纳米线阵列论文_陈玉华

导读:本文包含了纳米线阵列论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:纳米,阵列,石墨,光电效应,沟道,单晶硅,结构。

纳米线阵列论文文献综述

陈玉华^[1]（2019）在《石墨烯/聚苯胺纳米线阵列的制备》一文中研究指出本文采用原位聚合法首先制备氧化石墨烯(GO)-聚苯胺(PANI)纳米线阵列复合材料(GO/PANI),随后还原该复合材料中的氧化石墨烯得到石墨烯-聚苯胺(RGO/PANI)纳米线状的复合材料并研究其各种性能,研究结果表明,在保持良好的充放电可逆性及循环稳定性。(本文来源于《内燃机与配件》期刊2019年24期）

张丽莹,杨兵旺,王凌晨,贺加贝^[2]（2019）在《“铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究”综合实验设计》一文中研究指出结合科学研究工作和本学科前沿方向设计了"铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究"综合实验,该实验过程涵盖了材料制备、物理性能表征、光降解性能测试、葡萄糖检测性能测试等,研究涉及扫描电镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、电化学工作站等仪器的应用。通过该实验使学生对功能材料有进一步了解,提高学生的综合素质和对科学研究的热情。(本文来源于《实验技术与管理》期刊2019年11期）

谢关才,Saad,Ullah,Jan,董泽健,代亚雯,Rajender,Boddula^[3]（2020）在《GaP/GaPN核壳纳米线阵列修饰的硅光阴极的光电化学制氢反应（英文）》一文中研究指出能够大规模同时提升电极的催化效率和稳定性对光电化学分解水系统的开发具有重要意义.硅是一种地球储量丰富且成熟的工业材料,由于其合适的带隙(1.1 eV)和优异的导电性,已被广泛用于光电化学制氢反应.然而,缓慢的表面催化反应和在电解液中的不稳定性限制了其在太阳能制氢中的实际应用.Ⅲ–Ⅳ族半导体材料也具有较高的载流子传输特性且被广泛用于光电器件.其中, GaP的直接带隙和间接带隙分别为2.78和2.26 eV,可与硅组成串联型光电极用于光电化学分解水.然而, GaP的光腐蚀电位位于禁带中,很容易在光电催化过程中发生光腐蚀而导致性能大幅下降.本文报道了一种新型的GaP/GaPN核/壳纳米线修饰的p型硅(p-Si)串联型光阴极,同未修饰的p-Si相比,其光电化学制氢性能更高.这可归因于以下几点:(1)p-Si和Ga P纳米线之间形成的p-n结促进了电荷分离;(2)Ga PN相对于Ga P具有更低的导带边位置,进一步促进了光生电子向电极表面的转移;(3)纳米线结构既缩短了光生载流子的收集距离,又增加了比表面积,从而加快了表面反应动力学.此外,在Ga P中引入氮元素还提高了体系的光吸收和稳定性.我们所提出的高效、简便的改进策略可应用于其他的太阳能转换体系.利用简单的化学气相沉积法制备GaP/GaPN核/壳纳米线修饰的p-Si光阴极.首先在p-Si衬底上利用Au纳米颗粒作为催化剂生长Ga P纳米线;然后,去除Au催化剂,并在氨气中退火便形成了GaP/GaPN核壳纳米线.高分辨透射电子显微镜,拉曼光谱和X射线光电子谱的表征结果均证实了氨气退火使得Ga P纳米线表面形成了GaPN的薄壳层,同时证明了GaP/GaPN核壳纳米线具有可调的核壳结构.在模拟太阳光下作为光阴极用于光解水制氢反应时, GaP/GaPN核壳纳米线修饰的p-Si光阴极的起始电位为～0.14 V,而未修饰的p–Si电极的起始电位大约在-0.77 V.而且, GaP/GaPN核/壳纳米线修饰的p-Si光阴极比未修饰的p-Si光阴极具有更高的光电流密度,在水的还原电位下,其光电流密度为-0.3 mAcm~(–2),且饱和光电流密度在-0.76 V时达到了-8.8 mAcm~(–2).此外, GaP/GaPN核/壳纳米线修饰的p–Si光阴极的光电化学活性在10h内没有发生明显下降.由此可见GaP/GaPN核/壳纳米线可以规模化有效地提升Si光电极的催化效率和稳定性.(本文来源于《Chinese Journal of Catalysis》期刊2020年01期）

