导读:本文包含了金属互连论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:金属,结构,纳米,格林,压印,正交,电学。
金属互连论文文献综述
王文惠,潘开林,龚似明,范凯[1]（2019）在《可延展电子通用金属互连结构电学特性分析》一文中研究指出为探究可延展通用互连结构的不同几何参数和拉伸率在高频条件下对电学性能的影响,利用有限元法对通用互连结构金属导线的电感与拉伸率和频率之间的变化关系进行研究。利用正交试验对通用互连结构的几何参数、拉伸率和频率对交流电感的影响进行了分析。结果表明,等效圆弧半径、等效水平线段、厚度以及斜线段是对导线交流电感的主要影响因素,为可延展通用互连结构的设计和优化提供了参考依据。(本文来源于《现代电子技术》期刊2019年24期）
杭京伟,张建成[2]（2019）在《一种求取复杂结构金属的互连电容的新算法》一文中研究指出为了求解导体间产生的寄生电容,提出一种新型随机算法,能快速并准确地计算出二维和叁维复杂结构金属间的互连电容。设计了以方形随机漫步为基础的停留介面法,可用于处理含有斜边导体和多层介电质结构;给出了电容矩阵的详细推导公式,应用口字型积分法求取了电场值;分析了取样点的布置和并行架构;最后与商业软件求出的寄生电容结果进行了对比,并分析了并行计算和串行计算的效率。结果表明,求解的寄生电容误差范围都可达业界要求3%以内;在32核计算机下,并行计算时间比串行计算时间快30倍。由此可见,此新算法可用于计算二维和叁维复杂结构,且不受限于矩形或梯形导体,且也不受限于介电质层数,可高效的计算出导体间产生的寄生电容。(本文来源于《科学技术与工程》期刊2019年24期）
顾学强[3]（2019）在《后道互连工艺中钨塞和金属空洞的研究》一文中研究指出对金属钨淀积工艺中温度对形貌和电学性质的影响进行研究,通过比较450℃和425℃金属钨化学汽相淀积工艺的差异,发现425℃下淀积的金属钨薄膜的方块电阻和标准偏差都略高于450℃下生长的金属钨薄膜。425℃工艺条件淀积的金属钨的通孔电阻高于450℃W条件下的接触电阻。从FIB结果看,425℃和450℃钨沉积均有发现空洞,450℃工艺条件下沉积的金属钨形成的接触孔空洞比425℃形成的空洞略小。同时研究了金属铝后道互连工艺中的金属空洞问题,发现在SEM照片中看到的金属空洞有些是由于工艺原因造成的,有些只是因为SEM制样造成的。而HDP的温度过高是金属空洞形成的可能性之一。尝试通过电学测量数据对金属空洞进行量化,但从数据可以得出结论利用ET数据对空洞问题进行量化还是比较困难。(本文来源于《集成电路应用》期刊2019年07期）
崔海坡,刘晓杰,邓登[4]（2018）在《金属互连线电迁移的影响因素》一文中研究指出应用有限元分析软件ABAQUS,对金属互连线的电迁移过程进行了电热耦合仿真分析,比较了不同互连线材料、不同温度、不同层间介质等因素对互连线电迁移失效的影响.结果表明,与铝硅合金互连线相比,在同样电流密度条件下,无论是电势梯度最大值还是热通量最大值,铜互连线的均高于铝互连线的,从而将加速互连线的电迁移;在一定的温度范围内,电流密度是影响互连线电迁移寿命的主要因素,而温度的变化对其影响较小;与SiO_2相比,SiN作为层间介质能够防止互连线中的热聚集,有利于互连线热量的散发,从而对于缓解电迁移具有积极的作用.(本文来源于《焊接学报》期刊2018年05期）
