导读:本文包含了氟化非晶碳薄膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氟化,薄膜,光谱,结构,化学,发射光谱,热稳定性。
氟化非晶碳薄膜论文文献综述
王福,鲁志斌,张广安,王立平,薛群基[1]（2017）在《氟化非晶碳基薄膜摩擦学行为对配副材料的依赖性》一文中研究指出为了系统研究氟掺杂对非晶碳基薄膜摩擦学行为的影响,以C_2H_2和CF_4为气源,通过等离子体增强化学气相沉积方法制备不同F含量的非晶碳基薄膜.采用XPS、SEM、Raman光谱以及纳米压痕等技术测定薄膜的微观结构、化学组成和力学性能,利用球-盘式往复摩擦试验机评价薄膜与不同配副材料的摩擦磨损性能.结果显示:较低F含量并未显着影响薄膜与强碳黏着对偶Ti、WC和Si_3N_4的摩擦系数;少量F原子掺杂明显增加了薄膜与弱碳黏着对偶ZrO_2和Al_2O_3的摩擦系数;薄膜与GCr15对偶的摩擦系数随F含量增加而明显升高;高F含量导致薄膜与Cu对偶的摩擦系数产生明显波动,而导致薄膜与Al对偶的摩擦系数显着增加;值得注意的是,高F含量薄膜在不同体系中都表现出高摩擦低磨损的特点.高活性F原子与对偶材料的摩擦化学作用能够合理解释不同体系摩擦学行为.(本文来源于《摩擦学学报》期刊2017年03期）
高金定,侯玉宝[2]（2009）在《氮掺杂对氟化非晶碳薄膜微观结构的影响》一文中研究指出以CH4,CF4,N2为源气体,用RF-PECVD法,通过改变N2流量制备了一批掺氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜样品。分析了氮掺杂对薄膜微观结构的影响。研究发现:掺氮后薄膜表面更均匀致密,均方粗糙度(RMS)由未掺氮的2.553 nm降为1.406 nm。FTIR测试表明掺氮后薄膜中出现了C=N及C≡N,随着氮流量的增加,1 620 cm-1附近吸收峰往高频移动,CFx基团含量下降,C=C基团含量上升。Raman光谱分析表明:随着氮流量的增加,D峰与G峰强度之比由未掺氮时的1.461增加到了掺氮后的2.545,薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升。结果表明:掺氮能有效增强a-C∶F薄膜交联结构,从而提高薄膜热稳定性。(本文来源于《半导体光电》期刊2009年03期）
谷建东,李东明,冯志庆,牛金海,刘东平[3]（2009）在《ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究》一文中研究指出本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研究结果表明:放电模式、放电气压、射频功率、基底位置均对薄膜的表面粗糙度(RMS)和组成具有重要的影响。在脉冲波模式下,增加放电气压,薄膜RMS值的变化呈现出先降低后升高的变化趋势;基底距离线圈的距离越远,所沉积薄膜的RMS值越小。而在连续波模式下,距离线圈较远的B、C位置薄膜的RMS值却相对较高。增加放电功率导致沉积薄膜的RMS值较小。本文也对CH2F2等离子体进行了发射光谱(OES)诊断研究。结果表明,对比脉冲波模式,连续波放电时等离子体中含碳物种明显减少。结合表征结果和OES结果对薄膜的生长机理进行了探讨。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2009年01期）
高金定,刘雄飞,肖剑荣[4]（2008）在《低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测》一文中研究指出氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点,普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一。结合研究实践,综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术、工艺参数及性能检测技术,指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2008年04期）
周昕[5]（2007）在《含氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜电学性能的研究》一文中研究指出用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜,用电桥测试薄膜的介电常数,研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响.结果表明:掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升.(本文来源于《株洲师范高等专科学校学报》期刊2007年05期）
刘雄飞,周昕[6]（2006）在《氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究》一文中研究指出用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C:F:N)薄膜。用紫外-可见分光光谱仪、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱仪对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中氮气含量的增加,光学带隙先减小后升高,折射率变化情况与之相反。在其它条件相同的情况下,升高沉积温度使得薄膜的光学带隙和折射率降低。光学带隙的大小与sp2键含量密切相关,sp2键浓度越大,薄膜的光学带隙越小。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2006年04期）
张云芳[7]（2006）在《氮掺杂氟化非晶碳薄膜的拉曼光谱结构研究》一文中研究指出以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,采用PECVD技术,在不同源气体流量比下制备了α-C:F:N薄膜。对制备的薄膜进行了真空退火处理,并对退火前后的薄膜进行了拉曼结构分析。拉曼分析表明:α-C:F:N薄膜是由sp2和sp3混合结构组成的非晶碳薄膜;随源气体流量比的增大,α-C:F:N薄膜中sp2键的含量增加,交联结构加强,薄膜的热稳定性得到提高;对低流量比下沉积的薄膜,退火处理可以提高其热稳定性。(本文来源于《绝缘材料》期刊2006年04期）
