导读:本文包含了激子扩散长度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅,量值恒定表面光电压法,少子扩散长度,锁相放大器
激子扩散长度论文文献综述
邓韡,陈长缨,洪岳,傅倩[1]（2010）在《量值恒定的表面光电压法测量半导体少子扩散长度的研究》一文中研究指出为了在保持材料完整性的基础上,对单晶硅材料的质量进行评价,设计了一种利用表面光电压测量半导体少子扩散长度的系统。系统采用斩波器、单色仪和锁相放大器来获取半导体表面光电压信息,利用表面光电压与材料的光吸收系数的关系得出半导体少子扩散长度。重点阐述了系统的测量原理及各个模块的设计与实现方法。检测结果表明,量值恒定的表面光电压法用于测量半导体少子扩散长度能达到预期的效果。(本文来源于《半导体光电》期刊2010年05期）
李海雁,杨锡震[2]（2005）在《利用EBIC测定GaP LPE样片的少子扩散长度》一文中研究指出对电子束入射方向与结面平行情形中电子束感生电流(EBIC)曲线线形进行了理论分析.阐述了E-BIC的基本原理和计算方法,并利用EBIC对一组GaP绿色LED用LPE样片进行少子扩散长度测量.(本文来源于《云南大学学报(自然科学版)》期刊2005年S3期）
李永良,杨锡震,周艳,王亚非[3]（2001）在《EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度》一文中研究指出应用扫描电子显微镜 (SEM )对GaP半导体材料的 p n结进行线扫描 ,得到电子束感生电流 (EBIC)的线扫描曲线 .给出一简单模型 ,对GaP样品n区的EBIC线形进行计算 ,拟合实验曲线 ,得出少子扩散长度和表面复合速度(本文来源于《北京师范大学学报(自然科学版)》期刊2001年01期）
李永良,杨锡震,周燕,李承基,李蕴言[4]（2000）在《EBIC测定GaPLPE样片的少子扩散长度》一文中研究指出少数载流子扩散长度(L)是半导体材料的一个重要参量,它反映了晶体的完整性,与晶体的结晶质量、掺杂及晶体缺陷等有关。扫描电子显微镜(SEM)的电子束感生电流(EBIC)被广泛地用于测定少子扩散长度,其优点是通过改变电子束的加速电压,就能精确地控制激发源的大(本文来源于《电子显微学报》期刊2000年04期）
李永良,杨锡震,周燕,李承基,李蕴言[5]（2000）在《EBIC测定GaPLPE样片的少子扩散长度》一文中研究指出少数载流子扩散长度( L )是半导体材料的一个重要参量,它反映了晶体的完整性,与晶体的结晶质量、掺杂及晶体缺陷等有关。扫描电子显微镜( SEM)的电子束感生电流( EBIC)被广泛地用于测定少子扩散长度,其优点是通过改变电子束的加速电压,就能精确地控制激(本文来源于《第十一次全国电子显微学会议论文集》期刊2000-06-30）
王兴孔[6]（1999）在《用光电流——电容法测量太阳电池的少子扩散长度》一文中研究指出少子扩散长度是太阳电池的一个非常重要的参数。一般说来,少子扩散长度越长,太阳电池材料的品质越高,太阳电池转换太阳能的效率越高。本文所介绍的光电流——电容法是一种简单有效的测量方法。用单色光照射样品表面,并在样品双极加上反向偏压。如果入射光的能量与太阳电池材料的禁带宽度相近,在一定反向偏压的范围内结电容的倒数与光电流成正比关系。通过测量反向偏置下样品的光电流及结电容,就可计算出少子扩散长度。(本文来源于《德州师专学报》期刊1999年04期）
屠海令,朱悟新,王敬,周旗钢,张椿[7]（1999）在《表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究》一文中研究指出表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响 .(本文来源于《半导体学报》期刊1999年03期）
丁扣宝,张秀淼[8]（1996）在《注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟》一文中研究指出通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏（ＳＰＶ）法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时，少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1996年03期）
王宗欣,褚幼令[9]（1996）在《GaAs、Al_xGa_（1－x）As外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测》一文中研究指出用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光电导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算少子扩散长度和从横向磁阻计算霍耳迁移率的方法，并且由此算得外延层的少于扩散长度和霍耳迁移率．本方法对被测样品的几何形状和尺寸无特殊要求，测试区域小于５×５ｍｍ２，具有无损伤、不污染的优点，并配有微机控制，测试迅速方便．(本文来源于《半导体学报》期刊1996年08期）
陈朝,王健华[10]（1996）在《p－GaAs／n－GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析》一文中研究指出用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪上对用国产ＭＯＣＶＤ设备生长的九个ｐ－ＧａＡｓ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少于扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析．结果表明，Ｌｎ－ＮＡ关系对反应管的清洁度非常敏感．如果反应管经严格清洗，并仅生长ＧａＡｓ材料，那么Ｌｎ－ＮＡ关系同前人报道的无沾污生长的样品基本一致；否则Ｌｎ值就明显偏小．用本方法测定ＧａＡｓ外延层的Ｌｎ值具有简便、准确的优点，可作为检测ＧａＡｓ外延层质量的重要手段．(本文来源于《半导体学报》期刊1996年03期）
激子扩散长度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对电子束入射方向与结面平行情形中电子束感生电流(EBIC)曲线线形进行了理论分析.阐述了E-BIC的基本原理和计算方法,并利用EBIC对一组GaP绿色LED用LPE样片进行少子扩散长度测量.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
激子扩散长度论文参考文献
[1].邓韡,陈长缨,洪岳,傅倩.量值恒定的表面光电压法测量半导体少子扩散长度的研究[J].半导体光电.2010
[2].李海雁,杨锡震.利用EBIC测定GaPLPE样片的少子扩散长度[J].云南大学学报(自然科学版).2005
[3].李永良,杨锡震,周艳,王亚非.EBIC测定GaP的少子扩散长度和表面复合速度[J].北京师范大学学报(自然科学版).2001
[4].李永良,杨锡震,周燕,李承基,李蕴言.EBIC测定GaPLPE样片的少子扩散长度[J].电子显微学报.2000
[5].李永良,杨锡震,周燕,李承基,李蕴言.EBIC测定GaPLPE样片的少子扩散长度[C].第十一次全国电子显微学会议论文集.2000
[6].王兴孔.用光电流——电容法测量太阳电池的少子扩散长度[J].德州师专学报.1999
[7].屠海令,朱悟新,王敬,周旗钢,张椿.表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究[J].半导体学报.1999
[8].丁扣宝,张秀淼.注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟[J].固体电子学研究与进展.1996
[9].王宗欣,褚幼令.GaAs、Al_xGa_（1－x）As外延层少子扩散长度及霍耳迁移率的无接触测[J].半导体学报.1996
[10].陈朝,王健华.p－GaAs／n－GaAs MOCVD外延层少子扩散长度的液结光伏谱测量和分析[J].半导体学报.1996
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