导读:本文包含了辐射偏置条件论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:锗硅异质结双极晶体管,总剂量效应,偏置条件,退火
辐射偏置条件论文文献综述
刘默寒,陆妩,马武英,王信,郭旗[1]（2015）在《偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响》一文中研究指出本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累积剂量达到1.1×104 Gy(Si)时,发射结反向偏置条件下60Coγ射线辐照对SiGe HBTs造成的损伤最大,零偏次之,正偏损伤最小;经过一定时间的退火后,零偏恢复程度最小,而正偏和反偏时的恢复趋势以及程度相同。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数随累积总剂量以及退火时间的变化关系,讨论了引起电参数失效的潜在机理。(本文来源于《核技术》期刊2015年06期）
李兴冀,兰慕杰,刘超铭,杨剑群,孙中亮[2]（2013）在《偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究》一文中研究指出本文采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Keithley4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系.测试结果表明,在相同的辐照注量条件下,发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大;发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最小;发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间.(本文来源于《物理学报》期刊2013年09期）
李茂顺,余学峰,任迪远,郭旗,李豫东[3]（2011）在《不同偏置条件下CMOS SRAM的总剂量辐射效应》一文中研究指出对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感器件,辐照偏置条件对器件的电参数退化和功能失效有较大影响。在叁种偏置条件中,静态加电为最劣偏置,其次是工作状态,浮空状态时器件的辐射损伤最小。在工作状态和静态加电两种偏置条件下,静态功耗电流的退化与器件功能失效密切相关,可作为器件功能失效的预警量。(本文来源于《微电子学》期刊2011年01期）
陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元[4]（2010）在《不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应》一文中研究指出对10位CMOSADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与加电偏置相比,零偏下0.25Gy/s(Si)剂量率辐照时的辐射损伤更严重。并对其损伤机理进行了初步探讨。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2010年10期）
陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元[5]（2009）在《不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应》一文中研究指出文中对10位CMOS ADC7910在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究。结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重。文中对其损伤机理进行了初步的探讨。(本文来源于《中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第一卷·第7册）》期刊2009-11-18）
辐射偏置条件论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Keithley4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系.测试结果表明,在相同的辐照注量条件下,发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大;发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最小;发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
辐射偏置条件论文参考文献
[1].刘默寒,陆妩,马武英,王信,郭旗.偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响[J].核技术.2015
[2].李兴冀,兰慕杰,刘超铭,杨剑群,孙中亮.偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究[J].物理学报.2013
[3].李茂顺,余学峰,任迪远,郭旗,李豫东.不同偏置条件下CMOSSRAM的总剂量辐射效应[J].微电子学.2011
[4].陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元.不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应[J].原子能科学技术.2010
[5].陈睿,陆妩,任迪远,郑玉展,王义元.不同偏置条件的10位CMOS模数转换器的辐射效应[C].中国核科学技术进展报告——中国核学会2009年学术年会论文集（第一卷·第7册）.2009
标签：锗硅异质结双极晶体管; 总剂量效应; 偏置条件; 退火;