导读:本文包含了氧沉淀论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:污泥,快中子,电子,聚集体,缺陷,快速,硅片。
氧沉淀论文文献综述
沈雪莲[1]（2016）在《好氧/沉淀/厌氧(OSA)工艺的污泥减量机制及其调控研究》一文中研究指出膜生物反应器耦合侧流反应(MBR-ASSR)工艺是好氧/沉淀/厌氧(OSA)的改进工艺,其中OSA工艺是污水厂实现污泥过程减量的最常用的一种技术。本文主要研究不同侧流比(SR)对污染物去除效果、污泥减量及膜污染的影响,采用叁维荧光(3D-EEM)和凝胶色谱(GPC)等仪器分析方法解析DOM的迁移转化规律,并分析MBR-ASSR工艺的好氧单元、ASSR单元和膜面各部分的微生物种群,解析不同SR对各单元微生物种群多样性的影响。在叁套MBR-ASSR和对照组MBR中,化学需氧量(COD)和氨氮去除效果均较好,其中COD和氨氮去除率分别达到82%和98%以上,TN去除率均不高,但是呈现出随着SR从20%增加到100%,去除率升高的现象。通过ORP和p H的测定说明ASSR单元能够为污泥减量提供稳定的厌氧环境和反硝化作用的条件。在各套反应器中,SR为0%、20%、50%和100%的Yobs分别为0.1353,0.1272,0.1126和0.068kg SS/kg COD,污泥产率系数(Yobs)随SR增大而降低,与对照组相比污泥减量率分别为5.99%,16.77%和49.74%。通过测定含氮物质和有机物迁移变化,发现ASSR单元具有污泥溶胞、含氮物质释放和发硝化作用等共存现象。ASSR单元出水上清液TN和NOx--N随着SR的增加而增加,氨氮呈现相反的变化趋势。经过缺氧池和好氧池后,有机物被分解利用,COD和蛋白质浓度呈现出递减的规律,经过ASSR单元的厌氧环境后,污泥溶胞使COD和蛋白质浓度均升高,并且SR越大,浓度变化越小。通过计算不同SR条件下二次基质的释放,发现SR为20%、50%和100%时,ASSR单元中污泥溶胞释放的SCOD含量分别为3084、4349和5230mg/d,随着SR的增大,单位时间内有机物溶出量越多。从分子量分布水平上发现在缺氧池中大分子物质逐渐消失,逐渐转变成小分子物质,由于溶胞作用ASSR单元有大分子物质的溶出,并且随着SR的增加,水样中溶解性有机物(DOM)的分子量分布变宽。由物质荧光特性分析沿程物质变化时发现,DOM中均含有叁个主要峰,分别表示色氨酸、腐殖酸和富里酸,其中色氨酸类物质在ASSR段出水中变化最为明显,并随着SR的增大,色氨酸类芳香族蛋白质的强度变化减小,其次是腐殖酸变化,变化最不显着的是富里酸类物质。污泥沉降性能和胞外聚合物(EPS)特性是引起膜污染的主要原因,SVI>150m L/g时,膜污染速率是SVI<150m L/g的4倍,具有厌氧回流的污泥沉降性能差,跨膜压差(TMP)的升高会加速。Slime和LB-EPS是引起膜污染主要因素,其中蛋白质对膜污染的贡献比多糖类物质大。EPSp/EPSc与膜污染呈现正相关性,TB-EPS/LB-EPS呈负相关性。ASSR单元,蛋白质主要存在与TB-EPS中,其中LB-EPS和TB-EPS随着SR的增大而呈现增大的趋势,Slime-EPS略有下降;分析膜面污染物质Slime-EPS、LB-EPS和TB-EPS中的TOC、蛋白质和多糖,随着SR的增大,单位膜面积上的比例升高;蛋白质是形成滤饼层的主要物质。ASSR单元的引入会改变微生物的种群分布,并创造有利于污泥减量有关的微生物生长环境。在MBR-ASSR中ASSR单元与有机物降解有关的菌(Chloroflexi、Acidobacteria、Chlorobi、Verrucomicrobia和WCHB1-60)的相对丰度更高,与有机物降解有关的菌Acidobacteria和Anaerolineae均随着SR的增大而增大。SR影响膜面微生物分布,其中以Chlamydiae变化最为明显。与污泥减量有关的慢生菌、发酵菌和捕食菌在ASSR单元均有发现,相对丰度较SR为0%时更高。AOB的相对丰度随着SR的增大而增大,NOB变化不大,反硝化菌属Denitratisoma随着SR的增大而减小。(本文来源于《上海电力学院》期刊2016-05-01）
