导读:本文包含了线性稳压器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:低压差线性稳压器,带隙基准电路,28nm工艺,温度系数
线性稳压器论文文献综述
宋圣宇,陈建军,文溢,邢海源,李梦姿[1]（2019）在《28nm工艺低压差线性稳压器（LDO）设计》一文中研究指出随着便携式电子产品的快速发展,高性能电源管理电路越来越重要。LDO电路与其他类型的电源电路相比,结构简单、功耗低、噪声低,更适合小型电子产品。经过深入研究,设计了一款基于28nm工艺的低压差线性稳压器,并通过仿真得到了电路性能参数,然后通过电路级的优化以提高某些性能指标。最终得到的LDO电路能够稳定输出0.9V的电压,并且在温度系数,低功耗和低噪声等方面表现良好。(本文来源于《计算机与数字工程》期刊2019年11期）
佟星元,李茂,董嗣万[2]（2019）在《一种快速响应无片外电容低压差线性稳压器》一文中研究指出为了改善负载跳变对低压差线性稳压器(LDO)的影响,该文提出一种用于无片外电容LDO(CL-LDO)的新型快速响应技术。通过增加一条额外的快速通路,实现CL-LDO的快速瞬态响应,并且能够减小LDO输出过冲和下冲的幅度。该文电路基于0.18μm CMOS工艺设计实现,面积为0.00529 mm2。流片测试结果表明,当输入电压范围为1.5～2.5 V时,输出电压为1.194 V;当负载电流以1μs的上升时间和下降时间在100μA～10 mA之间变化时,CL-LDO的过冲恢复时间为489.537 ns,下冲恢复为960.918 ns;相比未采用该技术的传统CLLDO,响应速度能够提高7.41倍,输出过冲和下冲的电压幅值能够分别下降35.3%和78.1%。(本文来源于《电子与信息学报》期刊2019年11期）
赵思琦,高同强,卢新,张恒,赵湛[3]（2019）在《一种用于FBAR环境信号检测芯片的全集成低压差线性稳压器电路》一文中研究指出本文采用自适应功率管技术实现了一款较高性能的片上低压差线性稳压器(LDO),其中误差放大器在增加动态偏置结构的同时引入瞬态加强级,使得全集成LDO在负载跳变时具有快速瞬态响应,稳定了输出电压.该LDO基于0.18μm标准CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,在电源电压3 V,输出电压1.2 V,负载电容为100pF的条件下,该LDO可稳定输出0～100 mA负载电流,实现全负载稳定.并且负载电流在200 ns内从0～100 mA跳变时,瞬态输出电压变化峰值在150 mV以内.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2019年10期）
[4]（2019）在《业界更低静态电流、极小型LDO线性稳压器，可将对功耗敏感的工业与个人电子产品电池寿命延长一倍》一文中研究指出TI新型低压降线性稳压器兼具极低I_Q与快速瞬态响应强化系统寿命及性能德州仪器(TI)2019年9月推出超低功率低压降线性稳压器TPS7A02,其工作静态电流(I_Q)可低至25n A,仅为行业内小型器件的十分之一。新型稳压器在压降的条件下也能在轻负载时实现低I_Q控制,使工程师可以将应用的电池寿命至少延长一倍。此外,它还提供同类器件最优的瞬态响应,以实现更快的唤醒速度,(本文来源于《电子产品世界》期刊2019年10期）
[5]（2019）在《德州仪器新型低压降线性稳压器强化系统寿命及性能》一文中研究指出本报讯 9月18日，德州仪器（TI）推出超低功率低压降线性稳压器TPS7A02，其工作静态电流（IQ）可低至25nA，仅为行业内小型器件的十分之一。新型稳压器在压降的条件下也能在轻负载时实现低IQ控制，使工程师可以将应用的电池寿命至少延长一倍。此(本文来源于《中国电子报》期刊2019-09-24）
杨爽[6]（2019）在《低压差线性稳压器专利技术综述》一文中研究指出本文对国内外低压差线性稳压电路的专利申请进行分析,从专利申请趋势,以及国内外重要申请人申请量分布,总结了该领域的专利分布情况,还主要研究了低压差线性稳压电路瞬态响应改善技术的专利,总结了主要的改善技术,为研发人员和相关企业提供专利信息。(本文来源于《电子制作》期刊2019年12期）