王杰[5]（2017）在《微通道内液—液不互溶两相界面控制及原位金属互连》一文中研究指出微流控技术是一门涉及流体力学、化学工程、生物工程、微纳技术等多个领域的交叉学科。随着制造和集成技术的提高,微流控器件向多功能化和智能化方向发展,其中电互连是基本条件。本文利用低雷诺数下的不互溶两相平行流界面开展原位金属互连研究。本文利用U形压力计和高压气瓶作为压力源设计搭建了复合气压驱动装置。该装置具有压力分辨率高、压力调节范围大的优点,为精确控制两相界面打下基础。重复性测试实验中发现通道壁面性质影响两相界面形态。当利用U形压力计进行驱动时,平行流界面稳定的时间超过0.5h。本文以驱动压力为参数,在宽度为240μm高度为10μm的Y型微通道内绘制油酸/水两相流型图。压力驱动可以容易地通过分析界面的受力平衡研究流型的转变。本文重点研究平行流和其他流型之间的转变。实验通过改变表面活性剂浓度、温度和壁面条件研究液-液相互作用和固-液相互作用对流型转变的影响。实验结果表明固-液相互作用对低雷诺数下的流型转变有明显的影响。通过在出口接入一定程度的真空,可以减弱固-液相互作用,从而使得两相流体的流阻明显减小。实验中在没有对通道壁面进行修饰,也未加入表面活性剂的情况下,得到雷诺数Re<10~(-2)的平行流,并且可以稳定1~3h。本文利用油酸铜正辛醇溶液-抗坏血酸水溶液不互溶两相进行原位合成金属研究。为了对微通道内界面反应产物进行表征,利用掩膜对键合面进行选择性氧等离子处理,设计出一种易拆卸同时密封性好的键合方式。利用该键合方式制作的微流控芯片可以在保持微通道内界面反应产物原始状态的前提下方便地打开。实验成功制备出局部连续的铜亚微米-微米线。铜亚微米-微米线主要是由排列在一起的“杯状”颗粒组成。本文提出两相界面反应主要由乳化和扩散两方面控制。两相首先在平行流界面处发生反应,使得界面附近反应物浓度发生变化,与此同时两相界面张力也发生变化。这些变化导致界面的变得不稳定,出现乳化现象。界面乳化形成的乳滴作为软模板,纳米颗粒吸附在乳滴两相界面上。不断扩散过来的反应物继续在乳滴界面上发生反应。通过纳米颗粒的自组装和长大得到“杯状”颗粒,最后制备出局部连续的铜亚微米-微米线。通过对界面反应的影响因素进行分析,指出控制界面张力和界面稳定性是提高界面反应产物连续性的关键。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2017-06-01）
蔡豫威[6]（2017）在《压印气体隔离及掺杂调控金属互连电特性研究》一文中研究指出近20年来,纳米压印技术取得了长足发展,因其高保真度、低成本、高产量、工艺简单等优良特点自2003年以来一直是国际半导体蓝图推荐的下一代图形转移技术备选之一。从热塑纳米压印技术开始,逐渐开发出紫外固化纳米压印技术、卷对卷纳米压印技术,逆压印技术,激光辅助气压纳米压印技术,电毛细力和电化学纳米压印技术,现在,金属图形直接转移纳米压印技术受到青睐,激光熔融,锋利硬掩模板压印、假塑性金属纳米粒子流体压印叁种技术路线可以实现微纳金属图形的直接转移。气压辅助纳米压印在施压均匀性方面具有明显优势,项目组提出的压缩式气压纳米压印利用施压腔室体积改变的途径均匀的对掩模板施压,减少施压气流扰动,压印均匀性进一步优化,掩模板使用寿命有效延长。为避免施压气体进入到掩模板基板之间,在掩模板周边制备O-ring结构粘合介质流体隔离施压气体,工艺过程中O-ring将占用基板圆周的部分面积,因此,O-ring的结构、表观形貌、宽度、高度等系列参数对施压气体隔离度、压印工艺成本、介质流体物理性质等方面都具有重要影响。文章讨论了O-ring宽度和上述参数之间的关系,对以后掩膜板的制造以及介质流体的选择具有指导意义。文章还讨论了以银纳米颗粒作为介质流体时,分散剂对实验得到的银颗粒分散性的影响,从而得到分散剂对银纳米颗粒线微结构导电性的影响;此外文章以其他金属的纳米颗粒(钼,钴,铬,钛,锰,镍)为掺杂量,实验条件下探讨了掺杂金属对银纳米颗粒线微结构导电性的影响。实验结果表明,在掺杂了金属颗粒后,表面形貌都不怎么好,在掺杂纳米颗粒后,微结构导电性变化不大,但存在差异。此外,导电性和掺杂量之间也表现出密切关系。(本文来源于《郑州大学》期刊2017-05-01）