姬祥[2]（2016）在《单晶硅片中氧沉淀演化行为的相场法模型及其模拟研究》一文中研究指出硅单晶是支撑信息技术产业和光伏产业发展的基础材料,它的性能直接影响和决定着相关高技术产业的发展。随着直拉硅单晶的直径不断增大以及集成电路特性线宽持续减小,硅单晶的缺陷控制及其质量保证尤为重要,特别是新型的基于快速热处理(RTP)的“内吸杂”结构在热处理过程中硅片内部演变行为的研究。近些年来,计算机数值模拟技术越来越多地被用于材料微缺陷演变的研究中。其中,以吉布斯-朗道自由能理论为基础的相场法,已经成为研究材料介-微观缺陷的一种重要数值模拟方法。基于该方法的模型构建、程序编写以及模拟数据可视化处理,可以实现材料介-微观区域中缺陷演变行为的仿真,对研究材料微缺陷分布及其形成机理等有重要的理论和实际意义。目前,国内外学者应用相场法针对材料组织结构的演变进行了大量模拟研究。然而,针对硅片中氧沉淀等缺陷在退火过程中演变行为的相场模拟研究还鲜见报道。因此,本文应用相场法,建立了描述RTP处理后硅片中氧聚集体和氧沉淀演变行为的相场模型,分别实现了它们在低温退火和高温退火过程中演变的仿真,研究和分析了不同模拟条件的影响规律,进一步探索了相场法在硅片缺陷演变模拟研究中的应用。首先,基于材料热力学、晶体点缺陷物理学、相场理论和相关模拟假设,分别构建了描述RTP处理后硅片中氧聚集体和氧沉淀演变的相场模型,包括系统自由能方程、缺陷演变控制方程等。确定了以有限差分法和欧拉迭代法为主的模拟算法,且采用Matlab语言编写了仿真程序。然后,设定不同的初始模拟条件,应用仿真程序分别在计算机上实现了低温退火过程中氧聚集体和高温退火过程中氧沉淀演变的仿真,通过与理论和文献中相关实验结论对比,初步验证了所提出的模型、算法和程序的合理性。最后,通过进一步的全面模拟研究,分别揭示了初始空位浓度和低温退火温度对于氧聚集体演变以及高温退火温度对于氧沉淀演变的影响规律：(1)低温退火期间,随着退火时间的延长,氧聚集体的数量不断增加,且尺寸略微有所增大；(2)低温退火期间,氧聚集体的存在量随着初始空位浓度的增加而增加、且随着退火温度的增加先增加后减小；(3)设定初始空位浓度≥1×1015cm-3、退火温度为1075～1175 K的初始条件,有利于氧聚集体形成；而初始空位浓度<1×1012cm-3、退火温度低于900 K时,几乎无法获得氧聚集体；(4)高温退火期间,随着退火时间延长,氧沉淀尺寸不断增大,而数量先增加后基本保持不变;(5)高温退火期间,随着退火温度的不断提高,氧沉淀尺寸不断增大,在1000-1500K范围内退火时其平均尺寸大约可达到50～120nm。本文所建模型及其算法经检验具有可信的热力学和实验基础,所得出的模拟结论与相关报道的实验结论吻合。(本文来源于《山东大学》期刊2016-04-20）
蔡莉莉,冯翠菊,陈贵锋[3]（2014）在《热处理气氛对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响》一文中研究指出对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响。实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样品体内的缺陷以位错环为主而氮气氛下则主要是层错,并对此现象的机理进行了讨论;经历不同气氛快速预处理再进行高温一步退火后,辐照样品表面会产生一定宽度的清洁区,而氮气氛下清洁区宽度较窄;通过傅里叶变换红外光谱仪检测间隙氧含量的变化发现氮气氛下退火的样品间隙氧含量下降较多,说明氮气氛热处理更有利于氧沉淀的生成。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2014年07期）
