族半导体论文_刘昊

导读:本文包含了族半导体论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:半导体,量子,外延,结构,效应,能级,氮化。

族半导体论文文献综述

刘昊^[1]（2019）在《低维异质结构与新型Ⅲ-Ⅴ族半导体发光器件的研究》一文中研究指出半导体低维异质结构早已成为构筑高性能半导体发光器件的基石,该领域的前沿创新研究经久不衰地持续了几十年,但研究热点已从早期的二维的量子阱、超晶格转变至一维的量子线(或更广义的纳米线)和零维的量子点。特别是,基于自组织量子点的新型半导体发光器件因电注入工作容易、具备某些特有的优异性能譬如高温度稳定性并且具有重要的应用前景而尤为受到关注。然而,目前绝大多数量子点发光器件譬如量子点激光器依赖分子束外延(MBE)生长,金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长量子点激光器的进展则大幅滞后且与MBE生长存在显着差距,仅有少数几个国外研究组掌握MOCVD生长量子点激光器的核心技术,鉴于MOCVD所拥有的半导体器件产业化优势,在国内深入系统开展量子点激光器的MOCVD生长研究具有十分重要的意义。除激光器外,基于半导体低维异质结构的发光器件中另外一种重要的类型是超辐射发光二极管(超辐射管),当前基于半导体低维异质结构的超辐射管作为光纤陀螺等系统的光源对于系统性能的提高起着不可替代的作用,开展超辐射管的研究对光纤陀螺等实际应用具有重要价值。此外,半导体低维异质结构除了前述的几种整数维度外,近年来本实验室提出了能级弥散这一新颖的概念,继而发展出分数维度电子态系理论,即半导体异质结构中不仅仅存在前述的叁维、二维、一维、零维等整数维度,还存在着介于这些整数维度之间的分数维度,譬如介于二维与叁维之间、介于一维和二维之间等等。分数维度理论的提出者还发现,这一理论有望引入超辐射管中并充分发挥其优势——分数维度半导体异质结构较整数维度异质结构会显着提升超辐射管的性能,并且此发现已经得到初步的实验证实,这样就亟需运用分数维度电子态系理论指导超辐射管的设计与性能优化。基于上述这一科学认知,为验证分数维度电子态系理论在超辐射管中的优越性,进而运用该理论指导超辐射管的设计与优化,我们首先需要进行相应的典型整数维度超辐射管的制备,掌握超辐射管的制备工艺等,从而为进一步研制分数维度超辐射管打下基础。本论文以半导体低维异质结构为出发点,依托科技部国际合作项目以及国家自然科学基金项目,在分数维度电子态系理论方面取得了新的进展,在实验方面重点围绕Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点展开,进行了二维的量子阱、零维的量子点等整数维度下激光器及超辐射管的研究工作,这既为MOCVD生长量子点器件积累了技术经验,也为后续进行分数维度(譬如从二维到叁维、从零维到叁维等)超辐射管或其他相关器件的研究奠定了基础。本论文已开展的研究工作以及主要的结果如下:1.研究了在应用不同线型(指数线型和洛伦兹线型)的弥态允率密度函数的情形下电子态密度曲线的变化。针对指数线型和洛伦兹线型两种弥散线型对电子态密度进行了计算分析,对于不同的弥散宽度值绘制了电子态密度曲线,并进一步阐述了实际情况中可能的复合弥散线型,为基于能级弥散的分数维度理论的进一步发展提供了支持。2.制备了基于典型量子阱的激光器与超辐射管,包括1.3μm波段InP基量子阱以及1.1μm波段GaAs基InGaAs量子阱,取得了一些重要的实验结果,为进一步制备性能更加优异的介于二维到叁维间的分数维度超辐射管奠定了基础。(1)采用InGaAsP啁啾量子阱作为有源区,进行了激光器和超辐射管的制备。脊宽10μm、腔长2mm的激光器阈值电流密度为0.8kA/cm2,同样脊宽与长度采用弯曲波导的超辐射管在350mA时功率为5.9mW,光谱半宽为27nm。(2)采用A1GaInAs量子阱作为有源区,进行了激光器和超辐射管的制备。脊宽10μm、腔长2mm的激光器阈值电流密度为460A/cm2,同样脊宽与长度采用弯曲波导的超辐射管功率达到30mW以上,光谱半宽在10nm左右。(3)利用MOCVD进行了 InGaAs多量子阱器件结构的生长,然后制备了相应的发光器件,发光波长位于1.1μm处。脊宽10μm、腔长2mm的激光器阈值电流密度为450A/cm2。在超辐射器件制备中,我们比较了不同波导形状(弯曲、倾斜等)对于超辐射的影响,脊宽10μm、长度2mm的采用倾斜基础上弯曲波导的超辐射管功率达到20mW以上,光谱半宽在10nm左右。3.制备了基于典型量子点的激光器与超辐射管,在器件性能优化方面进行了深入的探索并取得了重要的进展,为进一步制备性能更加优异的介于零维到叁维间的分数维度超辐射管提供了技术支撑。此外还在硅衬底上生长了高质量的多层量子点,为后续利用MOCVD生长硅衬底上的分数维度器件打下了一定的基础。(1)MOCVD生长并制备了 GaAs基InAs量子点激光器。首先利用MOCVD开展InAs量子点的生长条件优化,比较了单层/多层、InGaAs底层/盖层、Ⅴ/Ⅲ等对于量子点的影响,利用优化后的条件生长出了光致发光波长接近1.3μm的多层量子点,量子点密度达到4X 1010/cm2。之后利用此多层量子点作为有源区进行了激光器结构的生长并制备了量子点激光器,在分别采用无偏角及2°偏角的衬底上均实现了量子点激光器的室温连续激射,激光器的脊宽均为10μm,腔长均为2mm。由于器件工作在激发态,波长明显短于1.3μm。无偏角衬底上的激光器阈值电流密度为700A/cm2,激射波长位于1.19μm处;2°偏角衬底上的阈值电流密度为950A/cm2,激光器波长位于1.16μm。(2)基于MBE工艺,制备了两种不同外延结构的InAs/GaAs量子点激光器和超辐射管,其中基于第一种外延结构制备的激光器激射波长位于1.3μm处,阈值电流密度低至117A/cm2;采用弯曲波导的超辐射管在室温脉冲条件下工作,发光波长位于1.3μm处,光谱宽度在20nm以上,功率达到10mW以上。基于第二种外延结构制备的激光器激射波长位于1.27μm,阈值电流密度低至118A/cm2;采用直波导镀膜的超辐射管在室温连续电流下工作,发光波长位于1.27μm,光谱宽度在10nm左右,功率在3mW以上。(3)生长了 Si衬底上InAs/GaAs多层量子点。利用MOCVD设备在获得高质量Si基GaAs外延层的基础上,对Si上多层量子点的生长进行了优化实验。将GaAs/Si“叁步法”异变外延生长技术与GaAs基多层量子点生长技术相结合,生长出了发光波长位于1.3μm波段的Si基InAs/GaAs多层量子点,通过原子力显微镜测试发现生长出的量子点形貌很好,密度较高,可达5 × 1010/cm2,通过光致发光谱测试发现其发光性能较好。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2019-06-07）

