导读:本文包含了电输运论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:纳米,高压,贝克,各向异性,脱氧核糖核酸,性质,电阻率。
电输运论文文献综述
刘沁莹,王俊峰,左华坤,杨明,韩小涛[1]（2019）在《基于转角样品杆的脉冲强磁场电输运测量系统》一文中研究指出测量物质在不同外加磁场方向下的电输运性质是近年来研究拓扑量子材料的一种重要实验方法,为探索物质的新奇特性提供了独特的视角和手段.研究表明,在超高强度的脉冲强磁场下,材料的电输运研究可能扩展至量子极限区域,将观察到更加丰富的物理现象.而现有的电输运测量系统中,稳态场下的样品测量杆受限于尺寸和材料,难以适应脉冲场测量要求;脉冲场下的传统样品测量杆的角度分辨率和空间利用率较低,亟需研制更高性能的转角测量系统.为此,本文提出一种拉杆式转角样品杆,基于该转角样品杆的脉冲强磁场电输运测量系统,能够在极低温、强磁场的极端环境下,于脉冲磁体中心通孔的微型样品腔内开展磁场方向190°范围内任意变化的电输运性质测量实验,其旋转结构稳定性良好,转角控制精度达到0.1°;通过合理设计集成电路布局、前置补偿放大和数字锁相提取等信号处理环节,电输运测量结果的精确度优于0.1 m W.本文详细阐述了该测量系统的组成、转角测量杆的设计与研制、校准原理与信号处理过程,并简要介绍了该测量系统在费米面重构、拓扑绝缘体表面态、量子极限输运、超导电性等前沿研究领域的应用.(本文来源于《物理学报》期刊2019年23期）
姜一平[2]（2019）在《方钴矿化合物Sm_(0.025)CoSb_(2.975)Te_(0.025)电输运性能研究》一文中研究指出本文在压力为2.5GPa、温度为1 000K的合成条件下,采用高温高压法成功制备了钐填充和碲取代的方钴矿化合物Sm_(0.025)CoSb_(2.975)Te_(0.025)。电输运性能测试结果表明:Sm_(0.025)CoSb_(2.975)Te_(0.025)的塞贝克系数为负值,其导电类型为n型,塞贝克系数随温度的升高而减小;电导率随温度的升高先减小后升高;样品Sm_(0.025)CoSb_(2.975)Te_(0.025)的功率因子在660K达到26.8μW·cm~(-1)·K~(-2)。(本文来源于《河南科技》期刊2019年31期）
杨威宇,雷志超,洪文晶,黄飞舟[3]（2019）在《基于纳米间隔电极对的DNA分子结电输运的研究进展》一文中研究指出脱氧核糖核酸分子是一类重要的生物分子,在生物医学领域之外,该类分子还因为其所具有的独特的双螺旋结构以及长程输运能力,在分子电子学领域也引起了研究者的极大兴趣.本文综述了近年来基于纳米间隔电极对构筑分子结这一研究范式,在构筑脱氧核糖核酸分子结以及研究后者的电输运性质等方面的研究进展.依据研究者所采用的不同纳米间隔电极对构筑技术,主要围绕裂结法和切割法两大类研究方法所展开.前者主要包括扫描隧道显微镜裂结法、导电原子力显微镜法、机械可控裂结法,后者则主要包括碳纳米管切割法、石墨烯切割法、硅纳米线切割法.在梳理不同实验方法的发展脉络、比较不同实验方法的各自特点的基础上,对一些具有代表性的关于脱氧核糖核酸分子结的研究工作进行了重点介绍,探讨了脱氧核糖核酸分子结所具有的与常规小分子体系所不同的特殊电学性质,同时对该领域的未来发展进行了展望.(本文来源于《化学学报》期刊2019年10期）
张慧亭,傅瑜,张萍,何俊宝[4]（2019）在《类铁基超导材料BaMn_2Bi_2电输运性质的各向异性》一文中研究指出层状过渡金属化合物Ba Mn_2Bi_2与"122"型铁基超导材料Ba Fe_2As_2具有十分相似的特征,不仅具有相同的四方Th Cr_2Si_2晶体结构,而且都是反铁磁基态。我们采用助溶剂法制备了Ba Mn_2Bi_2的高质量大尺寸单晶样品,通过X射线衍射、能谱分析系统、综合物性测量系统表征了该单晶样品的晶体结构、化学成分和电输运性质,并对其电输运性质的各向异性进行了系统的研究。研究发现:零磁场下Ba Mn_2Bi_2的面内电阻率和面间电阻率从300 K到100 K随温度下降而下降,表现出坏金属行为;但是100 K以下随温度下降而上升,表现出半导体行为,其激发能约为2.5～3 me V。施加9 T磁场后,100 K以上两个方向的磁阻仅为5%左右,而100 K以下两个方向磁阻都逐渐下降,直到1.8 K达到-18%左右。无论是否施加磁场,Ba Mn_2Bi_2的面内电阻率和面间电阻率都没有表现出明显的各向异性。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年09期）