闫慧君,白建伟,王玉,周红霞,景晓燕^[4]（2019）在《负载高性能MnO_2@Ni(OH)_2核/壳纳米线阵列碳布电极的非对称超级电容器性能研究》一文中研究指出通过两步法在碳布(CC)上成功制备MnO_2@Ni(OH)_2核/壳纳米线阵列(NWAs),并应用于柔性全固态非对称超级电容器(ASCs)中。Ni(OH)_2纳米片整齐地包覆在每个MnO_2纳米线上,与纯MnO_2纳米线相比获得了更高的比电容值(在扫描速率为5mV/s时,比电容值为432.8F/g)。该电极材料同时具有良好的循环稳定性,在5A/g下充放电2000圈后,仍保持初始比电容的92.3%。自组装的MnO_2@Ni(OH)_2//MnO_2 ASC具有1.8V的宽电势窗口,输出了高能量密度(69.2Wh/kg)和高功率密度(当54.6Wh/kg时4.5kW/kg)。结果表明,MnO_2@Ni(OH)_2 NWAs以碳布作为柔性基底,拥有高比表面积可以被大规模地应用在超级电容器领域中。(本文来源于《材料工程》期刊2019年11期）

毕胜,李奇昆,江诚鸣^[5]（2019）在《逆结构OLED栅极控制纳米线阵列通道的高性能双压电集成光电晶体管》一文中研究指出压电光电效应在光电系统、延展光学加工、生物医学诊断和通信中具有潜在的革命性应用。我们报告一种新的结构装置,双压电光电晶体管(DPPT),基于压电逆结构有机发光二极管(OLED)作为栅极控制和压电纳米线(NWS)阵列作为电荷传输通道,以实现在刺激栅电极和金属-半导体-金属通道中由压电光电效应引起的可调谐大的增强。在OLED栅极和纳米线沟道中分别沿垂直方向和水平方向上生长的c方向上的ZnO纳米线,在不同的弯曲/应变方向和不同程度上进行了电子产生以及电场分布的系统分析。在机械变形下的压电光电晶体管与没有变形的ON/OFF比值几乎为106相比,产生的电流开/关比高出80倍以上。集成的DPPT的增强,利用压电光电效应的极端优势,可能在各种光电器件和灵活的集成系统中创新应用的机会。(本文来源于《第二十届全国光散射学术会议（CNCLS 20）论文摘要集》期刊2019-11-03）

李志杰,王晓艳,田鸣,张旭东,杨林^[6]（2019）在《AlN纳米线阵列的光学性质及第一原理计算》一文中研究指出为了制备均匀的宏观AlN纳米线阵列,采用化学气相沉积法在二次模板上成功地合成了AlN纳米线宏观阵列.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子能谱仪和紫外-可见光光度仪测试了AlN纳米线阵列的结构、形貌和紫外发光性能.结果表明,AlN纳米线阵列分布均匀,AlN纳米线的平均直径与平均长度分别约为41 nm和1. 8μm. AlN纳米线的分布密度约为5. 4×107mm-2,其覆盖率约为7. 1%. AlN纳米线在150～310 nm范围内具有很好的吸光性能.利用第一原理计算得到的AlN纳米线光学性质与实验结果相符.(本文来源于《沈阳工业大学学报》期刊2019年05期）

李小丽,薛文明,莫容,杨穗,李红星^[7]（2019）在《微量铱掺杂Co_xNi_(1-x)O纳米线阵列的制备及其电催化性能（英文）》一文中研究指出电催化剂可以降低水分解反应的活化能与相应的过电势,提高电解水的制氢效率.Pt、Ru等贵金属颗粒是最常见的高催化活性材料,但其高昂成本严重限制了它们在工业上的广泛应用.因此,开发以非贵金属为基础的高活性材料是未来实现大规模工业制氢的有效手段.本文以Co_xNi_(1-x)O纳米线阵列为结构骨架对其进行微量的铱(Ir)掺杂,同时将Ir的掺杂量控制在1%以下,并系统地研究了Ir-Co_xNi_(1-x)O材料的析氢反应(HER)、析氢反应(OER)和全解水性能.实验发现,微量Ir掺杂可以有效提升Co_xNi_(1-x)O纳米材料的电化学性能.当Ir在样品的含量仅为0.57 wt%时, Ir掺杂的Co_xNi_(1-x)O样品具有最优异的HER和OER性能.特别地,在1 mol L~(–1) KOH电解液中电流密度达到10 mA cm~(-2)时的HER过电势仅为260 mV, OER过电势仅为53 mV.将Ir (0.57 wt%)-Co_xNi_(1-x)O/NF样品作为双功能催化剂用于全解水的阳极和阴极时产生10 mAcm~(-2)电流密度需要施加的电压仅为1.55 V.采用第一性原理(DFT)对Ir元素掺杂在调控Co_xNi_(1-x)O的电子结构和HER以及OER反应中被吸附物吉布斯自由能的改变等方面进行了量化计算.结果表明, Ir掺杂后Co_xNi_(1-x)O总的态密度向导带移动,带隙内电子的相互作用增强,相应的禁带宽度变小,表现为半金属的导电类型,说明Ir掺杂提高了Co_xNi_(1-x)O材料的导电性.相应的吉布斯自由能计算结果表明, Ir掺杂后材料表面对氢原子吸附的活性加强,?GH*由原来的0.823 eV变为0.523 eV,更加接近理想催化剂的值.同样地,计算表明Co_xNi_(1-x)O在参与OER反应时对中间体吸附的吉布斯自由能在Ir掺杂后也得到降低.(本文来源于《Chinese Journal of Catalysis》期刊2019年10期）

