导读:本文包含了反应溅射论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:磁控溅射,薄膜,射频,低温,氧化铝,偏压,导电性。
反应溅射论文文献综述
王槐乾,姜宏伟[1]（2019）在《磁控溅射反应法制备TiN纳米薄膜》一文中研究指出为研究N_2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N_2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征薄膜形貌,获得不同的TiN薄膜微观图像。通过改变工艺参数,可以制备具有不同微观形貌的TiN薄膜。(本文来源于《真空》期刊2019年04期）
岳天峰,刘嘉琪,文峰,马艳平,丁春华[2]（2019）在《基底负偏压对CO_2气相反应溅射制备C∶TiO_2薄膜性能的影响研究》一文中研究指出采用射频磁控溅射法,选择CO_2气相提供反应溅射时的碳和氧源,通过改变基底负偏压制备得到系列C掺杂TiO_2(C∶TiO_2)薄膜。紫外-可见分光光度计测定薄膜的透射率并用tauc作图法得到薄膜的带隙宽度,发现基底负偏压的增加有助于带隙宽度的窄化。拉曼光谱、X射线光电子能谱表征了C∶TiO_2薄膜的结构和成分及元素化学键合态,分析表明,C∶TiO_2薄膜主要为金红石相,C元素替代氧元素与Ti结合形成Ti—C键实现了C元素的掺杂。对甲基橙的光催化降解实验表明通过气相CO_2制备得到的C∶TiO_2薄膜具有较好的光催化活性,且随着基底负偏压值的增加,C∶TiO_2薄膜对甲基橙的光催化降解效率会达到一个相对峰值后开始下降。测试了薄膜表面3种标准液体的接触角并分别计算了表面能各分量,结果发现,C∶TiO_2薄膜受到紫外光照射后表面能中路易斯酸性分量有显着增加,这将有利于促进电子-空穴的有效分离。(本文来源于《功能材料》期刊2019年06期）
李霞,姚建可,邓伟,肖祥,贺鑫[3]（2019）在《p-Si(100)衬底上反应磁控溅射制备HfO_2薄膜的工艺和性能研究》一文中研究指出我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O_2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O_2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O_2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备了一组Hf O_2薄膜,在不同的溅射时间条件下制备了一组Hf O_2薄膜,不同的衬底温度下制备了一组Hf O_2薄膜。最后,将不同条件下制备的Hf O_2薄膜在不同温度下退火,并对这些样品进行了性能的测试和表征。根据测试结果分析了其性能,制备的Hf O_2薄膜是高质量的。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2019年02期）
程奕天,邱万奇,周克崧,刘仲武,焦东玲[4]（2019）在《低温反应溅射Al+α-Al_2O_3复合靶沉积α-Al_2O_3薄膜》一文中研究指出低温沉积α-Al_2O_3薄膜是拓展其实际工程应用的关键。本研究以Al、α-Al_2O_3和Al+15wt%α-Al_2O_3为靶材,用射频磁控溅射在Si(100)基体上沉积氧化铝薄膜。用掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)对所沉积薄膜的相结构和元素含量进行研究,用纳米压痕技术测量薄膜硬度。结果表明,在550℃的基体温度下,反应射频磁控溅射Al+α-Al_2O_3靶可获得单相α-Al_2O_3薄膜。靶中的α-Al_2O_3溅射至基片表面能优先形成α-Al_2O_3晶核,在550℃及以上的基体温度下可抑制γ相形核,促进α-Al_2O_3晶核同质外延生长,并最终形成单相α-Al_2O_3薄膜。(本文来源于《无机材料学报》期刊2019年08期）
