总剂量辐射中偏压对功率管的影响研究

总剂量辐射中偏压对功率管的影响研究

论文摘要

基于漂移扩散方程的理论模型,研究了总剂量辐射效应与偏压条件的关系,逐个分析了功率管中常用偏压条件对总剂量效应的影响。根据辐照过程中SiO2内部和Si-SiO2界面处感生的陷阱电荷的积累情况,推测出较恶劣的偏压条件。将40 V耐压的NLDMOS和5 V耐压的NMOS功率管在0.35μm商用BCD工艺下进行了流片,并在不同偏压条件下进行了Co60总剂量辐照实验,对总剂量辐照中的偏压效应进行了测试验证。实验结果证实功率管在开态偏压下的辐射退化更明显。

论文目录

  • 0 引 言
  • 1 总剂量辐射效应的理论模型
  • 2 偏压对总剂量效应的影响
  • 3 总剂量辐照测试与分析
  • 4 结 论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 周枭,罗萍,凌荣勋,吴昱操,蒋鹏凯

    关键词: 总剂量辐射效应,偏压,功率管,退化

    来源: 微电子学 2019年06期

    年度: 2019

    分类: 信息科技

    专业: 无线电电子学

    单位: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室

    基金: 国家自然科学基金联合基金(NSAF)资助项目(U1630117)

    分类号: TN386

    DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180534

    页码: 842-846

    总页数: 5

    文件大小: 1878K

    下载量: 30

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