论文摘要
研制了一款新型的750 V精细沟槽绝缘栅双极型晶体管（IGBT）芯片,并形成了820 A/750 V S3+汽车级模块产品。该芯片采用嵌入式发射极沟槽（RET）技术、嵌入式陪栅沟槽（RDT）技术和超薄片加工技术,820 A/750 V S3+模块总损耗相对于上一代800 A/750 V S1模块产品降低29.6%。同时,该S3+模块产品具有强健的极限性能,且可实现175℃工作结温,可很好地满足电动/混动汽车的应用需求。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 姚尧,肖海波,肖强,罗海辉
关键词: 绝缘栅双极型晶体管,嵌入式发射极沟槽,嵌入式陪栅沟槽
来源: 电力电子技术 2019年11期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑,信息科技
专业: 汽车工业,无线电电子学
单位: 新型功率半导体器件国家重点实验室,株洲中车时代电气股份有限公司
分类号: TN322.8;U463.6
页码: 118-120
总页数: 3
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标签：绝缘栅双极型晶体管论文; 嵌入式发射极沟槽论文; 嵌入式陪栅沟槽论文;