翟阿敏[5]（2019）在《钛酸铅纳米线的电输运性能及热膨胀性能研究》一文中研究指出作为一种典型的钙钛矿材料,钛酸铅(PbTi03)及其改性材料由于具有良好的压电性、铁电性等从而被广泛用于铁电非挥发性存储器(FeRAM)、压力传感器、高频压电滤波器等。近年来,伴随着微机电系统(MEMS)的迅速发展,对铁电材料的小型化提出更迫切的要求,特别是一维钙钛矿铁电材料。本文首先介绍了一维钙钛矿相氧化物的研究现状、结构特性及制备方法;在此基础上,研究了介孔在PbTi03纳米线中引入界面而对其电输运性能和热膨胀性能造成的影响。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、球差校正扫描透射电镜(Aberration-corrected STEM)、电子能量损失谱(EELS)、原位电学样品杆(in-situ Electrical holder)、原位冷冻样品杆(Gatan 671)等设备和表征方法对所制备的钕酸铅纳米线进行了微结构表征和性能研究。主要的研究内容及成果如下:(1)通过水热法合成了单晶介孔PbTi03纳米线,这种纳米线沿着c轴方向生长。纳米线的直径在50-300nm,长度在3-15μm的范围内,且表现出良好的铁电性。PbTi03纳米线中介孔大小可通过时间调制,并且发现具有分散小孔的PbTiO3纳米线可获得更多的极化电荷。这是由于界面的存在引入大量的缺陷,如氧空位和氧离子,这些缺陷在电场下释放出自由电子。因此可通过调控介孔的大小、数量实现PbTiO3纳米线电学性能的调控,这意味着任意强度的一维单晶铁电纳米器件将有望实现。(2)设计了单根介孔PbTi03纳米线的原位实验,经过拟合发现在低电场下,氧空位和氧离子不参与导电,电压-电流关系遵从欧姆定律;在较高偏压下表现为肖特基发射,且ln(J)-E1/2数据满足较好线性规律;在更高偏压下,表现为混合发射机制。此外,还观察到畴壁的出现和消失,这表明单根PbTi03纳米线内部可以实现多畴,从而为多位存储器的实现提供了理论依据。(3)通过原位变温实验,发现单晶介孔PbTi03纳米线在93到623K温度范围内表现出零热膨胀性能。经过EELS表征,发现介孔的正极化面富集有大量氧离子,负极化面富集有氧空位,因而介孔及附近区域出现极化屏蔽,并表现出正膨胀现象。因此,将单晶介孔PbTi03纳米线的零热膨胀性能归因于铁电性导致的基体负热膨胀和介孔及附近区域的正热膨胀相结合。与室温相比,低温下PbTi03基体铁电性增强,表现为介孔的界面富集离子增多。与通过掺杂实现零膨胀的方法不同,这为单晶材料通过界面调控实现零膨胀提供了一个可行思路。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-06-24）
刘悦,赵可,羊新胜,赵勇[6]（2019）在《硼掺杂拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶的电输运性质研究》一文中研究指出本文首次报道了用自助溶剂法(self-flux)制备优良的硼(B)掺杂硒化铋(Bi_2B_xSe_(3-x))样品的探索.实验结果显示掺杂样品中大部分B是以替代Se位方式存在,少量B以插入Bi_2Se_3晶格或范德瓦尔斯间隙的形式存在.当B的含量逐渐增加时,Bi_2Se_3的晶格常数c先减小后增加,且样品具有清晰的层状结构.掺杂量x=0.05的样品局部区域出现纳米带结构,同时该样品在低温下出现了明显的金属-绝缘转变现象.Bi_2Se_3样品电阻率随掺杂含量的增加而增加,表明B掺杂提高了样品表面态对整体电导的贡献,同时纳米带结构也有助于增加表面态的贡献.(本文来源于《低温物理学报》期刊2019年03期）