徐伟[5]（2019）在《反应磁控溅射沉积金属氧化物的不稳定性及反常生长行为》一文中研究指出反应磁控溅射是一种低沉本、高效率的制备化合物薄膜的方法,可以满足大规模工业生产的需求。然而,反应磁控溅射沉积工艺中存在的一些不稳定现象使其在实际应用中受到一定的限制。因此,研究反应溅射过程中的工艺不稳定性,发展相关的监测及控制技术,对于反应磁控溅射技术的大规模工业应用具有十分重要的现实意义。此外,在一些特定的条件下,反应溅射沉积金属氧化物将导致薄膜生长行为的反常。系统研究这些反常的薄膜生长行为,对于制备具有特殊结构和性质的新型功能薄膜具有重要价值。本论文以反应磁控溅射沉积金属氧化物为中心,针对反应溅射沉积工艺的不稳定和反常薄膜生长行为,研究了反应磁控溅射环境中的等离子体,特别是氧原子密度对工艺不稳定的影响;系统开展了反应磁控溅射沉积氧化物对金属银膜的反常氧化现象的研究,揭示了反常氧化导致的多孔AgO纳米棒薄膜及高温MgO基片上外延生长纳米编织结构NiO薄膜的生长机制,为利用反应磁控溅射方法制备多孔纳米结构薄膜奠定了必要的实验基础。论文的主要研究内容和结果如下:(1)磁控溅射是一种以气体放电为基础的薄膜制备技术,反应磁控溅射的工艺不稳定性主要源于等离子体中活性物种对金属靶氧化的不稳定性。因此,本工作利用等离子体发射光谱,测量了溅射靶表面附近的氧原子密度、电子激发温度和解离率等,探讨了反应溅射沉积NiO过程中这些等离子体参数从起辉到稳定工作的演化过程,发现等离子体对基片的加热作用是影响等离子体放电不稳定性的原因之一。同时,这种等离子体的不稳定性不仅与氧气分压、放电功率、工作气压等放电参数有关,还会受到基片温度、靶基间距等因素的影响,进而改变反应磁控溅射的工作模式。此外,在反应磁控溅射沉积铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜时,发现在一定条件下氧原子密度存在准周期性变化现象,进而导致反应磁控溅射在金属和氧化模式之间自发转换,从而形成具有富氧/贫氧周期性结构的多层膜。研究发现,这种金属和氧化模式的自发转换一般出现在二者的过渡区附近,主要与溅射靶表面的刻蚀和磁场增强有关,可能是等离子体与溅射靶之间存在特殊的随时间演化的反应扩散模式引起的。(2)在反应磁控溅射沉积不同氧化物的过程中,发现基片上的金属银膜存在反常氧化现象,并最终形成具有多级结构的多孔AgO纳米棒薄膜。本工作重点研究反应磁控溅射沉积NiO过程中金属银膜的氧化及多孔AgO纳米结构形成的演化规律及物理机制,探讨了沉积速率、基片温度、靶基间距、工作气压和氧气分压等沉积参数对银膜氧化及多孔AgO纳米结构的影响。研究结果表明,银膜氧化从薄膜表面自上而下逐层进行,先形成具有六角结构的Ag2O(h-Ag20),而且表面没有任何镍的氧化物形成;当银膜被完全氧化后,进一步沉积NiO将导致薄膜从h-Ag2O相向立方AgO(c-AgO)相转变,并最终形成多孔c-AgO纳米棒薄膜。c-AgO纳米棒形核于c-AgO薄膜表面,可能与沉积的NiO在AgO薄膜表面形核有关;随着NiO的不断沉积,AgO纳米棒逐渐长大,并伴随着AgO纳米棒向薄膜底部延伸。当AgO纳米棒之间的连接部分基本消失后,沉积的NiO将导致AgO纳米棒上出现纳米级孔洞,并保持着多孔AgO纳米棒持续生长。研究发现,反应溅射沉积不同的金属氧化物有着类似的规律;利用300 nm厚的金属银膜,通过反应溅射沉积NiO可制备出4 μrm以上的多孔AgO纳米棒薄膜。通过分析反应磁控溅射环境中的氧原子密度、不同沉积元素及生长温度的影响,提出等离子体中的氧原子是导致银膜反常氧化的主要原因,而多孔AgO纳米棒的形成则主要归因于沉积的NiO和AgO之间存在的Kirkendall效应。此外,沉积过程中的阴影效应、基片温度和氧原子浓度在多孔AgO纳米结构的形成中起着至关重要的作用。