硅注入激活率论文_卢武星,刘洁,J．R．Liefting

导读:本文包含了硅注入激活率论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:离子束,缺陷,工程,论文。

硅注入激活率论文文献综述

卢武星,刘洁,J．R．Liefting^[1]（1997）在《离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高》一文中研究指出研究了运用离子束缺陷工程提高离子注入Si中掺杂激活率的新方法．MeV高能Si注入被有效地用于防止缺陷（损伤）层对P激活的有害影响，大大提高了掺杂杂质的平均激活水平．(本文来源于《北京师范大学学报(自然科学版)》期刊1997年04期）

硅注入激活率论文开题报告

硅注入激活率论文参考文献

[1].卢武星,刘洁,J．R．Liefting.离子束缺陷工程与离子注入激活率的提高[J].北京师范大学学报(自然科学版).1997

论文知识图

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