陈单,石丹丹,潘贵军[7]（2019）在《复杂网络电输运性能与通信序列熵之间的关联》一文中研究指出网络的电输运性能优化,不仅有助于理解网络的结构与功能关系,而且对于提升电气工程技术也有着非常重要的意义.从信息的角度看待网络,寻求影响网络电输运性能的信息结构测度是解决这一问题的有效途径.最近的研究表明,复杂网络的通信序列熵可以有效地量化网络的整体结构信息.本文将探讨其表征网络电输运性能的能力,其中主要研究了小世界网络、无标度网络、关联无标度网络、社团网络以及IEEE57等节点网络的通信序列熵和电输运性能之间的关联特性.研究结果表明,对于以上这些网络,它们的电输运性能是关于通信序列熵的单调递增函数,与通信序列熵成正关联特性.该规律的发现为设计高传输效率的电力网络提供了一个有效的策略,即可以通过提高网络的通信序列熵来优化其电输运性能.(本文来源于《物理学报》期刊2019年11期）
刘春明[8]（2019）在《高压下SnS纳米片的结构及电输运性质研究》一文中研究指出在石墨烯被报道其内部含有独特的层状结构以后,具有类似结构的IV-VI族二维层状半导体材料吸引了人们广泛的研究兴趣。硫化亚锡(Sn S)作为IVVI族化合物中极具代表性的半导体材料之一,引发了科学家们的研究热潮。本文选取应用直流电弧等离子体放电方法合成的少层Sn S纳米片作为研究对象,通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品在常压时的结构和形貌进行了表征。通过对其高压原位拉曼光谱(Raman spectroscopy)和高压同步辐射X射线衍射光谱的分析,研究了Sn S纳米片在高压下的结构性质。通过高压原位室温电阻率、高压原位变温电阻率以及高压原位Hall效应的测量,对其在高压下的电输运性质进行了系统的研究。探索压力对Sn S纳米片结构及电输运性质的调控作用。具体的研究成果如下:1、我们通过直流电弧等离子体放电方法成功合成了少层Sn S纳米片。利用SEM和TEM对Sn S纳米片的形貌进行了表征,得知Sn S纳米片样品的平均长度和宽度为400-500nm,平均厚度为20-30nm。利用X射线衍射技术对其常压结构进行了表征,结果表明Sn S纳米片为正交结构具有Pnma对称性的单晶粉末样品。通过对其高压原位拉曼光谱及高压原位同步辐射X射线衍射光谱的分析,发现Sn S纳米片在3.0GPa时发生压致正交结构(Pnma)→正交结构(Cmcm)的二阶连续等结构相变,在13.0GPa时发生由正交结构(Cmcm)→单斜结构(P21/C)的一阶结构相变。2、通过高压原位直流电阻率实验,我们发现在整个压力范围内Sn S纳米片电阻率随压力增加而减小。在3.0GPa和12.0GPa处,Sn S纳米片电阻值均发生不连续变化,我们把两次不连续变化归因于结构相变。值得注意的是,相比于体材料Sn S(相变压力点约为12.6GPa和18.2GPa),Sn S纳米片两次相变的压力点均提前了,其中第一个相变压力点提前9.6GPa,第二个相转变压力点提前6.2GPa。结构相转变的差异可以归因于Sn S纳米片微观尺寸效应以及其层状形貌所具有的特殊表面和界面结构。卸压后Sn S纳米片电阻率基本恢复到原来的数量级,说明其相变过程是可逆的。过高压原位霍尔效应测量系统研究了压力对Sn S纳米片样品电输运性质的影响。霍尔系数(RH)始终为正值,这表明在整个压力区间内Sn S纳米片中起主要传导作用的载流子是空穴。电输运参数如电阻率、霍尔系数、载流子浓度和载流子迁移率等在3.0GPa和12.4GPa左右都发生了明显的不连续变化,这些变化归因于结构相变。3、通过高压原位变温电阻率测量实验,通过数据分析得出Sn S纳米片在常压到7.0GPa电阻率随温度的升高呈下降趋势,可判断在此压力区间内Sn S纳米片表现为明显的半导体特性。到8.0GPa时,Sn S纳米片的电阻率随着温度的升高呈上升趋势,表现为金属特性。对比霍尔效应测量结果,我们发现该金属或半金属相为“坏金属”,以空穴导电为主。我们给出了半导体Sn S纳米片的激活能随压力的依赖关系来反映其杂质能级随压力变化情况。此外,我们还发现:与Sn S体材料数据对比,Sn S纳米片金属化相变点也提前2.3GPa,在高压下展示出极强的尺度效应。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-06-01）