王剑[4]（2014）在《高温退火对直拉硅抛光片表面质量及氧沉淀的影响》一文中研究指出直拉硅抛光片的表面质量和氧沉淀对集成电路成品率的影响很大。无论在硅片生产还是在集成电路制造中,硅片都要经过高温退火。因此,高温退火对硅片表面质量和氧沉淀影响的研究显得十分重要。本文研究了200mm直拉硅抛光片经高温退火后的表面状态以及氧沉淀,取得了如下主要结果：1.研究了实际生产中200mm单面抛光硅片在消除表面空洞型缺陷的1200℃退火工艺后,表面出现彩雾和白雾的问题。通过清洗炉管消除金属沾污而解决了彩雾问题；通过更换抛光方式消除了肉眼可见的白雾,但由激光颗粒计数仪检测到的表面haze (雾)较显着且分布不均匀,且这样的表面haze与表面微微粗糙度没有明确的对应关系。表面haze看起来是高温热处理的“顽疾”,可通过表面精抛加以消除。2.研究了高温预退火对直拉硅片在后续退火工艺中氧沉淀的影响。发现高温预退火能显着促进直拉硅片在后续低-高两步退火工艺或高温RTP-低-高叁步退火工艺中的氧沉淀,且高温预退火时间越长,对氧沉淀的促进越显着。这种促进作用的机制在于：高温预处理可以消融原生氧沉淀,因而消除了伴生的自间隙硅原子,为后续新的氧沉淀的形核提供了有利条件。3.将高温预处理应用在基于快速热处理的直拉硅片内吸杂(MDZ)工艺时,可大幅度缩短氧沉淀长大的高温退火时间,并形成更高密度的体微缺陷,从而提高硅片的内吸杂能力。结果表明,高温预处理可以减少MDZ工艺的热预算。(本文来源于《浙江大学》期刊2014-01-01）
高超,马向阳,杨德仁[5]（2012）在《不同热处理条件下掺锡硅单晶中氧沉淀的行为》一文中研究指出本文通过傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)、扫描红外显微镜(SIRM)等测试技术对不同热处理条件下的掺锡直拉单晶硅(SCZ-Si)和普通直拉单晶硅(CZ-Si)中氧沉淀的行为进行了比较和表征。研究结果表明,仅经过低-高两步热处理的SCZ-Si中的氧沉淀受到明显抑制,而经过氩气氛及氮气氛快速预热处理(RTA)之后的SCZ-Si在后续低-高两步热处理中氧沉淀得到(本文来源于《第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应用》期刊2012-10-21）
姜支贤[6]（2011）在《热处理对太阳能级直拉单晶硅氧沉淀的影响》一文中研究指出利用傅立叶红外光谱议,通过单步退火和两步退火的方法,研究了太阳能级直拉单晶硅在不同气氛下热处理对其氧沉淀的影响。实验结果表明,在Ar气氛下进行单步退火处理,太阳能级直拉单晶硅片基本上不会产生氧沉淀。而经过两步退火处理后,则有氧沉淀的产生。而在N2气氛的下热处理,在单步退火过程中,随着退火温度的升高,硅片氧沉淀增加两步退火处理时,随着后处理温度的升高,硅片的氧沉淀呈现出先增加后减少的趋势。(本文来源于《2011年安徽省科协年会——机械工程分年会论文集》期刊2011-11-26）
陈贵锋,马晓薇,吴建海,马巧云,薛晶晶[7]（2011）在《快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响》一文中研究指出研究快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅(NCZ-Si)和电子辐照直拉硅(CZ-Si)中氧沉淀和清洁区(DZ)的影响.样品经过不同温度、降温速率和退火气氛快速热处理(RTP)预处理后,再进行高温一步长时间退火,以形成氧沉淀.研究结果表明:对于快中子辐照NCZ-Si,RTP有助于后期退火中DZ的生成,且RTP温度越高,形成的DZ越宽;而高的降温速率会使得DZ宽度变窄;对于电子辐照CZ-Si,在N2气氛下高温RTP更能促进氧沉淀形成,体缺陷(bulk micro defects,BMDS)密度较大.(本文来源于《浙江大学学报(工学版)》期刊2011年05期）