王娜[7]（2019）在《具有快速响应的低压差线性稳压器电路的研究与设计》一文中研究指出随着便携式电子设备的飞速发展,片上系统(System on Chip,SoC)已变得无处不在。电源管理芯片的重要性不言而喻,低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)作为电源管理芯片中的一员,以其低成本、结构简单、低功耗以及低噪声的特点广泛应用于片上系统当中。在传统型LDO中,外接电容不仅可以起到频率补偿的作用,还可作为电荷存储、泄放器件来减小输出电压的冲击值,但外接电容的使用会使片上系统的集成度变差,这就使得无片外电容LDO的发展成为一种必然趋势。LDO作为电源为数模混合电路供电时,不断变化的负载除了会使LDO的环路产生稳定性问题外,还可能会使无片外电容LDO的输出产生低至地电位的冲击。因而对于无片外电容LDO来说,需要瞬态增强电路来优化瞬态特性,从而为各电路模块提供一个快速稳定、过冲小的电源电压。对于高精度系统,LDO的精度显得尤为重要,在LDO电路中,基准电压模块对精度性能的影响最大。本文提出一种带曲率补偿的电流模式基准电压源来提高LDO的精度,通过运用CTAT电流补偿技术和高低温分段补偿技术以降低基准电压的温度系数,通过使用斩波稳定技术来减小失调电压以及斩波引起的纹波影响,从而提高基准电压的精度,进而提高LDO整体性能。为保证系统稳定性以及增强瞬态响应,在整体电路设计中,利用前馈级电路增强调整管的栅极摆率来加快输出端的瞬态响应速度,运用衬底调制技术加快输出端瞬态响应过程的同时,在环路中引入一个左半平面零点进行频率补偿,维持整体电路的稳定性。基于Dongbu 0.18μm CMOS工艺进行整体电路设计,基准电压源的流片测试结果表明,在5V电源电压下,温度范围为-40°C~150°C时,基准电压的温度系数达到4.85ppm/°C。LDO整体版图面积为0.13mm~2,仿真结果表明,电源电压为5V时,在-40°C~150°C的温度范围内,输出电压的温度系数为0.827ppm/°C;输入电压范围为3.5V~5.5V时,输出电压为3.3V;压差电压小于200mV;可承受的最大负载电流大小为50mA;在5V电源电压下,负载调整率为0.053%/A,线性调整率为0.014%/V,满载时电源抑制比大小为-63.5dB,空载与满载时相位裕度都在80deg以上;整个LDO在全corner角下的静态电流小于200μA;负载电流1μs内在1mA与50mA之间跳变时,输出电压的最大下冲电压值为49.3mV,最大上冲电压值为18 mV,使用衬底调制技术后,瞬态响应输出电压最大下冲电压值约减小75%,稳定时间约减小50%。(本文来源于《湘潭大学》期刊2019-06-01）
邓庭[8]（2019）在《一种低噪声高稳定性线性稳压器研制》一文中研究指出随着集成电路产业的快速发展,电子产品(如手机、智能音箱、平板电脑、电动平衡车等)变得越来越智能与多样,在一定程度上提高了人民生活水平。同时消费者对电子产品的充电速度、待机和续航时间、体积等方面的要求也越来越高。电源管理芯片作为电子产品的核心部件,直接影响着电子产品的性能。目前对于占有很大市场份额的线性稳压器的研发,设计者正朝着低噪声、低功耗、高电源抑制比、高度集成等方向努力。本文设计了一种低噪声、高稳定性的线性稳压器。为提高基准输出电压的温度稳定性,设计分段温度补偿电路,从而设计出一种高性能分段线性补偿CMOS带隙基准源。为降低线性稳压器的输出噪声,在带隙基准源输出端加入降噪电路,给误差放大器提供理想的基准电压,并根据MOS管本身的噪声特性,选用PMOS作为误差放大器的输入级,并且在第一级采用钳位输出的方式,降低误差放大器的输出噪声,以达到降低线性稳压器输出噪声的目的。同时在电路输出级采用缓冲输出,提高线性稳压器的驱动能力、响应速度,并且使用频率补偿技术,对环路系统进行频率补偿,从而提高线性稳压器的稳定性。设计了欠压保护电路,防止电路工作在不正常状态,降低电路的功耗;设计了限流保护电路,限制负载电流的最大值,防止电路因负载电流超过设计值时被烧坏;设计了过温保护电路,在线性稳压器的工作环境温度升高且超过电路正常工作的最高温度时,保证线性稳压器不会被损坏;设计了使能关断功能;最后进行了整体电路的版图设计。基于华虹0.35μmBCD工艺,对线性稳压器进行整体仿真。在所有工艺角、不同电压下进行仿真验证。仿真结果表明,当输入电压范围为2.8V~5.5V时,输出电压为1.8V,线性调整率不超过0.12%/V,负载调整率小于0.15mV/mA,最大输出电流大于100mA,最低输出噪声为15.6μVrms,线性稳压器工作在低频时的电源抑制比为74.3dB,使能关断电路和各种保护电路的性能都满足设计指标。(本文来源于《湘潭大学》期刊2019-06-01）