马文婧[7]（2017）在《金属微互连结构中Kirkendall空洞和微裂纹生长行为的晶体相场法模拟研究》一文中研究指出金属微互连结构是集成电路(IC)系统和微电子封装中的重要组成部分。随着电子产品不断向微型化、多功能化和高可靠性方向发展,芯片和元器件的封装密度不断提高,微互连结构间距和尺寸越来越小,导致微互连结构反应界面层占整个微互连结构的体积分数不断增加,而界面层微观组织对微互连结构可靠性的影响非常大。在服役过程中微互连结构界面处常会出现由于金属原子迁移而产生较高密度的Kirkendall空洞和微裂纹,这两种微观缺陷的存在和发展可显着降低金属微互连结构的力学和电学性能,并对其可靠性有严重的影响,目前这方面的问题已成为理论和实验研究的热点之一。由于仅从实验表征难以捕捉和深入研究金属微互连结构中Kirkendall空洞和微裂纹的微观形貌,故而采用计算模拟的方法对Kirkendall空洞和微裂纹的形貌演化和生长行为进行研究显得尤为重要。随着计算机技术和材料科学的发展,在众多研究材料微观组织演化和生长行为的计算模拟方法中,建立在密度泛函理论基础上的晶体相场模型因其可以耦合材料的弹塑性变形、晶粒取向、各向异性等物理和力学特性而成为最有效的方法之一。本论文采用二元晶体相场模型对金属微互连结构中Kirkendall空洞的微观形貌和生长行为进行了系统模拟研究,阐明了金属微互连结构中合金层厚度、合金层杂质含量、合金界面对称性及取向和形变过程对金属微互连结构中Kirkendall空洞的微观形貌及生长行为的影响。随后,采用单组元晶体相场模型对金属微互连结构界面中微裂纹扩展过程进行了研究,分析了初始切口(空位聚集)区域属性、双向拉伸应变及晶粒取向角对金属微互连结构中微裂纹扩展行为的影响。采用二元晶体相场模型模拟研究金属微互连结构中合金层厚度与合金层杂质含量对界面Kirkendall空洞生长行为影响的结果表明,Kirkendall空洞的生长过程包含初始生长阶段和快速生长阶段;Kirkendall空洞的平均尺寸随时间的增加而增大,其数量随时间的增加呈现先增大后减小的变化规律。Kirkendall空洞的平均尺寸和生长指数随着合金层(β相)厚度和合金层杂质含量的增加而增大;合金层厚度和合金层杂质含量对Kirkendall空洞形核方式没有影响,其形核方式为体系形核点饱和后的晶界形核。进一步研究金属微互连结构中合金界面对称性和取向对界面Kirkendall空洞形貌及生长行为的影响规律后发现,Kirkendall空洞的形核方式为体系形核点饱和后的晶界形核,与界面对称性及取向差无关;Kirkendall空洞在小角度界面分布较均匀,在大角度界面分布不均匀且伴随有合并生长现象;Kirkendall空洞数量随时间增加呈现先增加后减少的变化规律;Kirkendall空洞的生长指数随着界面取向差的增加,呈现先减小后增大的变化规律,与界面对称性无关。对金属微互连结构界面Kirkendall空洞在不同形变条件下微观形貌及生长行为的研究发现,Kirkendall空洞的形核方式为体系形核点饱和后的晶界形核,并且形核后沿着平行于界面方向生长,Kirkendall空洞的平均尺寸随着演化时间和应变速率的增加而增大。在较大的恒定和双向循环应变速率情况下(≥7×10-6),Kirkendall空洞在演化后期发生明显的合并生长,其生长指数随恒定应变速率和单向循环应变速率的增加而增大。当双向循环应变速率大于1.0×10-6时,Kirkendall空洞的生长指数随应变速率的增加逐渐增大;当应变速率小于9.0×10-7时,Kirkendall空洞的生长指数随应变速率的增加呈现先增大后减小的变化规律。相同应变速率不同周期长度的改变对Kirkendall空洞生长尺寸的影响较小。相同双向循环的应变速率不同周期长度情况下,Kirkendall空洞生长指数随循环周期长度的增加呈现先增大后减小的变化规律;而相同的单向循环应变速率不同周期长度情况下,Kirkendall空洞生长指数随循环周期长度的增加呈现先减小后增大的变化规律。