王颖^[2]（2019）在《Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点和量子阱复合结构纳米材料光学特性研究》一文中研究指出Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点和量子阱组合构成的复合结构低维材料具有更为灵活的能带结构调控能力和新颖的物理特性,己经被广泛应用于激光器、红外探测器、电光调制器、太阳能电池等光电子器件。深入研究半导体量子点和量子阱复合结构低维材料的光电特性及载流子动力学机制,对于提高纳米光电器件的性能和拓展其应用领域具有重要的意义。本论文围绕Ⅰ型能带结构InAs/GaAs量子点和I型能带结构InGaAs/GaAs量子阱的点加阱(QDW)耦合注入复合结构,II型能带结构GaSb量子点与GaAs基和InP基InGaAs/GaAs、GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAlAs等几种I型能带结构量子阱组成的QDW和点在阱中(DWELL)复合结构,系统研究了复合结构的分子束外延生长条件和优化方法,利用多种测试手段对复合结构进行了形貌、组份和光学性能表征,深入分析阐述了复合结构的独特光学特性及载流子动力学等相关物理机制,所取得的创新性成果主要有:1.调控InP基InGaAs/InAlAs量子阱阱宽,实现了荧光波长范围覆盖光通信波段,通过研究量子阱界面效应为制备最佳量子阱异质结构提出了针对性的优化方案。对构建复合结构所需的GaAs基InAs/GaAs量子点、GaSb/GaAs量子点和InP基InGaAs/InAlAs量子阱的外延生长条件进行了实验优化。通过控制量子点的生长条件得到面密度合适、尺寸均匀的量子点。调控InP基InGaAs/InAlAs量子阱阱宽实现了荧光波长范围覆盖通信波段,实验测量结合理论模拟分析证实界面不完善对量子阱发光性能有显着影响,通过研究量子阱界面效应为制备最佳量子阱异质结构提出了针对性的优化要求。2.实验发现InAs/GaAs量子点和InGaAs/GaAs量子阱构成的QDW复合结构中存在特殊的载流子双共振隧穿机制。以InAs/GaAs量子点和InGaAs/GaAs量子阱构成QDW复合结构,量子阱承担载流子收集和储存层任务,将收集的载流子隧穿转移到QDs中,荧光谱测量和能级理论计算分析表明,复合结构中存在特殊的载流子双共振隧穿机制,即从量子阱的基态E0QW到QDs的第五激发态Es和从量子阱的第一激发态E1QW到量子点浸润层能级EWL。这种双共振隧穿引起了载流子的更快速转移和注入效率的提高,导致量子阱荧光寿命减小了一个量级,量子点荧光增强近3倍而载流子寿命却几乎没有改变。3.以Ⅱ型GaSb/GaAs量子点和I型InGaAs/GaAs量子阱构成人造Ⅱ型能带QDW复合结构,实验发现量子点浸润层(WL)对QDW内空穴的快速隧穿转移至关重要。以Ⅱ型GaSb/GaAs量子点加I型InGaAs/GaAs量子阱外延生长构成人造⒈型能带QDW复合结构,这种复合结构利用Ⅰ型量子阱直接带隙、吸收截面大的特点,可将其作为电子储存层和空穴注入层,使空穴通过隧穿或转移等方式注入到量子点中。实验发现WL具有快速转移QW空穴到量子点的能力,但是实验也证明复合结构中的WL可以表现出较强的激子局域化效应,在一定程度上削弱量子点的空穴俘获效率。因此提出构建高质量QDW复合结构必须优化GaSb量子点WL,抑制其激子局域化效应。4.提出了QDW和DWELL复合结构优化方案,获得了较Ⅰ型量子阱直接跃迁显着增强的Ⅱ型能带复合结构材料发光。对GaSb/AlGaAs量子点和GaAs/AlGaAs量子阱构成的QDW复合结构进行优化,通过增加量子点面密度和引入宽带隙AlGaAs势垒层等一系列改进措施,成功抑制WL对载流子的局域化,提高了空穴隧穿注入量子点效率,获得了较Ⅰ型量子阱直接跃迁显着增强的Ⅱ型量子点发光。在此基础上,还制备了AlGaAs势垒包围GaSb/GaAs量子点的DWELL复合结构,这种嵌入式复合结构所形成的特殊能带调控使载流子俘获更为直接有效,获得比QDW复合结构更强的Ⅱ型量子点发光。5.以InP基GaSb/InAlAs量子点和InGaAs/InAlAs量子阱构成的QDW复合结构,获得超过2μm的Ⅱ型量子点发光。组合InP基GaSb/InAlAs量子点和InGaAs/InAlAs量子阱外延生长获得QDW复合结构,通过调控QDW复合结构中量子点、量子阱和间隔层等相关参数,可以实现较大的带隙调节范围,当GaSb/InAlAs量子点和InGaAs/InAlAs量子阱的发光波长都调控到～1.5μm时,QDW复合结构发光波长可超过2μm。同时发现,QDW中Ⅱ型GaSb量子点发光强度均显着强于单层GaSb/InAlAs量子点或InGaAs/InAlAs量子阱。通过对以上几种半导体量子点和量子阱组成的QDW和DWELL复合结构的实验研究,证明与单一量子阱和单一量子点结构相比,复合结构的设计与制造拥有更多的选择,量子点尺寸、量子阱阱宽、各层材料组份、间隔层厚度和势垒层材料选择等,都可作为调控复合结构载流子布居、隧穿转移、辐射复合波长和寿命等光学特性的途径,用于改善或定制光电器件的性能。因此,半导体量子点和量子阱构成的复合结构是有效实行能带工程、改善和调控半导体低维量子结构材料物理特性、拓宽低维量子结构纳米材料应用领域的一种有效方案。(本文来源于《北京交通大学》期刊2019-06-01）