刘啸[9]（2019）在《一种高面积效率快速响应无片外电容的低压差线性稳压器》一文中研究指出便携式电子产品的普及使得电源管理芯片成为IC行业主要关注的问题之一。随着手机、笔记本、无线传感器网络的升级换代,当下电源管理集成电路设计已经在集成电路设计领域中占有着重要地位。因此在保证成本低廉集成度较高的前提下,研究开发新的功耗低面积小响应速度快的电源管理芯片至关重要;作为直流电源管理芯片的一种,低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)具备成本低廉、输出噪声低、高精度,结构简单等优点,可以为系统中各个用电模块路提供高质量的电源电压,故其在电源管理芯片中拥有着不可替代的地位。论文第一章首先介绍和讨论了LDO的系统组成及其与开关型稳压电源的主要区别;就不同应用场合,性能差异及元器件组成等问题进行详细的论述和分析。电源管理芯片通常由开关型稳压器(这里特指直流转直流)和线性稳压器构成,其作用主要为将电池或其他供电设备的电源转化为不同的输出电压,用以给其它模块提供低噪声的纯净电源。在开关型稳压器设计中,无源器件的使用往往使其占用较大的芯片面积,且由于开关状态的快速切换,其输出电压在相当宽的频率范围内包含大量噪声。尽管其具备较高得转换效率,但在较低压降的情况下,对于对噪声敏感的电路模块,LDO则具备相当明显的应用优势;例如其相较于开关型稳压器有着优异的电源抑制比、出色的负载调整率以及更快的瞬态响应速度。故本文就高集成度而言,研究并设计了两款高面积效率的全集成低压差线性稳压器,其特点分别着重于高稳定性和快速瞬态响应,并在随后的第叁四章中分别详细介绍。在传统片上全集成LDO的设计中,为保证其内部环路的稳定性,其位于低频的主导极点一般定在误差放大器和功率管之间,因此设计时通常会在该处加一几皮法的片上补偿电容,来满足环路对相位裕度的要求。但该方法缺点在于无源器件的应用增加了芯片的面积,此外,当LDO输出因负载电流突变而造成电压波动时,其内部则会借由线性负反馈系统来恢复稳态,而过大的补偿电容无疑会减弱其恢复稳态的时间,即减弱了误差放大器对功率管的充放电速度,从而使得线性稳压器在负载快速跳变时在其输出端产生一个剧烈的电压波动,该影响尤其在低功耗设计中更为明显。瞬态响应是衡量LDO响应速度快慢的重要特性指标,其决定因素由LDO环路的小信号特性以及大信号响应决定。而具备快速瞬态响应的LDO在近些年的LDO研究中占有着重要地位。因此如何保证在较低功耗情况下协调误差放大器的摆率和环路带宽之间的关系,进而来提高线性稳压器的响应速度是本文的重要研究方向之一。本文第二章首先对LDO的基本工作原理及各个模块间的设计做了全面的阐明和论述,随后详细地介绍了其各个特性指标间的设计要求和注意事项,如LDO的负载调整率、线性调整率、电源抑制比、电流效率以及瞬态响应等特性指标间的设计折中。最后单独分析了线性稳压器的稳定性问题,就传统片上全集成LDO的频率补偿及零极点分布做了完整的推导和研究。论文第叁章首先介绍了传统片上全集成LDO的设计方法,并针对传统设计中的频率补偿弊端,提出一种新的频率补偿方式:采用电容倍增电路取代传统设计中的大补偿电容。该章节首先介绍了电容倍增电路的基本工作原理及特性指标,并讨论了不同电容倍增电路结构的选取与设计方法以及作为频率补偿模块对LDO环路稳定性的影响因素;随后在完全相同的电路结构、晶体管尺寸、仿真环境下对传统LDO设计进行稳定性和瞬态响应等性能指标上的比对。由仿真结果表明,该设计相较于传统LDO,在电路轻负载的情况下,具备更优异稳定性,同时由于减小了传统设计中的补偿电容的容值,从而变相增强了误差放大器的摆率,故在提升芯片集成度的同时,改善了自身线性负反馈系统的响应速度。在此基础上,第四章主要针对使用电容倍增电路进行频率补偿的设计局限对电路进行优化和改进。在满足预期设计要求的同时,为更好地抑制由于负载电流跳变而引起输出电压的上冲和下冲,本文的第二款LDO采用了自适应偏置和动态摆率增强技术,从而在较低的功耗情况下获得不错的抑制电压过充效果。自适应偏置结构引入使LDO在轻载状态下有着较低的静态功耗,在重载情况下有着优异的电流效率;随着负载电流的增加LDO的偏置电流也随之改变,不仅在一定程度上改善了负载电流由中载至重载跳变时而引起的电压下冲,还提高了LDO在整个负载电流范围内环路带宽。动态摆率增强电路的使用帮助LDO在相对较低的功耗下获得跟为出色的响应速度,从而抑制由于负载跳变引起的剧烈电压波动。仿真结果显示,经过改善后的设计不仅具备高稳定性而且具备更快的瞬态响应速度。