论文摘要
电子级多晶硅后处理工序的核心工艺是硅料化学清洗,目的是去除电子级多晶硅表面金属杂质,其清洗效果主要通过表金属检测来判定。此外,电子级多晶硅清洗后的表面形态检测也是评估清洗效果的常用方法。本文主要从电子级多晶硅清洗后表面呈现的氢终端与氧终端进行研究,测试了两种终端对其表面形态的影响,结果表明:以氢终端为主的电子级多晶硅表面粗糙度较大,而氧终端为主的电子级多晶硅表面吸附有机碳含量低于氢终端。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 于跃,厉忠海,李春松,高召帅,吴锋
关键词: 电子级多晶硅,化学清洗,氢氧终端
来源: 新型工业化 2019年10期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑,信息科技
专业: 无机化工,无线电电子学
单位: 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
基金: 国家重大专项(02专项),极大规模集成电路制造技术及成套工艺(项目编号：2014ZX02404),中央财政工业转型资金项目：电子级高纯多晶硅(项目编号：0714-EMTC02-5593)
分类号: TN304.12;TQ127.2
DOI: 10.19335/j.cnki.2095-6649.2019.10.014
页码: 59-62
总页数: 4
文件大小: 1115K
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