胡培培^[3]（2019）在《Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究》一文中研究指出随着半导体技术的发展,芯片集成度越来越高,硅器件尺寸已逼近物理极限。同时,高集成度带来了新的问题,即微纳米器件在辐射环境下工作的长期可靠性,这些问题导致器件发展面临巨大的挑战。目前,随着航天事业的崛起,新型半导体材料广泛应用于卫星、空间站等航天领域。宇宙射线中的高能重离子,会引起宇航器件单粒子效应,还会在器件材料内部产生永久性的结构损伤,从而影响器件稳定性。因此,InP和GaN等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及器件快重离子辐照效应的研究对宇航器件的应用及抗辐射加固具有指导意义。本论文利用兰州重离子加速器提供的多种快重离子(Ar、Fe、Kr、Xe、Ta和Bi)辐照Ⅲ-Ⅴ族半导体InP及GaN晶体。辐照实验在真空和室温条件下进行,实验中通过增加不同厚度的降能片,改变入射离子的能量从而调节入射离子在材料中的电子能损,满足实验设计的需求。我们采用透射电子显微镜(TEM)和拉曼光谱(Raman)对辐照前后的样品进行表征,系统研究了快重离子辐照在两种材料中产生的缺陷及潜径迹的形貌和尺寸。采用Xe、Ta和Bi离子在真空条件下静态辐照AlGaN/GaN HEMT器件。利用半导体参数测试仪对辐照前后的器件进行电学参数测试,研究重离子辐照对器件电学性能的影响。利用聚焦离子束系统制备器件剖面样品,然后利用TEM观测器件不同区域潜径迹的形貌和尺寸,通过研究辐照产生的缺陷和潜径迹,探索器件结构损伤的根本原因。快重离子辐照引起InP晶体结构损伤。(a)Fe、Ar、Kr和Xe四种离子辐照后,拉曼谱中LO’模式被激发,根据InP晶体的能带结构判定LO’模式属于X点声子散射引起的二级拉曼散射,参与一级拉曼散射的声子不再局限于Γ点而是扩展到整个布里渊区,说明辐照引起晶体无序化,晶格畸变导致拉曼声子模式被修正。LO’模式与LO模式的强度比I_(LO’)/I_(LO)存在峰值且随辐照参数变化。辐照注量逐渐增大时晶体的无序化程度逐渐增大,I_(LO’)/I_(LO)增大;随辐照注量不断升高,出现退火效应,I_(LO’)/I_(LO)减小。(b)Bi离子辐照实验中发现TO模式受激发,I_(TO)/I_(LO)随着辐照注量的增大逐渐增大。TO模式受激发说明辐照引起晶体结晶度的改变,TEM实验结果验证了这一结论。因此,I_(TO)/I_(LO)比值能够定量描述晶体的结晶度。(c)Ta离子和Bi离子辐照在InP晶体中产生了潜径迹。随着电子能损不断增大,潜径迹的尺寸逐渐增大,连续性增强。电子能损的波动性以及Rayleigh不稳定性导致非连续径迹的形成。TEM和拉曼实验结果直接和间接的表明辐照导致InP晶体结构损伤。利用不同能量的Ar、Xe和Ta离子辐照GaN晶体,拉曼光谱的变化不明显。Fe离子辐照后在较高的注量下,不同频率的拉曼散射模式被激发,相关研究表明新模式的激发是由Ga原子或N原子相关缺陷态的作用引起的。此外,不同能量的Bi离子辐照后,晶体中产生压应力随辐照注量的增大逐渐增大,导致E_2(high)模式蓝移。拉曼实验结果表明在高电子能损、高注量等极端条件下,快重离子辐照同样会引起GaN材料晶体结构损伤。Xe、Ta和Bi离子在辐照后GaN晶体中发现了大小不同的潜径迹,潜径迹半径随电子能损的增大而增大。实验结果及理论分析得出结论,GaN晶体中潜径迹形成的电子能损阈值约为23 keV/nm。快重离子辐照引起AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)电学参数退化,器件材料结构损伤。测量转移特性曲线发现辐照后器件阈值电压正向漂移,饱和漏电流减小。输出特性曲线比较分析发现辐照后饱和漏电流大幅度降低,并且在高注量下器件性能失效,晶体管不导通,无外加偏压下有漏电现象。采用TCAD软件模拟离子辐照引起器件中电场分布的变化,发现离子入射3 ns后电场分布恢复到初始状态,说明辐照后器件电学参数的退化与电场分布的变化没有关系。我们利用聚焦离子束制备器件的剖面样品,在TEM下观察到异质结及缓冲层区域形成了潜径迹,径迹形貌和尺寸随入射深度变化而变化。通过实验和仿真结果综合分析得出结论,重离子辐照在器件材料中沿离子路径形成潜径迹,晶格结构被破坏,导致二维电子气(2DEG)面密度减小,迁移率下降,引起AlGaN/GaN HEMT器件阈值电压正向漂移,饱和漏电流急剧减小,最终导致器件电学性能退化,在这一过程中潜径迹起到至关重要的作用。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所)》期刊2019-06-01）