马巧云,陈贵锋,马晓薇,薛晶晶,郝秋艳[8]（2010）在《快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷》一文中研究指出利用光学显微镜和透射电子显微镜,研究了1100℃退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现:在快中子辐照直拉硅中,氧沉淀过程中产生了氧沉淀诱生的体层错和结构复杂的位错环。延长退火时间,缺陷密度增加。当过饱和态的间隙氧基本沉淀之后,诱生缺陷密度不再变化。较高剂量辐照样品中的缺陷尺寸较大,但密度相对较低。经高温退火的快中子辐照直拉硅中生成了直径约为40nm的氧沉淀,其形貌为多面体氧沉淀。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2010年10期）
蔡莉莉,陈贵锋,李养贤[9]（2010）在《快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响》一文中研究指出对n型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后分别在不同温度和降温速率下快速热处理(rapid thermal process,RTP),再在1100℃下进行常规一步退火。研究了RTP温度和降温速率对硅样品内氧沉淀的变化及样品表面清洁区形成的影响。结果表明:经过RTP再经高温一步退火后,硅晶体内形成了密度较高的氧化诱生层错以及完整的位错环,样品表面形成了一定宽度的清洁区;清洁区的宽度随RTP温度及降温速率的升高而变窄。当RTP温度达到1280℃时,样品中的层错和位错环明显减少,此时当RTP降温速率增加至150℃/s时,大部分层错消失,样品中出现了大量的点状腐蚀坑。(本文来源于《硅酸盐学报》期刊2010年02期）
朱伟江[10]（2010）在《重掺锑直拉硅单晶的氧沉淀行为》一文中研究指出重掺锑直拉硅片最早被用做外延硅片的衬底,至今仍然是主要的衬底材料之一。外延硅片的内吸杂能力取决于衬底硅片的氧沉淀,因此研究重掺锑直拉硅单晶的氧沉淀行为具有重要的实际意义。虽然已有研究表明重掺锑直拉硅单晶中的氧沉淀受到抑制,但对其氧沉淀行为的理解远没有象轻掺直拉硅单晶的那样深入。本论文利用二次离子质谱(SIMS),扫描红外显微术(SIRM)和择优腐蚀结合光学显微术等手段进一步研究了重掺锑直拉硅片在不同热处理情况下的氧沉淀行为,得到如下主要结果:对比研究了轻掺磷直拉硅片和不同初始氧浓度的重掺锑直拉硅片经低温和高温两步退火的氧沉淀行为。研究发现:(1)与轻掺磷硅片相比,高氧浓度的重掺锑硅片在低温短时间退火时氧沉淀形核受到显着的抑制;(2)在650℃长时间退火时重掺锑硅片的氧沉淀形核几乎不受抑制,而在450℃或750℃长时间退火时,重掺锑硅片中氧沉淀形核仍然受到抑制;(3)对于低氧浓度的重掺锑硅片而言,在450-750℃退火时,不论时间长短,氧沉淀形核始终受到抑制。我们认为重掺锑硅片在650℃退火时会形成Sb-V-O复合体,它们作为前驱体促进了氧沉淀的形核;在450℃退火时Sb-V-O复合体浓度太低,在750℃退火时Sb-V-O复合体不能稳定存在,因而在这两种情况下的氧沉淀形核都受到抑制。低氧浓度的重掺锑硅片由于氧过饱和度太低,因而不利于氧沉淀的形核。研究了重掺锑直拉硅片中原生氧沉淀的形成过程。结果表明:原生氧沉淀可能是在晶体生长结束后冷却至800～650℃这一过程中形成的,其尺寸主要介于600℃和700℃对应的氧沉淀临界形核半径之间。研究了快速热处理(RTP)对重掺锑直拉硅片氧沉淀的影响。结果表明:RTP预处理能明显促进氧沉淀,在450-800℃的促进作用主要是由于增加了作为异质形核中心的Sb-V-O复合体的浓度,而在1000℃的促进的作用主要是由于增加了作为异质形核中心的VO_2复合体的浓度。(本文来源于《浙江大学》期刊2010-01-01）
氧沉淀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