王俊盈[9]（2019）在《高压下SnS_2电输运性质的研究》一文中研究指出金属硫属化合物的能带结构工程让人们能够探索出有关凝聚态物质异乎寻常的现象并且开发出许多潜在的应用。例如,从间接带隙到直接带隙的能带改变对电子及光电子提供了可利用的价值。二硫化锡(Tin disulfide,SnS2)是一种新兴的半导体金属二硫化物,由于其分层结构产生的独特性质而备受关注。SnS2作为一种多功能材料,广泛应用于热电、光催化、气体传感等领域,具有极大的潜在应用价值,尤其是相对较高的载流子迁移率和极大的激子效应特性已成为研究热点。与其他方法相比,高压是诱导其晶体结构和电子结构发生剧烈变化的有效方法。本文以纳米级SnS2粉末为研究对象,利用金刚石对顶砧高压力装置(DAC),对SnS2样品进行了高压下原位电阻率和交流阻抗谱的测量,并对样品进开展了加压前后的SEM形貌表征。同时,结合第一性原理方法,计算了不同压力下SrnS2样品的能带结构及态密度,确定了SnS2样品在高压下电学输运性质存在的异常行为和压力效应,并且实验和计算结果都表明,能带结构在有限压力的调节下并没有带来从半导体到金属的转变。研究成果如下:(1)对S1S2样品进行0-25.0GPa范围内电阻率的测量,得到了压致电阻率变化规律:在整个压力范围内电阻率整体下降了 3个数量级,电阻率最低值达到25.964Ω·cm,其中0至4.4Gpa范围内,随着压力增加样品粉末逐渐紧密,原子间距离不断缩小,样品电阻率逐渐下降,在4.4GPa到11.2GPa范围内由于层间压缩机制导致层间相互作用增强,电阻率上升了一个数量级显示出异常反转,随后随着压力的继续增加逐渐下降,直至25.0GPa。(2)对SnS2样品进行高压交流阻抗谱的测量,得到16.4GPa以内阻抗谱及总电阻的变化规律:在4.4GPa范围内电阻逐渐减小,Nyquist图谱由两部分组成,分别是高频区域的半圆弧以及低频区域的曲线,意味着电荷载流子在晶粒内部的传导过程,以及空间电荷在晶粒边界处耗散的现象。之后阻抗平面只存在一个半圆弧即晶粒传导作用,并且在4.4GPa至11.2GPa范围内电阻逐渐增大,在11.2GPa至16.4GPa区间,电阻逐渐减小,与本文所测得的电阻率变化规律一致。利用等效电路对所测得的阻抗图谱进行模拟,得出总电阻的变化规律:总电阻在4.4GPa之前随压力的增加逐渐减小,在4.4GPa-11.2GPa区间内随压力的增加呈上升趋势显示异常反转,在11.2GPa-16.4GPa区间随压力的增加呈现下降趋势。(3)利用第一性原理对SnS2开展20.0GPa以内的能带和态密度计算。本文采用的是杂化泛函(HSE)方法替代局域密度近似(LDA)避免带隙计算偏低,进而获得更加精准的计算结果:在压力作用下,SnS2的带隙逐渐减小,在OGPa时为3.081eV,在20.0GPa时,能隙减小为1.517eV。(本文来源于《延边大学》期刊2019-05-28）
蔡立[10]（2019）在《单晶过渡金属氧化物薄膜及异质结的磁性和电输运研究》一文中研究指出自旋电子学(Spintronics)是希望同时利用电子自旋和电荷的属性,获得新奇的磁学或者电学性质的一门新兴学科。自1988年巨磁电阻效应(Giant magnetoresistance,GMR)发现以来,自旋电子学因为在信息存储、计算、通信、生物神经网络模拟、能量转换和高灵敏度传感器等领域的广泛应用前景获得越来越多的关注。叁十年来科研工作者们利用先进的制备技术、精细的微纳加工工艺和灵敏的测量表征方法,在多种多样的材料体系中开展自旋电子学的应用研究。其中,过渡金属氧化物材料具有丰富的物理性质和强的自旋、轨道、晶格耦合强度,为自旋电子学应用研究提供了理想的平台。