论文摘要
基于漂移扩散方程的理论模型,研究了总剂量辐射效应与偏压条件的关系,逐个分析了功率管中常用偏压条件对总剂量效应的影响。根据辐照过程中SiO2内部和Si-SiO2界面处感生的陷阱电荷的积累情况,推测出较恶劣的偏压条件。将40 V耐压的NLDMOS和5 V耐压的NMOS功率管在0.35μm商用BCD工艺下进行了流片,并在不同偏压条件下进行了Co60总剂量辐照实验,对总剂量辐照中的偏压效应进行了测试验证。实验结果证实功率管在开态偏压下的辐射退化更明显。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 周枭,罗萍,凌荣勋,吴昱操,蒋鹏凯
关键词: 总剂量辐射效应,偏压,功率管,退化
来源: 微电子学 2019年06期
年度: 2019
分类: 信息科技
专业: 无线电电子学
单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
基金: 国家自然科学基金联合基金(NSAF)资助项目(U1630117)
分类号: TN386
DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180534
页码: 842-846
总页数: 5
文件大小: 1878K
下载量: 30
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