导读:本文包含了硅薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硅薄膜,工艺参数,温度,沉积速度
硅薄膜论文文献综述
张小亮,王兆希[1]（2019）在《硅薄膜的制备工艺参数及材料性能》一文中研究指出用化学沉积法制备硅薄膜时影响成膜质量和速度的因素非常复杂,主要包括气体浓度、流速、温度、压力等,通过研究掺杂气体浓度比例和温度对硅薄膜的成膜质量和成膜速度的影响可知,在一定范围内随着掺杂气体比例的增加成膜速度降低;在其他参数确定时,随着温度的升高,成膜速度提高,孔隙率先降低后增加,即硅薄膜质量先变好再变差。900℃沉积的硅薄膜相对光滑,有一定的致密度,硅薄膜质量较好。实验结果表明:较佳的实验参数为较低的掺杂气体,沉积温度设定在850℃～950℃成膜质量较好。(本文来源于《北京工业职业技术学院学报》期刊2019年04期）
付学成,权雪玲,乌李瑛,瞿敏妮,王英[2]（2019）在《ICP-CVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索》一文中研究指出制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICP-CVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力随不同工艺参数变化的原因。根据研究结果,我们优化了氮化硅薄膜沉积的工艺参数,在70℃低温条件下,制备出厚度160 nm,应力0.03 MPa的低应力氮化硅介质薄膜。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年10期）
罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我[3]（2019）在《镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究》一文中研究指出本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系(CNA:HNO_3:H_2O)中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽(15±1)μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。(本文来源于《真空》期刊2019年05期）
杨秀钰,陈诺夫,张航,陶泉丽,徐甲然[4]（2019）在《对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结》一文中研究指出本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(pc-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层(n+-a-Si),最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si膜(包括i-a-Si和n+-a-Si)晶化程度以及p-n结深度的影响,利用拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)仪、台阶仪、扫描电镜(SEM)等对a-Si膜进行表征,并利用金相显微镜测量p-n结(采用磨角染色法染色)深度,从而获得制备p-n结的最佳扩散温度和时间。(本文来源于《材料导报》期刊2019年20期）
阳耀月[5]（2019）在《硅晶圆表面氧化硅薄膜的化学沉积及温度对反应动力学的影响研究》一文中研究指出为推动开发硅基太阳能电池单面制绒工艺,本研究利用化学湿法在Si晶圆表面构建了均一的SiO_2膜(记为SiO_2@Si),动力学研究表明膜生长速率从(1.1±0.01) nm·min~(-1)(30℃)逐渐增至(4.9±0.41) nm·min~(-1)(70℃),这与该沉积反应的吸热特性相符。(本文来源于《山东化工》期刊2019年15期）