例如,过渡金属氧化物中有可用于交换偏置效应的反铁磁材料、用于自旋泵浦的铁磁绝缘体材料、具有重要商业价值的高温超导材料、具有庞磁电阻效应的钙钛矿锰氧化物材料、与半导体工艺相结合的磁性半导体材料和同时具有铁电和铁磁特性的多铁材料等。而且这些过渡金属氧化物材料及其异质结构在磁电阻、自旋泵浦、金属绝缘体转变和超导等领域展现出许多新奇的电学或磁学性质,获得广泛的关注。近年来,氧化物反铁磁材料的研究取得突破性进展。氧化物反铁磁体不仅本身具有太赫兹的高频特性,而且氧化物反铁磁材料的异质结构在交换偏置(Exchange bias)、反铁磁交换弹簧效应(Antiferromagnetic exchange spring effect)、隧穿各向异性磁电阻(Tunneling anisotropic magnetoresistance)以及自旋流注入等多个方面展现出优异的特性。理论和实验的研究成果使科研工作者们认识到合理地使用和调控反铁磁结构可以拓展反铁磁材料的功能,例如构建未补偿的磁性表面,引入局域的导电通道,调制材料的自旋轨道耦合强度,操纵反铁磁体的磁矩取向以及光诱导磁振子的激发和关闭等等。本论文选择过渡金属反铁磁氧化物CoO作为研究对象,基于以下叁方面原因:一、CoO体材料具有高的磁晶各向异性和实验上易于接近的奈尔温度(～293 K);二、CoO单晶具有NaCl型面心立方结构和共线的自旋排布;叁、CoO(111)面不仅是极性面(表面只有阳离子或者阴离子),而且具有未补偿的自旋。因此,CoO(111)单晶是研究反铁磁的磁矩和调控的理想材料。然而目前为止,鲜有关于高质量的单晶CoO(111)的反铁磁性调控的实验报道。基于此现状,本论文不仅探索了高质量的CoO(111)单晶薄膜的制备工艺,而且通过元素掺杂和超晶格构建两种方式分别研究了Zn掺杂CoO(ZnxCo1-xO,0≤x≤0.24)对反铁磁序的调控和[Co/CoO]n超晶格对薄膜磁性和电输运性质的影响。本论文研究的另一种材料体系是氧化物磁性半导体材料。磁性半导体材料备受关注的主要原因是它有望将现代信息技术的两个主要特性——半导体器件的逻辑性和存储器件的磁性——结合在同一种材料中。科研工作者致力于将具有高居里温度、高饱和磁化强度的磁性半导体集成到利用电荷和自旋来承载数据信息的半导体自旋电子器件中。在磁性半导体的研究历程中,不同的课题组进行了大量的探索,但是实验上得到的各种磁性半导体材料(如GaMnAs、MnGe、CoTiO等)的性质不尽如人意。这些材料或者缺乏高的居里温度、高的饱和磁化强度,或者其室温铁磁性来自于非本征的磁性杂质相,这都阻碍了磁性半导体在自旋电子器件方面的应用。目前,具有高过渡金属含量的、高质量的单晶磁性半导体仍是科研工作者们努力的目标之一。为此目的,我们选择四元的具有面心立方结构(fcc)的Cox(MgyZn1-y)1-xO1-v单晶薄膜作为研究对象。这是因为叁元的MgxZn1-xO材料的晶体结构会随Mg掺杂浓度的升高从ZnO基的六方结构向MgO基的面心立方结构演变,而且CoxMg1-xO是一种组分可在0%～100%比例范围调整的具有fcc结构的材料。因此,四元的fcc-Cox(MgyZn1-y)1-xO1-v材料体系为解决过渡金属在半导体中的低溶解度问题提供有效的平台。本论文将重点介绍高掺杂Cox(MgyZn1-y)1-xO1-v(x=0.5)单晶薄膜的磁性以及组分和氧空位浓度对磁性的调控。本论文的工作包括以下叁个方面的内容:一、Zn掺杂CoO(111)单晶薄膜的制备及反铁磁性的调控。我们以热蒸发的纯金属Zn和Co在氧等离子体气氛中氧化的方式,利用分子束外延技术制备了高质量的单晶外延ZnxCo1-xO(111)薄膜,并研究了不同Zn掺杂浓度(0%～24%)对CoO(111)反铁磁结构的影响。一方面,通过Co/ZnxCo1-xO异质结的交换偏置效应表征了ZnxCo1-xO薄膜的反铁磁性。实验结果显示,Co/ZnxCo1-xO异质结的交换偏置场随着Zn组分的增加而降低。而经过氧等离子体气氛退火的ZnxCo1-xO薄膜与Co形成的异质结(标记为退火后的异质结)比制备态的Co/ZnxCo1-xO具有更大的交换偏置效应。