舒天宇^[4]（2019）在《Ⅳ-Ⅵ族半导体异质结制备及其能带结构研究》一文中研究指出在科学发展的历史上,物理学家在半导体异质结界面发现了许多新奇、重要的物理现象。Ⅳ-Ⅵ族碲化物半导体(PbTe、PbSe和SnTe等)有着光电转换效率高、窄带隙带边跃迁发光、热导率低和赛贝克系数较大等优点,在中红外光电子和热电器件中有着重要的应用,备受国内外研究团队关注。本文的工作主要是研究了 Ⅳ-Ⅵ族半导体异质结构及其基本性质。取得的创新结果如下(1)采用半导体异质结缓冲层CdTe/ZnTe,在GaAs(211)衬底上分子束外延生长了 PbTe薄膜。外延PbTe的晶体结构、光学和电学特性表征表明该衬底上生长PbTe在250℃附近有一个狭窄的生长窗口。原位RHEED观察到生长模式从2D到3D的转变,这与原子力显微镜和扫描电子显微镜表征的结果一致。高分辨率X射线衍射显示PbTe晶体的生长从GaAs的[211]衬底取向变为了[531]方向。通过拉曼散射观察到与PbTe相关的多个声子模式,用光致发光谱观察到峰值位于3.5 μm的PbTe的中红外发光。通过霍尔测试得到PbTe外延层的载流子浓度约为5 × 1017 cm-3,室温下的电子迁移率为675 cm2/Vs,2 K时的迁移率为4300cm2/V.s。在带有CdTe/ZnTe缓冲层的GaAs(211)衬底上生长的PbTe在光电子学和热电学领域中可能具有应用前景。(2)采用X射线光电子能谱(XPS)研究了由分子束外延生长的SnTe和PbTe形成的异质结界面的能带结构,通过分析测量数据和影响其能带排列的因素得到了异质结界面的带阶。合理选取了远离价带顶的芯能级,并利用Pb和Sn的多个芯能级来共同确定异质结的价带带阶 XPS的结果显示该能带结构是Ⅲ型能带结构,价带带阶为1.37±0.18eV,导带带阶为1.23±0.18eV 其结果有助于理解PbTe/SnTe异质结界面的载流子输运和能量传递,有益于PbTe/SnTe异质结在新型光电子器件领域的应用。(3)采用分子束外延生长了CdTe/SnTe异质结,通过XPS测量和Kraut方法确定了CdTe/SnTe(111)异质结界面的能带结构,并采用改变CdTe/SnTe异质结顶层CdTe厚度确定异质结两种材料价带边位置的方法对价带带阶进行了进一步验证,发现两个测量结果相一致。XPS的结果显示该能带结构是太阳能电池理想的Ⅰ型能带结构,价带带阶为1.33±0.18eV,导带带阶为0.09±0.18eV。CdTe/SnTe异质结的能带结构的实验确定可有助于改进CdTe薄膜太阳能电池的光伏性能和并有利于其他涉及CdTe/SnTe异质结器件的设计和制造。此外,将SnTe结合到CdTe薄膜太阳能电池的背接触缓冲层中,与不含SnTe缓冲层的电池结构进行了对比,验证了 SnTe用作太阳能电池背接触的可行性,且在具有更高电池稳定性的基础上,SnTe缓冲层电池的性能与传统CuxTe缓冲层电池性能相接近,并具有进一步的提升空间。(本文来源于《浙江大学》期刊2019-04-10）

安钦伟^[5]（2018）在《Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米管的可控生长及其在光电探测器中的应用》一文中研究指出光电探测器是一种对特定波长的光或者辐射信号实现探测的电子器件。当下的电子工业快速发展,不仅要求电子产品的集成度更高,其性能也必须得到进一步优化。这也为光电探测器的设计与制造提出了更高的要求,如何设计出尺寸更小性能更优化的光电探测器成为科学研究和电子技术发展的重要课题。本研究展示了有源区材料制备和器件结构设计的协同作用在研制高性能光电探测器中的重要性。首先,采用物理气相沉积法首次制备了具有中空管状结构的CdS半导体纳米管,并进一步证明这种简单的制备方法可以用于ZnS和CdSe多种II-VI族半导体纳米管的制备。制备的半导体纳米管具有较好的晶体质量、极少的杂质缺陷和均匀的生长结构。该方法解决了已有半导体纳米管制备方法中制备流程复杂和制备样品晶体质量差等不足。基于理论分析和实验结果,首次实验上证明了半导体纳米管择优沉积的VLS机制。其中,VLS系统中特殊的叁相边界为半导体纳米管生长过程中前驱体原子饱和析出提供了最优沉积位置;生长温度控制着前驱体的蒸发量和不同界面的过饱和度,在实验中对生长纳米材料的结构具有决定性作用;纳米催化剂颗粒浸润角的大小影响不同界面的表面能,导致形成的半导体纳米管具有不同的管壁厚度。制备的半导体纳米管具有特殊的中空管状结构和更大的比表面积,在高性能光电器件的设计和应用中表现出很大的潜能。在实验中,首次以半导体纳米管为有源区和银纳米线为电极制备了全纳米结构的金属-半导体-金属结构的光电探测器,并证明半导体纳米管作为有源区可以增强光电探测器的光电探测灵敏度和缩短其响应时间。为了进一步研究单根纳米管的光电特性,通过纳米材料的组装首次设计并制备了单根半导体纳米管为有源区和银纳米线为电极的光电探测器。相比传统的电子束刻蚀工艺,该方法不依赖于昂贵的实验仪器和复杂的制备流程,就可以实现单根纳米材料光电器件的制备。此外,单根纳米管光电探测器中,单根纳米管与银纳米线相互接触形成了大量的纳米尺寸的肖特基结,为我们研究纳米尺寸的肖特基结在光电探测器中的光电子学提供了一个平台。此外,首次设计了基于非对称MSM结构的低维半导体自驱动光电探测器。证明在空气氛围中,氧气吸附和半导体表面态会导致具有非对称MSM结构的光电探测器产生的背对背肖特基势垒具有不同的势垒高度。当偏压为零时,两肖特基势垒的差值为光生载流子的分离和传输提供驱动力。此外,MSM器件的非对称性越明显,光生载流子分离和传输的驱动力将越大,会进一步增强器件的自驱动特性。该自驱动特性使光电探测器在偏压为零的条件下具有很高的光电探测灵敏度和较短的响应时间,为设计高性能自驱动光电探测器提供了一种全新的设计思路。在实验中,我们一方面优化了传统接触印刷法在组装一维纳米材料中的不足;另外一方面发现单个液滴在蒸发的过程中,表面张力、内外温度差和溶质浓度差将促使液滴内液体形成一个内部环流。基于这个特殊现象,首次提出了液体蒸发辅助的一维纳米材料组装法。并证明这两种一维纳米材料组装法都可以有效地实现半导体纳米管材料的组装和水平排列。以水平排列的半导体纳米管阵列作为有源区可以降低有源区内半导体纳米材料的接触电阻,进一步优化光电探测器的探测性能。(本文来源于《武汉大学》期刊2018-10-01）

