导读:本文包含了电力半导体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体,电力,电子器件,碳化硅,新能源,浪涌,新兴产业。
电力半导体论文文献综述
周清鹏,黄安[1]（2019）在《半导体碳化硅电力电子器件生产线项目落户经开区》一文中研究指出经开区讯（周清鹏 特约记者 黄安）在九江市委、市政府主要领导的高位推动下，近日，由泰科天润半导体科技（北京）有限公司投资建设的6寸半导体碳化硅电力电子器件生产线项目正式签约落户九江经开区。该项目的落户是经开区大力发展战略新兴产业取得的重大新成果，为九江市(本文来源于《九江日报》期刊2019-05-22）
朱邵歆,黄伟熔[2]（2019）在《从“电力美国”项目布局看我国化合物半导体产业发展路径》一文中研究指出2018年8月,美国制造创新中心"电力美国"发布了新一批项目名单,继续推动化合物半导体制造能力提升、应用推广和人才环境建设。目前我国已基本完成化合物半导体的产业体系构建和方向布局,但技术水平和市场能力与国际企业有明显差距,同时面临不少挑战,比如国际技术和市场封锁、市场和产业未能协同发展、地方政府投资盲目。基于此,赛迪智库集成电路研究所提出4点建议:以5G和新能源汽车作为市场突破口,加快建设化合物半导体领域国家级制造业创新中心,加大关键技术和制造能力投入力度,建立项目投资窗口指导机制。(本文来源于《科技中国》期刊2019年03期）
柏松,张弛,王亚利,叶新,滕鹤松[3]（2019）在《第叁代半导体电力电子器件模块高价值专利培育模式与机制探析》一文中研究指出根据《中共江苏省委江苏省人民政府关于加快建设知识产权强省的意见》的有关部署,2015年江苏省知识产权局启动了"高价值专利培育计划"项目,目的是要围绕战略性新兴产业,以重大创新载体为主体,探索建设高价值专利培育示范中心,建立产学研服协同创新新模式,创造一批科技含量高、权利状态稳定、市场效益好、市场竞争力强的高价值专利。但是究竟如何培育高价值专利,这在全国尚无先例,在知识产权工作中也是个新课题。文章总结和提炼了作者单位在"第叁代半导体电力电子器件模块高价值专利培育示范中心"的实施方法,对培育高价值专利的模式与机制进行了有益的探索。(本文来源于《江苏科技信息》期刊2019年05期）
李广军,颜开云,宁琼雅[4]（2018）在《第叁代半导体产业“独角兽”落子浏阳》一文中研究指出“我们将以蓝思科技为榜样，依托浏阳这个材料基地，把项目做成一流的生产制造企业，为长沙新材料产业作出应有的贡献。”昨日，总投资30亿元的天岳碳化硅材料项目在浏阳高新区开工建设，山东天岳晶体材料有限公司董事长宗艳民在开工仪式上如是说。据了解，天岳碳(本文来源于《长沙晚报》期刊2018-11-14）
罗贤明,郭杰,于庆[5]（2018）在《基于LabVIEW的电力半导体器件浪涌测试系统》一文中研究指出浪涌电流试验是二极管及晶闸管等相关电力半导体器件测试的重要检测。本文基于LabVIEW平台通过程序设计实现浪涌测试自动化。(本文来源于《内江科技》期刊2018年10期）
张浩[6]（2018）在《超结（Super-Junction）IGBT电力半导体器件暂态分析》一文中研究指出由于MOSFET和BJT在低驱动功耗和低饱和压降的优势,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)已广泛用于包括交流电机,牵引驱动器,开关电源,照明系统和逆变器等功率转换器系统中。近年来,超结(SJ)IGBT已被发展并用于优化低功耗和低导通压降的研究中,对于SJ IGBT,瞬态过程尤为重要并值得深入研究。本文分析了半导体器件SJ IGBT以及改进型器件Semi-SJ IGBT的静态特性和动态性能。具体而言,在具有感性负载的测试电路环境条件下,针对关断瞬态过程,本文使用二维(2D)模拟TCAD软件-MEDICI,分析并研究了SJ IGBT的阳极电流、阳极电压和关断损耗,建立相关的物理模型。此外,通过仿真数据与瞬态模型的对比,可确保模型的准确性。第一章,对半导体器件的发展过程进行具体的归纳,在此基础上也对器件模型进行了详细总结。然后,基于当今电力电子应用和科学研究对于IGBT的需求,揭示IGBT的重要性以及研究价值。第二章,详细分析了SJ IGBT的静态特性和动态特性。静态特性包括导通特性和阻断特性的分析。在具有感性负载的测试电路环境中,针对SJ IGBT关断过程,详细分析了SJ IGBT关断瞬态特性。第叁章,基于SJ IGBT在导通和关断过程中的物理特性,对SJ IGBT的FS层,p-柱和n-柱进行分析对比,建立了阳极电流,阳极电压和关断损耗模型。从研究结果可以看出,n-柱和p-柱的掺杂浓度可能会对SJ IGBT的耗尽区产生重大影响,并且可以发现,SJ IGBT的n-柱和p-柱的高掺杂浓度会降低器件导通压降,但是并不会增加器件的关断损耗。第四章,基于对SJ IGBT的认识,还提供了对改进型器件Semi-SJ IGBT的分析,同样表现出优异的工作特性。本文提出的物理模型,同时应用于SJ IGBT和Semi-SJ IGBT,通过仿真数据和模型对比分析,表明其模型适用于提出的SJ IGBT。(本文来源于《西南交通大学》期刊2018-05-01）