(3)通过控制反应磁控溅射沉积金属氧化物的工艺参数,分别制备了 h-Ag20、Ti02//h-Ag20异质结和多孔c-AgO纳米棒薄膜,研究了这些薄膜在光致催化降解有机物和全固态薄膜电池方面应用的可能性。研究结果表明,h-Ag2O、Ti02//h-Ag20异质结和多孔c-AgO纳米棒薄膜的光催化活性均明显优于晶态和非晶态的Ti02薄膜,而且多孔c-AgO纳米棒薄膜的光催化性能最佳。此外,通过实验证明了水溶液中光催化形成的氢氧自由基(OH·)是有机物降解的重要原因,并根据测定的光学能带和银的氧化物稳定性,提出光生载流子和银的氧化物光致分解是产生OH·的主要机制,而多孔AgO纳米棒薄膜的光催化活性的增强还与多孔纳米结构导致的光俘获能力和比表面积增加有关。另外,将生长在Cu箔表面的多孔c-AgO纳米棒薄膜作为阴极,与金属Zn薄片组装成了具有一定柔性的Zn-AgO全固体薄膜电池。测量结果显示,这种多孔c-AgO纳米棒薄膜的比电容量高达390 mAh/g,十分接近432 mAh/g的理论值。(4)根据Kirkendall效应的思想,探讨了反应磁控溅射沉积NiO时外延生长纳米结构薄膜的可能性。研究发现,α-A1203(0001)单晶基片上可外延生长出高质量的NiO(111)单晶薄膜,摇摆曲线半峰宽仅为0.04°,但面内存在两种外延关系[211]NiO//[1120]Al2O3和[112]NiO//[1120]Al2O3,即NiO存在[111]和[111]两组取向的晶粒,与基片的晶格失配度均为7.5%。当在高于700℃的MgO(001)单晶基片上沉积NiO时,可外延生长出具有纳米编织状结构的NiO薄膜,应该是NiO沉积过程中Kirkendall效应导致的膜基互扩散的结果。通过对MgO基片进行大气高温退火处理或等离子体表面处理,能够一定程度上改善沉积NiO形貌,但结晶质量仍不太好,可能与二者之间存在较严重的固态反应有关。(本文来源于《大连理工大学》期刊2019-05-31）
岳天峰[6]（2019）在《CO_2反应气氛下射频溅射制备碳掺杂Ti-O薄膜的成分/结构和光催化性能研究》一文中研究指出随着现代社会的高速发展,环境污染和腐蚀对社会经济和工业生产带来的损失和影响变得越来越严重。对于清洁可再生能源的开发、环境污染的治理和腐蚀防护技术的开发已成为人类社会可持续发展的迫切需求。二氧化钛(TiO_2)由于具有良好的化学稳定性、无毒无污染以及优良的光催化活性等特点被广泛应用于太阳能电池、表面抗菌、废水处理与有机染料降解等诸多领域。但是由于TiO_2带隙宽度较大,光生电子-空穴复合率较高的问题,导致TiO_2光催化活性不高。对TiO_2进行改性,窄化TiO_2的带隙宽度或减少光生电子-空穴复合率从而提高TiO_2光催化性成为当下研究的一个热点。非金属元素掺杂就是改性方法的一种。本文采用射频磁控溅射法,以CO_2和O_2为反应气体,在Si片和碳钢表面制备C掺杂的Ti-O(C:Ti-O)薄膜,分别改变射频电源的功率和基底负偏压,研究这两种工艺参数对薄膜成分、结构、力学性能、表面形貌、带隙宽度、表面能的影响规律,并评价了薄膜的光催化性能。对C:Ti-O薄膜的AFM表征发现,薄膜的表面形貌差异不大,均为尖锐柱状结构,且样品表面较为平整;XRD和拉曼光谱分析了薄膜的结构,结果表明C:Ti-O薄膜主要以金红石相为主,并存在一定量的非晶态TiO_2。XPS分析确证C:Ti-O薄膜内部存在Ti-C键,表明C原子替代了部分O原子,C元素成功实现掺杂。通过紫外-可见分光光度计测得的透射光谱,根据tauc作图法计算出薄膜带隙宽度,结果表明掺杂C元素能有效降低薄膜的带隙宽度。接触角仪测量了薄膜表面与水和二碘甲烷的接触角,并计算了表面能。结果表明Ti-O薄膜掺杂碳后表面能极性分量增加。C:Ti-O薄膜经紫外照射后薄膜表面接受电子的能力有所增强。紫外灯光照后表面能普遍增加;纳米力学系统测试了 C:Ti-O薄膜的硬度、杨氏模量和膜基结合力,结果表明随着功率的增加,C:Ti-O薄膜的硬度和杨氏模量几乎没有改变,膜基结合力呈先增大后减小的趋势;但当有氧参与反应时,硬度增加较为明显,薄膜脆性倾向增加,膜基结合力变差。