论文摘要
本文通过直流磁控溅射法在96氧化铝基板上沉积镍铬硅薄膜,然后采用光刻及湿法刻蚀工艺实现不同要求的电阻图形。图形化过程中,分别对比HNA刻蚀体系、TMAH刻蚀体系以及催化氧化刻蚀体系的刻蚀效果,从中优选最佳刻蚀体系,并进一步对其进行工艺参数优化。在CNA含量为30%的催化氧化刻蚀体系（CNA:HNO3:H2O）中,刻蚀温度50℃,刻蚀速率约为4nm/s时,刻蚀效果最佳,与设计尺寸偏差小,可实现镍铬硅薄膜图形刻蚀线宽（15±1）μm,满足高精度精密薄膜电阻的设计和生产要求。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 罗俊尧,刘光壮,杨曌,李保昌,沓世我
关键词: 薄膜电阻,镍铬硅,湿法刻蚀,磁控溅射
来源: 真空 2019年05期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,工程科技Ⅰ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 广东风华高新科技股份有限公司,新型电子元器件关键材料与工艺国家重点实验室,广东农工商职业技术学院
分类号: TB383.2
DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2019.05.12
页码: 61-64
总页数: 4
文件大小: 3567K
下载量: 154
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