胡海洋^[6]（2018）在《硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器材料生长及器件制备研究》一文中研究指出近年来,信息产业突飞猛进,现代光通信网面临着空前的挑战。光纤通信网的数据处理与收发模块中包含了大量的光电子器件,所以光电子器件直接影响着光纤通信网络的综合性能。与此同时,Si基超大规模集成电路经过大半个世纪的发展,已经完全成熟,现代通信网的电子终端正是以之为基础。如果能够实现光子器件与硅基微电子器件的高度集成(即光电集成),就可以使得光通信网络与电子终端之间的联接更紧密,同时又可以充分发挥微电子器件的成熟工艺技术和光子器件系统带宽宽、传输速率高、抗干扰能力强等优势。在研究人员的长期努力下,许多硅基光器件,如硅基探测器、硅基光调制器等,都已获得成功应用,但硅基激光器方面进展缓慢。如今硅基光电集成面临的最严峻的挑战就是实现硅基激光器的实用化。然而,由于硅是间接带隙半导体材料,使得硅基发光器件的发展受到了极大限制。基于上述背景,本论文致力于通过直接外延的方式实现硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器,以解决硅基光源问题。论文围绕硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器材料生长及器件制备工艺展开研究。主要研究内容及成果如下:(1)本论文工作是在实验室前期有关GaAs/Si叁步生长法的研究成果(GaAs外延层位错密度低至3×l06 cm-2)的基础上开展的。对Si基量子阱激光器的材料生长进行了研究。优化了 AlGaAs限制层和InGaAs/AlGaAs量子阱的生长条件,制备出掺杂特性和材料质量良好的Si基量子阱激光器材料。透射电子显微镜测试结果表明,大部分位错都被限制在1.8 μm GaAs/Si外延层中,几乎没有观察到穿透位错出现在量子阱有源区。(2)完成Si基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器芯片的制备。制作的Si基InGaAs/AlGaAs量子阱激光器实现了室温下的脉冲激射,阈值电流密度为313 A/cm2,系迄今报道过的脉冲工作的同类激光器的最低值。(3)开展了 Si基InAs/GaAs自组织量子点的生长研究。通过优化量子点的生长条件,对量子点尺寸和密度进行了调控。优化后的量子点密度达到1010 cm-2量级,高度为1.5～4 nm,基底宽度为10～20 nm。与GaAs衬底上的量子点相比,Si基量子点在密度和尺寸方面与之相近,但荧光光谱强度约为前者的50%。这一技术已应用于本论文中高质量GaAs/Si异变外延材料的生长,并成为后续GaAs/Si单片集成量子点激光器研究工作的基础。(4)提出了采用量子点位错阻挡层结合叁步生长法制备GaAs/Si材料的方案。首先理论分析了量子点尺寸对其作为位错阻挡层的效果的影响。以此为基础,实验优化了量子点位错阻挡层的生长条件。再将量子点位错阻挡层与叁步生长法相结合,在Si衬底上获得位错密度达到9×105 cm-2的高质量GaAs/Si材料。(5)进而提出了采用无定形Si缓冲层结合叁步生长法制备GaAs/Si材料的方案。对无定形Si缓冲层的外延生长条件进行了优化。将无定形Si缓冲层与叁步生长法相结合,获得表面形貌良好,位错密度仅为1.5×105 cm-2的高质量GaAs/Si材料。这一成果有望在后续硅基GaAs系单片集成激光器的研究中发挥重要作用。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2018-06-12）

杨健^[7]（2018）在《Ⅱ-Ⅵ族半导体微纳结构设计制备及其光催化性能研究》一文中研究指出Ⅱ-Ⅵ族半导体具有特殊的光电性质,在众多领域中都有所应用。其中ZnO和ZnSe一直是半导体光催化中的研究热点。由于半导体材料的微观形貌对其性能有很大的影响,因此通过微纳结构设计控制合成材料的微观形貌有着重要的科学研究价值。不同微观形貌的ZnO、ZnSe半导体材料光催化活性不同,且两者通过耦合形成Type-II型异质结后,复合材料的光催化活性明显提升。1、本文通过简单的水热法合成了棒状、块状、花状叁种形貌的ZnO微纳结构。通过在ZnO水热生长过程中添加不同的衬底来调控产物的形貌结构。结果显示,当未加入衬底时,合成产物形貌为棒状ZnO;加入石墨作为衬底时,合成产物为块状ZnO与Zn(OH)_2块状混合物;而加入石墨烯作为衬底时,则合成了具有良好的叁维花状结构的ZnO。并分析了不同衬底在ZnO生长过程对其形貌变化影响的机理。通过光催化降解甲基橙溶液考察了叁种形貌ZnO材料的光催化活性,实验结果表明叁维花状的ZnO具有更好的光催化活性。2、通过改变乙二胺的量,使用简单的溶剂热法合成了微球状和微片状两种不同形貌的ZnSe微纳结构材料。为了改善其生长过程中出现的ZnSe团聚现象,加入水合联氨作为络合剂制备了单分散性良好的ZnSe微球和ZnSe微片。同时分析了乙二胺与水合联氨在ZnSe生长过程中所起的作用。通过光催化降解甲基橙溶液考察了ZnSe的光催化活性,其中具有较大的比表面积ZnSe微片表现出更高的光催化活性。3、在成功制备ZnO、ZnSe的基础上,以水热法合成的ZnO棒作为Zn源,通过改变氨水的浓度,合成了ZnO棒/ZnSe微球、ZnO棒/ZnSe微片两种异质结复合材料。并考察了氨水、硼氢化钠在异质结生长过程中对其形貌变化影响的机理。光催化降解甲基橙溶液实验结果表明,两种异质结复合材料的光催化活性均比单一的ZnO或ZnSe光催化活性高得多。其中ZnO棒/ZnSe微片的光催化活性最高。(本文来源于《江苏大学》期刊2018-06-01）

