.2001
[6].沈桂芬,吴春瑜,姚朋军,杨学昌,刘兴辉.各向异性腐蚀技术研究与分析[J].传感技术学报.2001
[7].王丰,吕平临,李敬文.硅各向异性腐蚀技术[J].黑龙江商学院学报(自然科学版).2000
[8].战长青,庞江涛,刘理天,钱佩信.氢氧化钾各向异性腐蚀制作近似圆形单晶硅膜的掩膜补偿技术[J].仪表技术与传感器.1998
[9].郑丹,李昕欣.利用硅的各向异性腐蚀技术批量制作压力传感器[J].沈阳化工学院学报.1993
[10].杨承志.硅的各向异性腐蚀及其在SDB介质隔离技术中的应用[J].电子器件.1992
论文知识图