张栋,柯培玲,汪爱英,王香勇,智理[6]（2019）在《用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能》一文中研究指出用PECVD技术制备氧化硅薄膜,研究了生成样品的位置对薄膜成分、结构和性能的影响,探讨了制备兼具高透光性和耐刮擦性的功能装饰氧化硅薄膜的方法。结果表明,在阳极位置生成的薄膜具有Si(CH3)nO有机氧化硅结构,在380～780 nm波长范围内透光率高达90%～98%,但是薄膜的结构疏松,硬度仅为2 GPa。提高制备温度可使薄膜硬度提高至6 GPa,但是透光率略有降低;在阴极位置生成的薄膜具有无机氧化硅复合非晶碳结构,薄膜结构致密,硬度可达15 GPa,但是在380～780 nm波长范围内透光性差;增加O2反应气体可促使碳与氧反应生成二氧化碳,非晶碳结构消失,薄膜透光率提高到99%,但是硬度降低到9 GPa。(本文来源于《材料研究学报》期刊2019年06期）
魏育才[7]（2019）在《CF_4和O_2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究》一文中研究指出探讨PA工艺因介电层高低差发生金属线路内部断裂的改善方案。以不同光刻条件和刻蚀条件为基础,对介电层(Si3N4)进行ICP刻蚀。研究表明,增加曝光焦距,刻蚀完的侧壁倾斜角改变不大;而光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比越高,刻蚀完氮化硅侧壁斜角变化越大。当光刻胶对氮化硅的刻蚀选择比为2.4时,刻蚀完氮化硅的侧壁斜角可控制在45°～65°。(本文来源于《集成电路应用》期刊2019年07期）
李攀,张倩,夏金松,卢宏[8]（2019）在《PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究》一文中研究指出为了制备高质量氮化硅薄膜,采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)进行氮化硅的气相沉积,讨论了工艺参数对薄膜性能的影响,验证设备工艺均匀性和批次间一致性。通过高低频交替生长低应力氮化硅薄膜,并检测薄膜应力,对工艺进行了优化,探索最佳的高低频切换时间。研究了PECVD氮化硅薄膜折射率、致密性、表面形貌等性质,制备出了致密的氮化硅薄膜。研究结果表明,PECVD氮化硅具有厚度偏差小、折射率稳定等特点,为其在光学等领域的应用打下了基础。(本文来源于《光学仪器》期刊2019年03期）
乐艮[9]（2019）在《GSMBE外延硅薄膜太阳能电池物性研究》一文中研究指出硅太阳能电池是指以硅为基体材料的太阳能电池,通过光电转化效应将光能转化为电能,多年来一直得到研究人员的重视。吸收系数是材料的一项重要参数,对太阳能电池效率的提升和光电探测器的应用上有着巨大价值。已经发现在GaAs基和GaN基体系中PN结诱导的吸收增强的试验现象。GaAs和GaN都是直接带隙半导体材料,而硅是一个间接带隙材料,在太阳能电池方面有着广泛的应用。通过对PIN型硅基太阳能电池研究,发现硅基太阳能电池中硅的吸收系数得到了增强。本论文基于实验室改造的气态源分子束外延设备(GSMBE VG80s),生长了一系列硅基材料的结构,确定了气态源分子束外延设备的生长速率和掺杂浓度等参数。在2英寸P型硅衬底上生长了一系列PIN型硅基薄膜太阳能电池结构,中间非故意掺杂层厚度依次为100nm、300nm、1000nm、3000nm。通过载流子漂移模型,模拟出PIN型薄膜硅太阳能电池结构中内建电场的强度分布。尽管四组样品中内建电场的强度不同,但是内建电场覆盖了整个非故意掺杂层区域。光生载流子产生于材料内部,由于内建电场的作用,只有非故意掺杂层的载流子能够通过漂移运动被有效的提取。通过扩散漂移模型,推算了一套通过光电转化效应,计算太阳能电池中硅材料吸收系数的方法。我们测量了四组样品的白光光源下的光生电流曲线。为了分析材料中光生电子通过扩散运动对光电流的贡献,计算了表面N型掺杂区理想情况下最大光生电流值,在光子能量为3ev时,N型区光吸收率为87.6%,实际上产生的电流贡献效率约0.4%,光生电子通过扩散对于光电流的贡献很小,因此我们在讨论吸收系数时可以忽略扩散运动对于光生电流的贡献。四组样品的吸收系数最大值依次为8.9×10~4,1.1×10~4,1.0×10~4,3×10~3 cm~(-1),样品A的吸收系数是样品D的30倍,最高吸收系数相比晶体硅提高了1-2个量级,已经接近于直接带隙半导体材料砷化镓的吸收系数。在统计过程中,忽略了光的反射、光生载流子的复合等因素的影响,测量的吸收系数低于实际值。PIN型太阳能电池结构是硅材料吸收系数提高的主要因素,吸收系数的提高机理目前并不清楚。为了进一步确定吸收增强的实验结果,改变730nm激光器激发功率,测量了四组样品的吸收系数。实验结果和白光下的结果一致,非故意掺杂层厚度100nm的太阳能电池结构其吸收系数在四组样品中最高,吸收系数随着激发功率的变化,基本不变,PIN型硅太阳能电池结构中硅的光吸收得到了增强。PIN型硅太阳能电池结构中,非故意掺杂层硅的吸收系数得到了有效的增强。通过非故意掺杂层厚度的变化,硅材料的吸收系数也会相应的发生变化。实验结果对于这种结构中材料的吸收机理提出了新的挑战,对于新的光电器件的制备提供了可能。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院物理研究所)》期刊2019-06-01）