另一方面,制备态的Zno.24Co0.760单层膜存在弱的室温铁磁信号(9.5 emu/cm3),而退火后的ZZno.24Co0.76O中铁磁信号消失,这说明制备态Zn0.24Co0.760薄膜的铁磁性源自氧空位导致的局域铁磁交换耦合作用。结合Co/ZnxCo1-xO异质结的交换偏置效应和ZnxCo1-xO单层膜的磁性结果,我们认为在高掺杂的ZnxCo1-xO单晶薄膜中存在由CoO构成的反铁磁相和由氧空位引起的铁磁相的共存。氧空位的存在不仅弱化了CoO的反铁磁交换耦合,而且增强了薄膜的铁磁交换耦合。因此,我们提供了一种通过调整掺杂比例和氧空位浓度来调控CoO单晶薄膜的反铁磁性的方法。二、[Co/CoO]n超晶格的外延制备及磁性和电输运性质。在实验上,制备由铁磁金属和反铁磁氧化物组成的超薄、单晶、外延的超晶格是极具挑战性的工作。在超晶格中,由于存在多个铁磁/反铁磁界面,体系的界面交换耦合、磁有序和电输运性质预期会被极大地调制。我们利用分子束外延技术制备了由铁磁金属Co和反铁磁氧化物CoO组成的单晶外延[Co/CoO]n超晶格。磁性测量结果显示,即使是最薄的[Co0.6/Co01.2]5超晶格,其饱和磁化强度在5 K到300 K温度区间内非常稳定,仅下降1.5%。电输运的测量结果表明,[Co/CoO]n超晶格的电阻率和反常霍尔电阻率受到Co层厚度和Co/CoO界面的影响。[Co/CoO]n超晶格材料为研究由铁磁金属和反铁磁氧化物异质结提供了新的平台。叁、Cox(Mg0.55Zn0.45)1-xO1-v单晶薄膜的混合磁性相的调控。利用分子束外延技术制备了具有高Co掺杂浓度的、单晶的、面心立方的Co0.5(Mg0.55Zn0.45)1-xO1-v薄膜。磁性测量和软X射线吸收光谱的测量结果显示,Co0.5(Mg0.55Zn0.45)0.5O1-v薄膜中存在由于氧空位非均匀分布导致的铁磁相、超顺磁团簇和非磁边界叁相共存的混合磁性相结构。此外,薄膜混合磁性相之间的相对强度可以通过调整制备时的氧分压和Co掺杂浓度来调控。这种磁性和带隙可同时被调控的Cox(MgyZn1-y)1-xO1-v材料有望在新型磁电调控器件方面获得的广泛应用。(本文来源于《山东大学》期刊2019-05-27）
电输运论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文在压力为2.5GPa、温度为1 000K的合成条件下,采用高温高压法成功制备了钐填充和碲取代的方钴矿化合物Sm_(0.025)CoSb_(2.975)Te_(0.025)。电输运性能测试结果表明:Sm_(0.025)CoSb_(2.975)Te_(0.025)的塞贝克系数为负值,其导电类型为n型,塞贝克系数随温度的升高而减小;电导率随温度的升高先减小后升高;样品Sm_(0.025)CoSb_(2.975)Te_(0.025)的功率因子在660K达到26.8μW·cm~(-1)·K~(-2)。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电输运论文参考文献
[1].刘沁莹,王俊峰,左华坤,杨明,韩小涛.基于转角样品杆的脉冲强磁场电输运测量系统[J].物理学报.2019
[2].姜一平.方钴矿化合物Sm_(0.025)CoSb_(2.975)Te_(0.025)电输运性能研究[J].河南科技.2019
[3].杨威宇,雷志超,洪文晶,黄飞舟.基于纳米间隔电极对的DNA分子结电输运的研究进展[J].化学学报.2019
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[6].刘悦,赵可,羊新胜,赵勇.硼掺杂拓扑绝缘体Bi_2Se_3单晶的电输运性质研究[J].低温物理学报.2019
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[8].刘春明.高压下SnS纳米片的结构及电输运性质研究[D].吉林大学.2019
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[10].蔡立.单晶过渡金属氧化物薄膜及异质结的磁性和电输运研究[D].山东大学.2019
论文知识图