而随着基底负偏压的增加,硬度总体呈现上升趋势,但模量的变化没有规律性,膜基结合力在一定的基体负偏压范围内表现出持续增加的趋势,但在-200 V时开始降低。甲基橙降解实验结果显示,合成的Ti-O和C:Ti-O薄膜都表现出一定的光催化活性,碳掺杂能在一定程度上提高Ti-O薄膜的光催化性能。随着射频电源功率的增加光催化活性有下降趋势,表明带隙的窄化并没有提升光催化活性。而随着基底负偏压的增大,光催化性能先增加后减小。因为过大的基底负偏压会导致薄膜表面的键断裂从而影响C掺杂,导致光催化效果有所下降。(本文来源于《海南大学》期刊2019-05-01）
杨宇[7]（2019）在《低温反应溅射沉积α-(Al,Cr)_2O_3薄膜及其性能的研究》一文中研究指出α-(Al,Cr)_2O_3是具有刚玉结构的六方紧密堆垛晶体,晶格能很高,与同是刚玉结构的α-Al_2O_3性能类似,具有室温和高温硬度高、化学稳定性好、电绝缘性高、氚渗透率低等优越性能,是理想的耐磨、电绝缘、扩散阻挡和防氚渗透涂层材料,具有广阔的应用前景。α-(Al,Cr)_2O_3是α-Al_2O_3和α-Cr_2O_3的固溶体,其性质与α-Al_2O_3和α-Cr_2O_3的相对含量密切相关,α-Al_2O_3的含量增高时,其热稳定性,介电和绝缘性能均相应提高,本文用Al/Cr/α-Al_2O_3靶材来进行低温反应溅射沉积,用一部分α-Al_2O_3来取代α-Cr_2O_3作为籽晶,来达到低温反应磁控溅射沉积富铝α-(Al,Cr)_2O_3薄膜的目的。结果如下:基体温度对射频反应溅射Al_(80)Cr_(15)(α-Al_2O_3)_5靶所沉积的薄膜相组织结构有显着影响。当基体温度为500℃时,薄膜由γ-Al_2O_3、α-Cr_2O_3和α-Al_2O_3组成,随着基体温度提高,薄膜内的γ-Al_2O_3转变成κ-Al_2O_3,当基体温度达到600℃,薄膜相组成为刚玉结构的α-(Al,Cr)_2O_3。设计并烧结制备出不同Cr含量的Al_xCr_(95-x)(α-Al_2O_3)_5(x=80,70,60)溅射靶材来研究基体温度对不同Cr含量的Al-Cr-O薄膜相组织结构的影响。结果表明,随着靶材中Cr含量的提高,制备刚玉结构的α-(Al,Cr)_2O_3薄膜的所需基体温度降低,靶材中Cr和α-Al_2O_3均有提供α相外延生长,抑止亚稳相氧化铝形核功能,从而降低形成α相薄膜温度。溅射Al_(70)Cr_(25)(α-Al_2O_3)_5复合靶可以在基体温度为550℃时得到富铝单相α-(Al_(0.74)Cr_(0.26))_2O_3纳米晶薄膜,其纳米压痕硬度30.2±1.7GPa,压入弹性模量为244.3±3.2GPa;使用Si_3N_4陶瓷球作为对磨材料的摩擦系数为0.41,磨痕宽度仅有100μm,介电常数为14.8,电阻率为1.83×10~7Ω·cm。沉积温度对反应溅射Al_(70)Cr_(25)(α-Al_2O_3)_5靶所制备的Al-Cr-O薄膜的力学和电学性能有显着的影响。在基体温度低于550℃时,基体温度的升高,薄膜的硬度和弹性模量有较为明显升高,当基体温度高于550℃后基体温度对薄膜的硬度和弹性模量的影响趋于平稳。随着基体温度从500℃升高至600℃,薄膜的相对介电常数下降,电阻率有明显的提升,600℃时制备的薄膜电阻率可以达到2.30×10~7Ω·cm。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-11）