卢晓英^[8]（2018）在《CuInS_2类叁元硫族半导体光催化材料的修饰及其性能研究》一文中研究指出药物及个人护理品(简称PPCPs)是一类新型环境污染物,具有毒性、持久性、生物累积性和生物难降解等特点,主要通过兽类医药、人类服用医药、药品生产废弃物、以及化妆品的使用等途径进入水体环境,给水环境质量和人类健康带来隐患。因此,在废水排放之前,去除废水中的有机污染物是非常重要的一个环节。半导体光催化氧化技术是废水处理中最具有发展前景的技术之一,但其在实际应用过程中还存在许多问题。因此,为了充分利用太阳能以及提高光催化剂的光催化活性,开发新型可见光响应半导体光催化剂就显得尤为重要。CuInS_2是一类重要的叁元硫族化合物,光吸收系数高达10~(-5)cm~(-1),禁带宽度为1.53 eV,但其在光催化降解污染物方面的研究却很少。近年来,制备和应用CuInS_2基光催化剂引起了越来越多研究者的关注。本文通过调节Cu/In比并采用溶剂热法合成CuInS_2半导体,提高光催化降解污染物邻硝基苯酚(2-NP)的效率和实际废水矿化率,同时我们合成了rGO/CuInS_2复合光催化剂,进一步提高降解2-NP的光催化效果和在实际制药废水中的化学耗氧量(COD)去除率;此外,跟CdS半导体复合形成异质结,也使得光催化降解四环素效果得到了很大的改进。本文主要研究内容如下:(1)通过调控Cu/In比采用溶剂热法合成CuInS_2半导体材料,在反应体系中,Cu/In比显着影响了CuInS_2比表面积、电荷分离和光催化活性。结果表明Cu/In=1/1.5时具有最有效的电荷分离和最高的光降解效果。光降解6 h对实际制药废水矿化效率可达67.5%,同时通过七次再生循环实验CuInS_2(Cu:In=1:1.5)光催化剂也表现出较好的稳定性。(2)采用一步溶剂热法合成了rGO/CuIn S_2复合催化剂,rGO/CuIn S_2复合催化剂光催化活性高于纯的CuInS_2,rGO的量影响了其光催化活性,证实1%rGO/CuInS_2复合光催化剂具有最高的光催化活性,在可见光照射下可以移除90%邻硝基苯酚(2NP),几乎是纯CuInS_2的两倍;对实际制药废水光照11 h,COD去除率可达86.5%。(3)采用一步水热法合成CdS/CuInS_2直接Z型异质结光催化剂。经过对Cd/Cu原子比优化,与纯的CuInS_2相比,120 min内光降解四环素(TC·HCl)(1:0.03)CdS/CuInS_2异质结复合光催化剂活性是其四倍;通过(1:0.03)CdS/CuInS_2异质结光催化剂在可见光下照射60 min,几乎100%的Cr被还原。异质结光催化剂高的光催化活性是由于具有窄的带隙能、大的比表面积、最有效的电荷分离和CdS与CuInS_2之间的协同作用。同时可见光照射13 h对实际制药废水的COD去除率达76.5%,经过四次再生循环实验光催化活性没有明显下降,说明CdS/CuInS_2异质结光催化剂具有较好的应用前景和光稳定性。(本文来源于《南昌航空大学》期刊2018-06-01）

高丽华^[9]（2018）在《Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的量子尺寸效应研究》一文中研究指出量子尺寸效应使半导体纳米材料的能隙随尺寸的减小而增大,在光学性质上表现为激子吸收波长随尺寸可调。自半导体纳米材料出现以来,量子尺寸效应就成为半导体领域的研究热点。准确预测尺寸依赖的半导体纳米材料的能隙,是纳米科学的基本问题之一,也是人们追求的目标。然而到目前为止,使用现有的理论研究方法,对整个纳米区域的能隙偏移给出准确可靠的计算结果还存在较大困难。本论文提出一种新的基于量子尺寸效应的化学键理论方法用于计算半导体纳米材料的能隙,即能隙的偏移来源于量子限域效应和表面效应造成的能隙偏移之和,在纳米材料尺寸较小时,表面效应的影响不可忽视。该理论方法适用于不同尺寸的二元纳米半导体晶体和多元纳米半导体合金的能隙偏移计算,且计算过程中无需引入任何可调参数或难以获得的数据参数。首先采用基于密度泛函理论的第一性原理分别计算闪锌矿结构和纤锌矿结构的Ⅱ-Ⅵ族二元半导体晶体的能带和态密度,对晶体进行结构优化,以获得半导体纳米晶体的结构参数,作为纳米晶内部化学键特性的初始计算参数。建立了只含有一层原子的半导体纳米笼结构,对其进行结构优化,获得的化学键参数作为纳米晶体表面原子化学键特性的初始计算参数。使用热注入法制备了多种CdTe纳米晶,并用紫外可见吸收光谱、X射线衍射、透射电子显微、拉曼光谱等对其进行表征,所得CdTe纳米晶为闪锌矿结构,直径分别为1.5、2.5、4.0和6.0nm,实验能隙值分别为2.59、2.01、1.93和1.89eV。使用化学键理论方法计算了四种样品的化学键特性和能隙值,与能隙实验值相一致,证明了化学键理论方法计算二元半导体纳米晶体的准确性。根据提出的化学键理论方法,计算了多种不同尺寸的闪锌矿和纤锌矿结构的Ⅱ-Ⅵ族二元半导体纳米晶体的化学键特性和能隙。计算结果表明微粒尺寸减小引起的表面原子配位、表面原子及化学键所占比例等变化对内部和表面原子的化学键特性产生了重要影响,量子限域效应和表面效应造成能隙值随着尺寸的减小而增加。当微粒尺寸小于10nm时,表面效应不可忽视。对化学键理论方法进一步改善后,计算了不同尺寸、不同结构的Ⅱ-Ⅵ族叁元半导体纳米合金的化学键特性及能隙值。计算结果表明,除半导体纳米合金的尺寸因素之外,合金成分也对能隙偏移有非常重要的影响,因此可以通过控制尺寸和组份含量两种方法,实现对能隙的调控,获得具有特定能隙值的纳米材料。计算结果还表明,当尺寸和组份含量一定时,晶体结构对半导体纳米合金影响比较小,因此为简化计算,可只选用其中一种常见晶体结构进行计算。计算了Ⅱ-Ⅵ族Ⅱ类半导体纳米合金的能隙,其能隙随组份的变化呈现非单调变化趋势,主要原因是组成合金的组份半导体晶体的电子能级是交错排列的,当两者掺杂浓度变化时,能带会出现红移现象,即合金能隙随组份含量变化有最小值。预测了Ⅱ类四元半导体纳米合金随组份的变化趋势,能隙同样出现了红移现象。(本文来源于《燕山大学》期刊2018-05-01）