通过研究初始切口(空位聚集)区域属性、双向拉伸应变和晶粒取向对金属微互连结构界面微裂纹扩展行为的影响发现,随着演化时间的增加,微裂纹扩展长度和扩展面积逐渐增大;而微裂纹的扩展速率逐渐减小,扩展后期呈稳定状态。初始切口(空位聚集)区域为矩形时,相同演化时间下微裂纹扩展长度和扩展面积最大,扩展速率减小的最大;初始切口(空位聚集)区域为圆形时,相同演化时间下微裂纹扩展长度和扩展面积最小,扩展速率减小的最小。随着初始切口(空位聚集)区域原子密度的增加,微裂纹扩展过程中的扩展面积逐渐增加,扩展过程中二次裂纹和叁次裂纹的数量逐渐增加。在微裂纹初始切口(空位聚集)区域面积相同情况下,应变越大则越有利于微裂纹的扩展以及二次裂纹和叁次裂纹的产生。微裂纹扩展过程中,体系自由能随着演化时间的增加而减小。随着x方向应变和晶粒取向角的增加,微裂纹扩展过程中的原子间距和波动周期逐渐增大。(本文来源于《华南理工大学》期刊2017-04-12）
赵江,张雷,顾培楼,黄其煜[8]（2017）在《0.13μm嵌入式闪存金属互连短路失效分析与改进》一文中研究指出研究了一种0.13μm嵌入式闪存产品量产中常见的由于后段主要金属层互连短路引起的闪存电路读取数值失效的案例。通过采用电学失效分析和物理失效分析,成功观察到了含Cu成分较高的θ相(Al2Cu)在阻挡层TiN与Al-Cu金属薄膜界面处析出,导致Ti N刻蚀被阻止。由于Al-Cu物理气相沉积(PVD)时作业腔内的硅片表面温度接近350℃,推测θ相(Al_2Cu)的形成是硅片表面温度偏低所导致的。基于上述假设提出一个优化的Al-Cu物理气相沉积工艺方案,通过提高作业腔中硅片表面温度避免θ相生成。实验结果表明,新的工艺方案可以有效避免θ相(Al_2Cu)形成,并能解决金属互连短路的问题。(本文来源于《半导体技术》期刊2017年02期）
赵孟辉[9]（2016）在《Ni@Sn核壳结构双金属粉高温互连材料的制备与研究》一文中研究指出环境问题日益受到人们的重视,油动汽车逐渐被混合动力汽车和电动汽车所取代,混合动力汽车和电动汽车必将是汽车未来发展的趋势。在电动汽车和混合动力汽车中,功率器件是电力电子系统能够稳定运行的关键部件之一,其可靠性对汽车运行至关重要。SiC成为继Si之后,新一代很有潜力的半导体材料,与Si基半导体器件相比,SiC基的功率器件能够承受更高温度。采用这种半导体,在设计功率模块时,冷却不再是较大的限制因素,整体模块的体积和重量可以大幅度缩减。镍是一种较为稳定的元素,在电子封装中,与SnPb钎料的反应速度比铜要慢两个数量级,因而可以用作Cu的扩散阻隔层,在UBM(under-bump metallization)中有着广泛应用。根据Ni-Sn二元相图,二者可以形成的相有Ni3Sn、Ni3Sn2和Ni3Sn4;Ni/Sn扩散偶实验表明,Ni3Sn4是Ni-Sn首先生成的相,接着依次是Ni3Sn和Ni3Sn2,但后两者的形成速度较慢。在低温回流(250℃)时,以Ni3Sn4为主,而Ni3Sn4的熔点为794.5℃,这就可以获得低温回流高温使用的效果。在Ni-Sn TLP技术中,250℃条件下,其加工时间长达1-2 h,而且有大量锡的残余,所产生的Ni-Sn IMCs不均匀;如果提高加工温度,又会带来较大的残余应力不利于器件可靠运行。本课题采用一种Ni@Sn核壳结构的新思路来解决由Ni-Sn TLP技术产生的加工时间长、Ni-Sn IMCs不均等问题。Ni@Sn核壳结构是以Ni为核,以Sn为壳,借助于Ni核与Sn壳较大的接触面积,加快Ni与Sn之间冶金反应,缩减加工时间;同时,Ni@Sn由化学镀敷而成,在镀敷层厚度一定的情况下,是一种Ni与Sn成分比例相对固定的结构,这直接使得其回流后所形成焊缝中Ni-Sn IMCs均匀分布。鉴于直接由Ni@Sn粉末制成的钎料膏产生的空隙多,不利于其高温剪切强度,加上Sn在Ni上润湿差所产生的锡富集带来的不利影响,本课题选择将Ni@Sn粉末压制成片使用。