程奕天[8]（2019）在《低温反应溅射沉积α-Al_2O_3薄膜的组织与性能研究》一文中研究指出α-Al_2O_3薄膜高温硬度高,摩擦系数低,化学稳定性好,具有优异的介电性能和抗氚渗透性能,在机加工业、微电子和防渗透层领域有着广泛的应用前景。目前在工业生产中制备α-Al_2O_3薄膜可用化学气相沉积法在1000℃以上的高温下实现,所沉积的薄膜晶粒粗大,界面存在较多孔洞,且脆性较大;过高的沉积温度不仅极大地限制了基体的选择,而且薄膜与基体间的结合力较差,严重影响了α-Al_2O_3薄膜在实际应用中的性能表现。由于氧化铝的同质多晶特性,简单地降低沉积温度会导致薄膜中亚稳相或非晶相的形成,只有热稳定的α-Al_2O_3薄膜才能充分发挥其优越的综合性能。因此,实现α-Al_2O_3薄膜的低温沉积一直是众多学者的研究目标。考虑到反应溅射过程中出现的靶中毒现象,本文均采用沉积过程更为稳定的射频磁控溅射技术制备氧化铝薄膜。550℃时溅射Al和α-Al_2O_3靶在α-Al_2O_3片基体上沉积的薄膜均只含α相,证明同质基体能抑制γ相的形成。550℃时在Si(100)基体上反应溅射Al靶沉积的薄膜含有α-Al_2O_3、γ-Al_2O_3及非晶相;同样的基体温度下溅射α-Al_2O_3靶沉积的薄膜仅含有α-Al_2O_3和非晶相,推测是从α-Al_2O_3靶溅射出的α-Al_2O_3簇团形成α晶核所致。在450℃~550℃溅射α-Al_2O_3靶沉积的氧化铝薄膜中均只检测到α-Al_2O_3,但都含有一定量的非晶相。随着基体温度的升高,非晶相含量减小,α-Al_2O_3含量增大,薄膜的力学性能提高,电阻率逐渐增大,而介电常数逐渐减小。为探究基体表面预埋α-Al_2O_3籽晶对氧化铝薄膜形成的影响,先用α-Al_2O_3粉末与乙醇混合制成不同浓度的悬浊液,再将粉末悬浊液滴在基体上,待乙醇自然蒸发后氧化铝粉末即铺展在基体表面成为α-Al_2O_3籽晶。随后用反应射频磁控溅射Al靶在500℃~600℃的温度范围内沉积氧化铝薄膜。经检测后发现,提高氧化铝粉末悬浊液浓度能增大基体表面α-Al_2O_3籽晶的分布密度,进而增强其促进α-Al_2O_3形成及抑制γ相形核的作用,降低单相α-Al_2O_3薄膜所需的沉积温度。基于溅射α-Al_2O_3靶及基体表面预埋α-Al_2O_3籽晶对氧化铝薄膜形成的影响,利用与α-Al_2O_3具有相同结构的α-Cr_2O_3来促进低温下α-Al_2O_3的异质外延生长制备Al-Cr-O薄膜。本文采用Al_(100-x)Cr_x(x=10,20,30)合金靶在500℃~600℃的温度范围内沉积富Al的Al-Cr-O薄膜。随着合金靶材中Cr含量逐渐升高,薄膜中α-Cr_2O_3含量相应升高,增强了对α-Al_2O_3形成的促进作用,降低了形成单相α型Al-Cr-O薄膜所需的沉积温度。薄膜的力学性能随着薄膜中α-Cr_2O_3含量的增加而提高。在550℃时反应溅射Al_(70)Cr_(30)合金靶可得到单相α-(Al,Cr)_2O_3固溶体薄膜,其纳米硬度可达28.3 GPa,介电常数为8.9。依据溅射α-Al_2O_3靶产物中含有α相晶核的推测,自制Al/α-Al_2O_3复合靶(α-Al_2O_3含量15 wt%)。通过反应射频磁控溅射Al/α-Al_2O_3复合靶,在450℃~550℃的温度范围内沉积氧化铝薄膜。随着基体温度的升高,薄膜中γ相及非晶相的含量逐渐降低,α-Al_2O_3的含量显着提高,因此薄膜的力学性能得到提高,电阻率随之增大,而其介电常数有一定程度的降低。在550℃时可得到单相的α-Al_2O_3纳米晶薄膜,其纳米硬度达到23.8 GPa,与烧结氧化铝陶瓷的硬度相近,介电常数为7.6。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-01）