硅单晶是支撑信息技术产业和光伏产业发展的基础材料,它的性能直接影响和决定着相关高技术产业的发展。随着直拉硅单晶的直径不断增大以及集成电路特性线宽持续减小,硅单晶的缺陷控制及其质量保证尤为重要,特别是新型的基于快速热处理(RTP)的“内吸杂”结构在热处理过程中硅片内部演变行为的研究。近些年来,计算机数值模拟技术越来越多地被用于材料微缺陷演变的研究中。其中,以吉布斯-朗道自由能理论为基础的相场法,已经成为研究材料介-微观缺陷的一种重要数值模拟方法。基于该方法的模型构建、程序编写以及模拟数据可视化处理,可以实现材料介-微观区域中缺陷演变行为的仿真,对研究材料微缺陷分布及其形成机理等有重要的理论和实际意义。目前,国内外学者应用相场法针对材料组织结构的演变进行了大量模拟研究。然而,针对硅片中氧沉淀等缺陷在退火过程中演变行为的相场模拟研究还鲜见报道。因此,本文应用相场法,建立了描述RTP处理后硅片中氧聚集体和氧沉淀演变行为的相场模型,分别实现了它们在低温退火和高温退火过程中演变的仿真,研究和分析了不同模拟条件的影响规律,进一步探索了相场法在硅片缺陷演变模拟研究中的应用。首先,基于材料热力学、晶体点缺陷物理学、相场理论和相关模拟假设,分别构建了描述RTP处理后硅片中氧聚集体和氧沉淀演变的相场模型,包括系统自由能方程、缺陷演变控制方程等。确定了以有限差分法和欧拉迭代法为主的模拟算法,且采用Matlab语言编写了仿真程序。然后,设定不同的初始模拟条件,应用仿真程序分别在计算机上实现了低温退火过程中氧聚集体和高温退火过程中氧沉淀演变的仿真,通过与理论和文献中相关实验结论对比,初步验证了所提出的模型、算法和程序的合理性。最后,通过进一步的全面模拟研究,分别揭示了初始空位浓度和低温退火温度对于氧聚集体演变以及高温退火温度对于氧沉淀演变的影响规律：(1)低温退火期间,随着退火时间的延长,氧聚集体的数量不断增加,且尺寸略微有所增大；(2)低温退火期间,氧聚集体的存在量随着初始空位浓度的增加而增加、且随着退火温度的增加先增加后减小；(3)设定初始空位浓度≥1×1015cm-3、退火温度为1075～1175 K的初始条件,有利于氧聚集体形成；而初始空位浓度<1×1012cm-3、退火温度低于900 K时,几乎无法获得氧聚集体；(4)高温退火期间,随着退火时间延长,氧沉淀尺寸不断增大,而数量先增加后基本保持不变;(5)高温退火期间,随着退火温度的不断提高,氧沉淀尺寸不断增大,在1000-1500K范围内退火时其平均尺寸大约可达到50～120nm。本文所建模型及其算法经检验具有可信的热力学和实验基础,所得出的模拟结论与相关报道的实验结论吻合。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氧沉淀论文参考文献
[1].沈雪莲.好氧/沉淀/厌氧(OSA)工艺的污泥减量机制及其调控研究[D].上海电力学院.2016
[2].姬祥.单晶硅片中氧沉淀演化行为的相场法模型及其模拟研究[D].山东大学.2016
[3].蔡莉莉,冯翠菊,陈贵锋.热处理气氛对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响[J].硅酸盐通报.2014
[4].王剑.高温退火对直拉硅抛光片表面质量及氧沉淀的影响[D].浙江大学.2014
[5].高超,马向阳,杨德仁.不同热处理条件下掺锡硅单晶中氧沉淀的行为[C].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应用.2012
[6].姜支贤.热处理对太阳能级直拉单晶硅氧沉淀的影响[C].2011年安徽省科协年会——机械工程分年会论文集.2011
[7].陈贵锋,马晓薇,吴建海,马巧云,薛晶晶.快速热处理对高能粒子辐照硅中氧沉淀的影响[J].浙江大学学报(工学版).2011
[8].马巧云,陈贵锋,马晓薇,薛晶晶,郝秋艳.快中子辐照直拉硅中的氧沉淀及诱生缺陷[J].硅酸盐学报.2010
[9].蔡莉莉,陈贵锋,李养贤.快速热处理对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响[J].硅酸盐学报.2010
[10].朱伟江.重掺锑直拉硅单晶的氧沉淀行为[D].浙江大学.2010
论文知识图