回流实验中,首先通过XRD分析知,预制片在250℃条件下,回流约40 min,获得主相为Ni和Ni3Sn4,与预期相符。预制片用于Ni-Ni键合,在回流参数的优化过程中,本课题分析了压力、有机物残余、过量锡的析出等因素对焊缝焊接质量的影响并提出对应的解决方案,最终获得较好的连接。在钎料的性能测试与研究中,其电阻率、高温剪切强度、热膨胀系数和热导率被测试,其中钎料在500℃获得均值高达40.2 MPa的剪切强度,充分证明了Ni@Sn核壳结构预制片钎料的高温可行性。基于此,本课题对其优异的高温剪切性能进行了详细的讨论。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2016-12-01）
左锋,潘开林,秦晴,杨帆,蒋廷彪[10]（2016）在《可延展电子金属导线通用互连结构延展性表征研究》一文中研究指出针对当前可延展电子互连结构性能分析复杂、结构设计不确定性等问题,将国内外常用的互连结构图形进行了总结分析,提出了一种通用互连结构图形,通过改变该图形的结构参数可以变成常用的一些互连结构,在此基础上基于梁结构理论针对提出的图形结构,采用能量法推导计算自由状态下通用互连结构的拉伸位移公式和弯曲位移公式,同时根据胡克定理结合推导的位移公式推导出了相应的拉伸刚度和弯曲刚度。为了验证该通用互连结构拉伸刚度和弯曲刚度的正确性及通用性,建立了有限元数值仿真模型进行验证。验证结果表明:该通用互连结构图形的刚度公式是正确性且具备通用性,金属导线通用互连结构的延展性起到一定的表征作用,为可延展电子金属互连导线的结构设计提供一定参考价值。(本文来源于《机电工程》期刊2016年07期）
金属互连论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了求解导体间产生的寄生电容,提出一种新型随机算法,能快速并准确地计算出二维和叁维复杂结构金属间的互连电容。设计了以方形随机漫步为基础的停留介面法,可用于处理含有斜边导体和多层介电质结构;给出了电容矩阵的详细推导公式,应用口字型积分法求取了电场值;分析了取样点的布置和并行架构;最后与商业软件求出的寄生电容结果进行了对比,并分析了并行计算和串行计算的效率。结果表明,求解的寄生电容误差范围都可达业界要求3%以内;在32核计算机下,并行计算时间比串行计算时间快30倍。由此可见,此新算法可用于计算二维和叁维复杂结构,且不受限于矩形或梯形导体,且也不受限于介电质层数,可高效的计算出导体间产生的寄生电容。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
金属互连论文参考文献
[1].王文惠,潘开林,龚似明,范凯.可延展电子通用金属互连结构电学特性分析[J].现代电子技术.2019
[2].杭京伟,张建成.一种求取复杂结构金属的互连电容的新算法[J].科学技术与工程.2019
[3].顾学强.后道互连工艺中钨塞和金属空洞的研究[J].集成电路应用.2019
[4].崔海坡,刘晓杰,邓登.金属互连线电迁移的影响因素[J].焊接学报.2018
[5].王杰.微通道内液—液不互溶两相界面控制及原位金属互连[D].哈尔滨工业大学.2017
[6].蔡豫威.压印气体隔离及掺杂调控金属互连电特性研究[D].郑州大学.2017
[7].马文婧.金属微互连结构中Kirkendall空洞和微裂纹生长行为的晶体相场法模拟研究[D].华南理工大学.2017
[8].赵江,张雷,顾培楼,黄其煜.0.13μm嵌入式闪存金属互连短路失效分析与改进[J].半导体技术.2017
[9].赵孟辉.Ni@Sn核壳结构双金属粉高温互连材料的制备与研究[D].哈尔滨工业大学.2016
[10].左锋,潘开林,秦晴,杨帆,蒋廷彪.可延展电子金属导线通用互连结构延展性表征研究[J].机电工程.2016
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