祝柏林,李昆鹏,谢挺,吴隽[9]（2019）在《反应溅射法制备AZO薄膜的结构和透明导电性能》一文中研究指出不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/Zn O混合物(Al@Zn/Zn O)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备Al掺杂Zn O(AZO)薄膜。通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了Ts以及O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响。结果发现,随O2流量增加,两种Ts下制备的AZO薄膜保持(002)择优取向,薄膜中压应力呈下降的趋势,而薄膜结晶度趋向于先增加后略有下降。薄膜的导电性能随O2流量增加呈逐渐增强的趋势。当O2流量高于一定值时,薄膜可以获得较高的可见光透过率,因此达到较高的品质因子。当Ts从150℃增加到300℃,薄膜的压应力降低,结晶度提高,但导电性未见明显提高。另外,薄膜禁带宽度主要由薄膜中压应力决定。与Ar+O2下制备的AZO薄膜相比,Ar+H2气氛下制备的薄膜基本上为非晶态,其导电性能差,而可见光透过率较高、禁带宽度较大。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年03期）
王美涵,高博文,陈昀[10]（2018）在《在石英纤维丝上对向靶材直流反应磁控溅射沉积氧化铝薄膜》一文中研究指出采用对向靶材直流反应磁控溅射法,以金属铝为靶材,高纯氧为反应气体,在石英纤维丝上沉积了氧化铝薄膜,并对氧化铝薄膜的晶体结构、化学组成和表面形貌进行了研究.结果表明,室温沉积的氧化铝薄膜具有无定形结构,其组成为非化学计量比的氧化铝.场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)显示在石英纤维丝上沉积的氧化铝薄膜致密且平整.沉积氧化铝薄膜的单根石英纤维丝的拉伸强度提高了1.85倍.(本文来源于《沈阳大学学报(自然科学版)》期刊2018年06期）
反应溅射论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用射频磁控溅射法,选择CO_2气相提供反应溅射时的碳和氧源,通过改变基底负偏压制备得到系列C掺杂TiO_2(C∶TiO_2)薄膜。紫外-可见分光光度计测定薄膜的透射率并用tauc作图法得到薄膜的带隙宽度,发现基底负偏压的增加有助于带隙宽度的窄化。拉曼光谱、X射线光电子能谱表征了C∶TiO_2薄膜的结构和成分及元素化学键合态,分析表明,C∶TiO_2薄膜主要为金红石相,C元素替代氧元素与Ti结合形成Ti—C键实现了C元素的掺杂。对甲基橙的光催化降解实验表明通过气相CO_2制备得到的C∶TiO_2薄膜具有较好的光催化活性,且随着基底负偏压值的增加,C∶TiO_2薄膜对甲基橙的光催化降解效率会达到一个相对峰值后开始下降。测试了薄膜表面3种标准液体的接触角并分别计算了表面能各分量,结果发现,C∶TiO_2薄膜受到紫外光照射后表面能中路易斯酸性分量有显着增加,这将有利于促进电子-空穴的有效分离。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
反应溅射论文参考文献
[1].王槐乾,姜宏伟.磁控溅射反应法制备TiN纳米薄膜[J].真空.2019
[2].岳天峰,刘嘉琪,文峰,马艳平,丁春华.基底负偏压对CO_2气相反应溅射制备C∶TiO_2薄膜性能的影响研究[J].功能材料.2019
[3].李霞,姚建可,邓伟,肖祥,贺鑫.p-Si(100)衬底上反应磁控溅射制备HfO_2薄膜的工艺和性能研究[J].功能材料与器件学报.2019
[4].程奕天,邱万奇,周克崧,刘仲武,焦东玲.低温反应溅射Al+α-Al_2O_3复合靶沉积α-Al_2O_3薄膜[J].无机材料学报.2019
[5].徐伟.反应磁控溅射沉积金属氧化物的不稳定性及反常生长行为[D].大连理工大学.2019
[6].岳天峰.CO_2反应气氛下射频溅射制备碳掺杂Ti-O薄膜的成分/结构和光催化性能研究[D].海南大学.2019
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[10].王美涵,高博文,陈昀.在石英纤维丝上对向靶材直流反应磁控溅射沉积氧化铝薄膜[J].沈阳大学学报(自然科学版).2018
论文知识图