金鑫^[10]（2018）在《无机硫族半导体薄膜制备及其太阳能电池性能的研究》一文中研究指出随着世界人口的快速增长,环境污染与能源危机这两大全球性问题变得日趋严峻。相比于天然气、煤、石油等传统使用的叁大化石燃料,太阳能是一种用之不竭的清洁能源形式,它的使用不会排放温室气体及颗粒污染物。在本世纪初光伏发电作为直接利用太阳能的一种有效方式就被寄予了相当大的期望,近几十年里光伏发电产业取得了巨大的进步,开发并衍生了多种类型的太阳能电池器件。受限于原材料及制造技术等综合因素,现今光伏发电面临着电池制造成本与光电转换效率这对难以调和的矛盾,目前技术相对成熟的晶硅太阳能电池占据光伏市场约90%以上的份额,由于晶体硅是一种间接带隙半导体材料,因此单晶及多晶硅太阳能电池需要较厚的光吸收层(100-200 μm)才能充分吸收太阳光,并且高纯硅原材料的提纯成本非常高,致使晶硅电池组件的价格居高不下,因此最近几年基于直接带隙半导体化合物吸光层的薄膜太阳能电池(1-2 μm)成为了研究的热点。四元铜铟镓硒及二元碲化镉因优异的光电性质成为了当今商业化薄膜太阳能电池的重要组成部分,但铟在地壳中的储量少导致其价格非常昂贵,而镉元素对土壤环境具有一定的污染,严重阻碍了这类薄膜太阳能电池的大规模使用。为了降低电池的生产成本以及保护环境,寻找新型廉价环保的光吸收材料成为了薄膜电池研究的关键。在这样的目标驱动下,以叁元铜铟硫(CuInS2)为结构框架并将价格昂贵的铟元素替换为等摩尔量的锌和锡,进而研发了以四元铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4)为吸光层的光伏器件。本论文将以燃烧法制备四元铜锌锡硫薄膜为切入点,深入地阐述制约铜锌锡硫薄膜太阳能电池光电效率的内在因素并给出了对应的解决方法。由于四元铜锌锡硫具有组元数多及晶体结构复杂等特点,铜锌锡硫化合物薄膜在制备过程中存在组分难以精确调控及易伴随生成二次相等问题,这直接制约了电池器件的光电转换效率,因此在结合前期制备四元铜锌锡硫化合物薄膜工艺及经验基础上,我们使用燃烧法制备出新型叁元铜锗硫(Cu2GeS3)化合物并将其作为p-n结太阳能电池的吸光层材料,所制备的电池器件取得了优异的光电转换效率。鉴于铜锗硫优异的电子性质以及对于太阳能电池前沿研究的追踪,我们进一步用热注入方法合成出铜锗硫的纳米颗粒并作为有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池的空穴传输层材料,实验结果表明基于铜锗硫空穴传输层的钙钛矿太阳能电池在维持高效率的同时器件寿命也被显着地提高。本论文的主要研究内容划分为五个关联的部分,具体如下:第一部分(第二章)首先介绍了本实验室铜锌锡硫薄膜太阳能电池的结构,详细地阐述了各功能层的制备技术及实验参数,包括直流磁控溅射沉积钼电极、脉冲激光沉积制备铜锌锡硫光吸收层、化学水浴沉积制备硫化镉缓冲层、射频磁控溅射制备氧化锌窗口层、热蒸发法制备铝顶电极。第二部分(第叁章)将燃烧法引入到铜锌锡硫薄膜太阳能电池的制备工艺中,合成出均匀混合的多元金属氧化物粉体。首先通过非真空的刀刮法与后硫化工艺制备出铜锌锡硫光吸收层,研究了多元氧化物体系在高温硫化气氛下转变成四元铜锌锡硫的机理,此工作的完成为燃烧法在无机薄膜太阳能电池光吸收层制备中的应用奠定了技术基础。由于刀刮法制备的前驱膜存在大量孔洞等问题,我们进一步将燃烧产物压制并烧结成单一的陶瓷靶材,利用脉冲激光沉积技术制备出高质量的氧化物前驱膜,电池效率得到了显着的提升。第叁部分(第四章)是为了避免出现类似于铜锌锡硫制备过程中存在的多组元成分难以调控问题,我们在前期的工作基础上探索并合成出了新型的叁元铜锗硫光吸收材料。实验发现过量的柠檬酸可以使金属前驱体还原成单质并在高温下发生合金化。相比于氧化物前驱体,热力学计算表明金属前驱体更容易与硫发生反应生成目标产物。研究发现组成更为简单的叁元铜锗硫具有与四元铜锌锡硫相当的光学带隙和光吸收系数,制备出来的铜锗硫薄膜太阳能电池的开路电压高达600 mV,远高于其它同类廉价的叁元铜基太阳能电池,由此证明了基于廉价叁元光吸收材料的薄膜太阳能电池同样能够取得很高的开路电压。第四部分(第五章)进一步将叁元铜锗硫应用于有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池。钙钛矿太阳能电池作为光伏领域的新星在短短几年时间内效率飙升至22%以上,然而大量的实验观测表明气氛中的水分子会促使钙钛矿结构发生瓦解,最终导致器件寿命急剧衰减。为此我们将普遍使用的有机小分子空穴传输材料替换为无机的铜锗硫,电池在保持高光电转换效率的同时器件寿命得到了大幅度提升,这一结果拓宽了铜锗硫材料在光伏研究中的应用范围。第五部分(第六章)制备出全无机平面异质结Sb2S3太阳能电池,电池结构类似于钙钛矿太阳能电池,但整个器件采用全无机材料。我们使用简单易行的溶液法来制备高度平整光滑的Sb2S3光吸收层,利用热分解法制备出氧化镍纳米颗粒并配制出分散良好的墨水,创新性地使用NiOx作为硫化锑太阳能电池的空穴传输材料,并发现利用氧等离子体处理氧化镍层能够显着提高Sb2S3太阳能电池的光电转换效率,我们对效率提升的内在机理进行了研究。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-05-01）