吴振宇,杨银堂,汪家友[8]（2006）在《微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究》一文中研究指出采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)法,以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.X射线电子能谱(XPS)和傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明,a-C:F薄膜退火后厚度减小是由于位于a-C:F薄膜交联结构末端的C—C和CF3结合态的热稳定性较差,导致退火时容易生成气态挥发物造成的.a-C:F膜介电常数在300℃氮气气氛中退火后由于电子极化增大和薄膜密度增加而上升,界面态陷阱密度从(5—9)×1011eV-1·cm-2降至(4—6)×1011eV-1·cm-2.a-C:F薄膜导电行为在低场强区域呈现欧姆特性,在高场强区域符合Poole-Frankel机理.非定域π电子在带尾形成陷阱且陷阱能量在退火后降低,从而使更多陷阱电子在场增强热激发作用下进入导带并引起电流增大.(本文来源于《物理学报》期刊2006年05期）
吴振宇,杨银堂,汪家友[9]（2006）在《ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜》一文中研究指出采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法,以C4F8和CH4为源气体在不同气体流量比R(R=[CH4]/{[CH4]+[C4F8]})条件下成功地沉积了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数(低k)材料。采用X光电子能谱和椭圆光谱方法分析了a-C:F薄膜的化学组分和光学性质。沉积的a-C:F薄膜介电常数约为2.1~2.4,热稳定性优于350℃。随着气体流量比的增大,沉积a-C:F薄膜中的碳含量增大,CF、CF2、CF3含量减少,C-C交链成分增加,从而使得π-π*吸收增强,并引起薄膜光学带隙下降。氮气气氛下350℃温度退火后应力释放引起a-C:F薄膜厚度变化,变化量小于4%。450℃温度退火后,由于热分解作用薄膜厚度变化量在30%左右。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2006年02期）
蒋昱,吴振宇,苏祥林,汪家友,杨银堂[10]（2006）在《氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究》一文中研究指出在室温下以C4F8和CH4为前驱气体,用电子回旋共振化学气相沉积(ECR-CVD)的方法生长了氟化非晶碳(α-C∶F)薄膜。通过傅立叶变化红外光谱分析(FTIR)和X射线光电子能谱分析(XPS)对薄膜的化学结构和成键情况进行了研究。CFx(x=2~3)以及位于C-C交联结构末端用于构成CxFy大分子结构的C-C键的热稳定性较差,在N2气氛下退火后,会以气态形式进行分解,导致α-C∶F薄膜膜厚的减小。随着源气体流量比R=[C4F8]/([C4F8]+[CH4])的减小,α-C∶F薄膜中C-CFx交联结构逐渐增多,CFx(x=2~3)基团及构成CxFy大分子结构的C-C键逐渐减少,薄膜的热稳定性得到着提高。α-C∶F薄膜在退火后,由于取向极化的增大和电子极化的减小,以及薄膜密度的增加使得α-C∶F薄膜的介电常数有所增加。(本文来源于《电子器件》期刊2006年02期）
氟化非晶碳薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以CH4,CF4,N2为源气体,用RF-PECVD法,通过改变N2流量制备了一批掺氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜样品。分析了氮掺杂对薄膜微观结构的影响。研究发现:掺氮后薄膜表面更均匀致密,均方粗糙度(RMS)由未掺氮的2.553 nm降为1.406 nm。FTIR测试表明掺氮后薄膜中出现了C=N及C≡N,随着氮流量的增加,1 620 cm-1附近吸收峰往高频移动,CFx基团含量下降,C=C基团含量上升。Raman光谱分析表明:随着氮流量的增加,D峰与G峰强度之比由未掺氮时的1.461增加到了掺氮后的2.545,薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升。结果表明:掺氮能有效增强a-C∶F薄膜交联结构,从而提高薄膜热稳定性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氟化非晶碳薄膜论文参考文献
[1].王福,鲁志斌,张广安,王立平,薛群基.氟化非晶碳基薄膜摩擦学行为对配副材料的依赖性[J].摩擦学学报.2017
[2].高金定,侯玉宝.氮掺杂对氟化非晶碳薄膜微观结构的影响[J].半导体光电.2009
[3].谷建东,李东明,冯志庆,牛金海,刘东平.ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究[J].真空科学与技术学报.2009
[4].高金定,刘雄飞,肖剑荣.低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测[J].电子元件与材料.2008
[5].周昕.含氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜电学性能的研究[J].株洲师范高等专科学校学报.2007
[6].刘雄飞,周昕.氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究[J].材料科学与工程学报.2006
[7].张云芳.氮掺杂氟化非晶碳薄膜的拉曼光谱结构研究[J].绝缘材料.2006
[8].吴振宇,杨银堂,汪家友.微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究[J].物理学报.2006
[9].吴振宇,杨银堂,汪家友.ECR-CVD制备氟化非晶碳低k介质薄膜[J].功能材料与器件学报.2006
[10].蒋昱,吴振宇,苏祥林,汪家友,杨银堂.氟化非晶碳薄膜结构与热稳定性研究[J].电子器件.2006
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