吕江涛[7]（2018）在《“大国重器”概念“刷屏” 12篇券商研报力荐8行业》一文中研究指出随着近日《大国重器》第二季的热播，一大批中国自主研发制造的先进装备，也成为了当下媒体高度关注的“明星”。与此同时，也有不少投资者开始把目光转移到资本市场相关的投资机会上。而众多券商研究员们也在加班加点赶研报，深挖大国重器概念股的投资机会。据《证券日报》记(本文来源于《证券日报》期刊2018-03-14）
陈明会,王春宁,武浩[8]（2018）在《碳化硅电力半导体器件在现代电力系统的应用及展望》一文中研究指出随着智能电网的不断建设,可再生能源发电技术也在不断发展,有着高电压、高频率、高热导率、高功率密度等优越的物理和电气特性的宽禁带半导体器件,将对现代电力系统产生重要而深远影响。文中介绍了碳化硅功率器件的新近发展状况,并对其在现代电力系统中的应用前景进行了分析和展望。(本文来源于《通信电源技术》期刊2018年01期）
[9]（2017）在《2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事》一文中研究指出为促进宽禁带半导体材料器件应用问题的研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第9期辟为"宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用"专辑,征文范围包括:①宽禁带半导体器件工作机理、参数特性分析及建模方法;②驱动与保护方法及电路设计;③采用宽禁带半导体器件的功率变换器电路拓扑、功率回路优化设计等关键应用技术(本文来源于《电力电子技术》期刊2017年05期）
[10]（2017）在《2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事》一文中研究指出为促进宽禁带半导体电力电子器件技术研究和产业应用推广,本刊拟将2017年第8期辟为"宽禁带半导体电力电子器件"专辑。征文范围:①Si衬底GaN及自支撑GaN材料的晶体生长技术;②GaN基电力电子器件(二极管,MOSFET等)的关键技术及挑战;③SiC基电力电子器件(二极管,MOSFET及IGBT等)的关键技术及挑战;④宽禁带半导体电力电子器件的封装技术及应用;⑤宽禁带半导体电力电子器件的驱动技术及进展。(本文来源于《电力电子技术》期刊2017年04期）
电力半导体论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
2018年8月,美国制造创新中心"电力美国"发布了新一批项目名单,继续推动化合物半导体制造能力提升、应用推广和人才环境建设。目前我国已基本完成化合物半导体的产业体系构建和方向布局,但技术水平和市场能力与国际企业有明显差距,同时面临不少挑战,比如国际技术和市场封锁、市场和产业未能协同发展、地方政府投资盲目。基于此,赛迪智库集成电路研究所提出4点建议:以5G和新能源汽车作为市场突破口,加快建设化合物半导体领域国家级制造业创新中心,加大关键技术和制造能力投入力度,建立项目投资窗口指导机制。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电力半导体论文参考文献
[1].周清鹏,黄安.半导体碳化硅电力电子器件生产线项目落户经开区[N].九江日报.2019
[2].朱邵歆,黄伟熔.从“电力美国”项目布局看我国化合物半导体产业发展路径[J].科技中国.2019
[3].柏松,张弛,王亚利,叶新,滕鹤松.第叁代半导体电力电子器件模块高价值专利培育模式与机制探析[J].江苏科技信息.2019
[4].李广军,颜开云,宁琼雅.第叁代半导体产业“独角兽”落子浏阳[N].长沙晚报.2018
[5].罗贤明,郭杰,于庆.基于LabVIEW的电力半导体器件浪涌测试系统[J].内江科技.2018
[6].张浩.超结（Super-Junction）IGBT电力半导体器件暂态分析[D].西南交通大学.2018
[7].吕江涛.“大国重器”概念“刷屏”12篇券商研报力荐8行业[N].证券日报.2018
[8].陈明会,王春宁,武浩.碳化硅电力半导体器件在现代电力系统的应用及展望[J].通信电源技术.2018
[9]..2017年第9期“宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用”专辑征文启事[J].电力电子技术.2017
[10]..2017年第8期“宽禁带半导体电力电子器件”专辑征文启事[J].电力电子技术.2017
论文知识图