族半导体论文开题报告

（1）论文研究背景及目的

此处内容要求：

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例：

Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点和量子阱组合构成的复合结构低维材料具有更为灵活的能带结构调控能力和新颖的物理特性,己经被广泛应用于激光器、红外探测器、电光调制器、太阳能电池等光电子器件。深入研究半导体量子点和量子阱复合结构低维材料的光电特性及载流子动力学机制,对于提高纳米光电器件的性能和拓展其应用领域具有重要的意义。本论文围绕Ⅰ型能带结构InAs/GaAs量子点和I型能带结构InGaAs/GaAs量子阱的点加阱(QDW)耦合注入复合结构,II型能带结构GaSb量子点与GaAs基和InP基InGaAs/GaAs、GaAs/AlGaAs、InGaAs/InAlAs等几种I型能带结构量子阱组成的QDW和点在阱中(DWELL)复合结构,系统研究了复合结构的分子束外延生长条件和优化方法,利用多种测试手段对复合结构进行了形貌、组份和光学性能表征,深入分析阐述了复合结构的独特光学特性及载流子动力学等相关物理机制,所取得的创新性成果主要有:1.调控InP基InGaAs/InAlAs量子阱阱宽,实现了荧光波长范围覆盖光通信波段,通过研究量子阱界面效应为制备最佳量子阱异质结构提出了针对性的优化方案。对构建复合结构所需的GaAs基InAs/GaAs量子点、GaSb/GaAs量子点和InP基InGaAs/InAlAs量子阱的外延生长条件进行了实验优化。通过控制量子点的生长条件得到面密度合适、尺寸均匀的量子点。调控InP基InGaAs/InAlAs量子阱阱宽实现了荧光波长范围覆盖通信波段,实验测量结合理论模拟分析证实界面不完善对量子阱发光性能有显着影响,通过研究量子阱界面效应为制备最佳量子阱异质结构提出了针对性的优化要求。2.实验发现InAs/GaAs量子点和InGaAs/GaAs量子阱构成的QDW复合结构中存在特殊的载流子双共振隧穿机制。以InAs/GaAs量子点和InGaAs/GaAs量子阱构成QDW复合结构,量子阱承担载流子收集和储存层任务,将收集的载流子隧穿转移到QDs中,荧光谱测量和能级理论计算分析表明,复合结构中存在特殊的载流子双共振隧穿机制,即从量子阱的基态E0QW到QDs的第五激发态Es和从量子阱的第一激发态E1QW到量子点浸润层能级EWL。这种双共振隧穿引起了载流子的更快速转移和注入效率的提高,导致量子阱荧光寿命减小了一个量级,量子点荧光增强近3倍而载流子寿命却几乎没有改变。3.以Ⅱ型GaSb/GaAs量子点和I型InGaAs/GaAs量子阱构成人造Ⅱ型能带QDW复合结构,实验发现量子点浸润层(WL)对QDW内空穴的快速隧穿转移至关重要。以Ⅱ型GaSb/GaAs量子点加I型InGaAs/GaAs量子阱外延生长构成人造⒈型能带QDW复合结构,这种复合结构利用Ⅰ型量子阱直接带隙、吸收截面大的特点,可将其作为电子储存层和空穴注入层,使空穴通过隧穿或转移等方式注入到量子点中。实验发现WL具有快速转移QW空穴到量子点的能力,但是实验也证明复合结构中的WL可以表现出较强的激子局域化效应,在一定程度上削弱量子点的空穴俘获效率。因此提出构建高质量QDW复合结构必须优化GaSb量子点WL,抑制其激子局域化效应。4.提出了QDW和DWELL复合结构优化方案,获得了较Ⅰ型量子阱直接跃迁显着增强的Ⅱ型能带复合结构材料发光。对GaSb/AlGaAs量子点和GaAs/AlGaAs量子阱构成的QDW复合结构进行优化,通过增加量子点面密度和引入宽带隙AlGaAs势垒层等一系列改进措施,成功抑制WL对载流子的局域化,提高了空穴隧穿注入量子点效率,获得了较Ⅰ型量子阱直接跃迁显着增强的Ⅱ型量子点发光。在此基础上,还制备了AlGaAs势垒包围GaSb/GaAs量子点的DWELL复合结构,这种嵌入式复合结构所形成的特殊能带调控使载流子俘获更为直接有效,获得比QDW复合结构更强的Ⅱ型量子点发光。5.以InP基GaSb/InAlAs量子点和InGaAs/InAlAs量子阱构成的QDW复合结构,获得超过2μm的Ⅱ型量子点发光。组合InP基GaSb/InAlAs量子点和InGaAs/InAlAs量子阱外延生长获得QDW复合结构,通过调控QDW复合结构中量子点、量子阱和间隔层等相关参数,可以实现较大的带隙调节范围,当GaSb/InAlAs量子点和InGaAs/InAlAs量子阱的发光波长都调控到～1.5μm时,QDW复合结构发光波长可超过2μm。同时发现,QDW中Ⅱ型GaSb量子点发光强度均显着强于单层GaSb/InAlAs量子点或InGaAs/InAlAs量子阱。通过对以上几种半导体量子点和量子阱组成的QDW和DWELL复合结构的实验研究,证明与单一量子阱和单一量子点结构相比,复合结构的设计与制造拥有更多的选择,量子点尺寸、量子阱阱宽、各层材料组份、间隔层厚度和势垒层材料选择等,都可作为调控复合结构载流子布居、隧穿转移、辐射复合波长和寿命等光学特性的途径,用于改善或定制光电器件的性能。因此,半导体量子点和量子阱构成的复合结构是有效实行能带工程、改善和调控半导体低维量子结构材料物理特性、拓宽低维量子结构纳米材料应用领域的一种有效方案。

（2）本文研究方法

调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

族半导体论文参考文献

[1].刘昊.低维异质结构与新型Ⅲ-Ⅴ族半导体发光器件的研究[D].北京邮电大学.2019

[2].王颖.Ⅲ-Ⅴ族半导体量子点和量子阱复合结构纳米材料光学特性研究[D].北京交通大学.2019

[3].胡培培.Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaNHEMT器件辐照效应研究[D].中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所).2019

[4].舒天宇.Ⅳ-Ⅵ族半导体异质结制备及其能带结构研究[D].浙江大学.2019

[5].安钦伟.Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米管的可控生长及其在光电探测器中的应用[D].武汉大学.2018

[6].胡海洋.硅基Ⅲ-Ⅴ族半导体激光器材料生长及器件制备研究[D].北京邮电大学.2018

[7].杨健.Ⅱ-Ⅵ族半导体微纳结构设计制备及其光催化性能研究[D].江苏大学.2018

[8].卢晓英.CuInS_2类叁元硫族半导体光催化材料的修饰及其性能研究[D].南昌航空大学.2018

[9].高丽华.Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米材料的量子尺寸效应研究[D].燕山大学.2018

[10].金鑫.无机硫族半导体薄膜制备及其太阳能电池性能的研究[D].中国科学技术大学.2018

论文知识图

标签：半导体论文;  量子论文;  外延论文;  结构论文;  效应论文;  能级论文;  氮化论文;