童中英,谢天,叶新辉,夏辉,李菊柱^[8]（2019）在《纳米线阵列高效太阳能转换的原理和研究进展》一文中研究指出首先从热力学角度讨论减少太阳能光伏结构效率损失,特别是光学熵损失的原理和途径,然后介绍半导体纳米线阵列在降低材料使用率的同时有效实现陷光和降低发射角的结构设计,其中由直径渐变纳米线形成的非周期阵列具有可见到近红外宽波段的导模共振陷光能力,同时极低的发射角大幅度地抑制了自发辐射引起的光子损失,成为有望突破Shockley-Queisser转换效率极限的光伏结构.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年04期）

张聪,温强^[9]（2019）在《氧化锌纳米线阵列的制备方法》一文中研究指出氧化锌(ZnO)纳米线阵列结构表现出比块体材料更好的发光性能、导电性能和光电性能等,从2001年后受到研究人员的广泛关注,创新了多种制备方法,如水热合成法、化学气相沉积法、模板限制辅助生长法、金属有机气相外延生长法等,文章就ZnO纳米线阵列的制备方法进行简要概述。(本文来源于《化工管理》期刊2019年22期）

何祖东,耿超,邱佳佳,杨玺,席风硕^[10]（2019）在《一步纳米银催化刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列》一文中研究指出通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线,并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO_3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律.研究结果表明:较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成,这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷,同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低,更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列;在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中,溶液中AgNO_3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用,AgNO_3浓度过低或过高时,硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇,Ag NO3浓度为0. 02 mol·L~(-1)时,硅纳米线会生长变长,最终形成多孔硅纳米线阵列.随着硅纳米线的增长,纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象;且当HF溶液浓度超过4. 6 mol·L~(-1)时,随着HF酸浓度的增加,硅纳米线的长度随之增加.同时,硅纳米线的顶部有多孔结构生成,且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多,这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核,导致硅纳米线侧向腐蚀的结果.最后,根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释,归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解.(本文来源于《工程科学学报》期刊2019年07期）

纳米线阵列论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

结合科学研究工作和本学科前沿方向设计了"铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究"综合实验,该实验过程涵盖了材料制备、物理性能表征、光降解性能测试、葡萄糖检测性能测试等,研究涉及扫描电镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、电化学工作站等仪器的应用。通过该实验使学生对功能材料有进一步了解,提高学生的综合素质和对科学研究的热情。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

纳米线阵列论文参考文献

[1].陈玉华.石墨烯/聚苯胺纳米线阵列的制备[J].内燃机与配件.2019

[2].张丽莹,杨兵旺,王凌晨,贺加贝.“铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究”综合实验设计[J].实验技术与管理.2019

[3].谢关才,Saad,Ullah,Jan,董泽健,代亚雯,Rajender,Boddula.GaP/GaPN核壳纳米线阵列修饰的硅光阴极的光电化学制氢反应（英文）[J].ChineseJournalofCatalysis.2020

[4].闫慧君,白建伟,王玉,周红霞,景晓燕.负载高性能MnO_2@Ni(OH)_2核/壳纳米线阵列碳布电极的非对称超级电容器性能研究[J].材料工程.2019

[5].毕胜,李奇昆,江诚鸣.逆结构OLED栅极控制纳米线阵列通道的高性能双压电集成光电晶体管[C].第二十届全国光散射学术会议（CNCLS20）论文摘要集.2019

[6].李志杰,王晓艳,田鸣,张旭东,杨林.AlN纳米线阵列的光学性质及第一原理计算[J].沈阳工业大学学报.2019

[7].李小丽,薛文明,莫容,杨穗,李红星.微量铱掺杂Co_xNi_(1-x)O纳米线阵列的制备及其电催化性能（英文）[J].ChineseJournalofCatalysis.2019

[8].童中英,谢天,叶新辉,夏辉,李菊柱.纳米线阵列高效太阳能转换的原理和研究进展[J].红外与毫米波学报.2019

[9].张聪,温强.氧化锌纳米线阵列的制备方法[J].化工管理.2019

[10].何祖东,耿超,邱佳佳,杨玺,席风硕.一步纳米银催化刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列[J].工程科学学报.2019

论文知识图

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