任振强[10]（2019）在《非可分辨边带腔光力系统中氮化硅薄膜机械振子的反馈冷却》一文中研究指出腔光力学是一个新兴的研究方向,其主要用于研究光场与机械运动之间相互耦合的物理现象~([1])。得益于微纳加工手段的日益进步,腔光力学获得了迅速的发展与应用。一方面,腔光力学可以用来研究宏观物体(机械振子)的量子效应等物理问题;另一方面,腔光力学在测量微小位移,微弱的力甚至引力波探测中可以发挥重要作用。目前,机械振子受到周围环境热噪声的影响,其运动无法进入量子研究领域。针对此问题,我们研究小组进行了薄膜谐振子机械模式的基态冷却实验研究。之后的文章主体内容由以下几个部分组成:(1)对我们实验所使用的薄膜腔光力系统进行介绍,包括高精细度法布里-珀罗(F-P)腔基本性质,氮化硅薄膜的基本性质,以及薄膜腔光力系统的搭建,同时分析了光力耦合作用模型;(2)基于级联低频谐振子结构的高Q薄膜“声子屏障”的设计与制作。我们设计了级联的低频谐振子结构来降低氮化硅薄膜机械能的声子隧穿损耗,并且对此结构进行了理论仿真。之后测量了硅基片低频谐振子框架的频率响应以及氮化硅薄膜机械模式的品质因子,实现了超过30dB的机械振动能量抑制效果,同时薄膜Q因子在室温下达到2×10~6;(3)我们完成了室温下非可分辨边带薄膜腔光力系统中氮化硅薄膜谐振子机械模式的反馈冷却实验研究。我们对反馈冷却理论模型进行了详细的推导与计算,通过对光场进行振幅调制的方式给薄膜提供一个反比于其运动的反馈力对其机械模式进行冷却。最终将室温下薄膜振动的(1,1)模式所对应的有效声子占据数冷却到了200个以内。(本文来源于《山西大学》期刊2019-06-01）
硅薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
制备低应力的氮化硅薄膜是微机械系统和集成电路中非常重要的工艺。在温度不高于80℃的条件下,采用ICP-CVD设备,利用硅烷和氮气作为前驱体沉积氮化硅介质薄膜。研究了沉积温度、ICP功率、硅烷与氮气流量比例、工作气压等因素对氮化硅薄膜应力的影响,并利用相关的理论合理解释了应力随不同工艺参数变化的原因。根据研究结果,我们优化了氮化硅薄膜沉积的工艺参数,在70℃低温条件下,制备出厚度160 nm,应力0.03 MPa的低应力氮化硅介质薄膜。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅薄膜论文参考文献
[1].张小亮,王兆希.硅薄膜的制备工艺参数及材料性能[J].北京工业职业技术学院学报.2019
[2].付学成,权雪玲,乌李瑛,瞿敏妮,王英.ICP-CVD设备低温制备低应力氮化硅薄膜工艺的探索[J].真空科学与技术学报.2019
[3].罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我.镍铬硅薄膜电阻层的磁控溅射及湿法刻蚀工艺研究[J].真空.2019
[4].杨秀钰,陈诺夫,张航,陶泉丽,徐甲然.对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结[J].材料导报.2019
[5].阳耀月.硅晶圆表面氧化硅薄膜的化学沉积及温度对反应动力学的影响研究[J].山东化工.2019
[6].张栋,柯培玲,汪爱英,王香勇,智理.用PECVD工艺制备功能装饰氧化硅薄膜的性能[J].材料研究学报.2019
[7].魏育才.CF_4和O_2等离子体刻蚀改善氮化硅薄膜形貌研究[J].集成电路应用.2019
[8].李攀,张倩,夏金松,卢宏.PECVD氮化硅薄膜性质及工艺研究[J].光学仪器.2019
[9].乐艮.GSMBE外延硅薄膜太阳能电池物性研究[D].中国科学院大学(中国科学院物理研究所).2019
[10].任振强.非可分辨边带腔光力系统中氮化硅薄膜机械振子的反馈冷却[D].山西大学.2019