此外,第四章还详述了LDO在版图设计时所需注重的问题,如版图设计过程中的布局、走线及线宽问题,以及大输出电流下LDO功率管的版图设计以及版图中的匹配性问题。论文第五章主要介绍了芯片的测试结果,验证其性能及各项指标是否符合预期设计要求。本设计在0.18μm CMOS工艺下流片测试;芯片面积为0.0096mm~2。测试结果表明其各项性能指标均符合设计要求且相对于传统LDO设计,无论是稳定性还是瞬态响应等特性指标,相较于传统无片外电容的LDO都有所提升。该设计的输入电压分别为2V和1.1V;其压差电压为100mV,最大负载电流为30mA;经测试其负载调整率为0.37mV/mA。输入电压由1.8V至2.2V变化时测得其线性调整率为0.0075mV/V。其静态电流在电路空载情况下为13.4μA。当在负载电流以60mA/us的速度由0跳至30mA的情况下,其输出电压上冲为87mV,电压下冲为111mV。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
柴军营,江晓山,张永杰,董永伟,石峰[10]（2019）在《核探测器前端电子学线性稳压器设计》一文中研究指出根据核探测器前端电子学的特点,改进传统的低压差电压稳压器(Low Drop-Out regulator,LDO)结构,得到对外部电容容值和等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)鲁棒的新型LDO,特别适合于核探测器的前端电子学领域。这一新型LDO结构对负载电容的鲁棒性比较强,而且电压净空低于200 mV,可以提升电源的效率。此外,这一结构电源的负载瞬态恢复时间比较小,小于400 ns,适用于模拟电路和模拟数字混合电路。本设计采用美国IBM公司的130 nm制程互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,为北京谱议(BESIII)的CGEM(Cylindrical Gas Electron Multipliers)探测器的前端电子学设计做电源供电;并为LHC(Large Hadron Collider)的第叁代像素探测器的电源供电做技术储备。(本文来源于《核技术》期刊2019年05期）
线性稳压器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为了改善负载跳变对低压差线性稳压器(LDO)的影响,该文提出一种用于无片外电容LDO(CL-LDO)的新型快速响应技术。通过增加一条额外的快速通路,实现CL-LDO的快速瞬态响应,并且能够减小LDO输出过冲和下冲的幅度。该文电路基于0.18μm CMOS工艺设计实现,面积为0.00529 mm2。流片测试结果表明,当输入电压范围为1.5～2.5 V时,输出电压为1.194 V;当负载电流以1μs的上升时间和下降时间在100μA～10 mA之间变化时,CL-LDO的过冲恢复时间为489.537 ns,下冲恢复为960.918 ns;相比未采用该技术的传统CLLDO,响应速度能够提高7.41倍,输出过冲和下冲的电压幅值能够分别下降35.3%和78.1%。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
线性稳压器论文参考文献
[1].宋圣宇,陈建军,文溢,邢海源,李梦姿.28nm工艺低压差线性稳压器（LDO）设计[J].计算机与数字工程.2019
[2].佟星元,李茂,董嗣万.一种快速响应无片外电容低压差线性稳压器[J].电子与信息学报.2019
[3].赵思琦,高同强,卢新,张恒,赵湛.一种用于FBAR环境信号检测芯片的全集成低压差线性稳压器电路[J].微电子学与计算机.2019
[4]..业界更低静态电流、极小型LDO线性稳压器，可将对功耗敏感的工业与个人电子产品电池寿命延长一倍[J].电子产品世界.2019
[5]..德州仪器新型低压降线性稳压器强化系统寿命及性能[N].中国电子报.2019
[6].杨爽.低压差线性稳压器专利技术综述[J].电子制作.2019
[7].王娜.具有快速响应的低压差线性稳压器电路的研究与设计[D].湘潭大学.2019
[8].邓庭.一种低噪声高稳定性线性稳压器研制[D].湘潭大学.2019
[9].刘啸.一种高面积效率快速响应无片外电容的低压差线性稳压器[D].哈尔滨工业大学.2019
[10].柴军营,江晓山,张永杰,董永伟,石峰.核探测器前端电子学线性稳压器设计[J].核技术.2019