δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱的空穴共振隧穿（英文）

论文摘要

三个具有不同量子阱宽度的GaAs/AlAs多量子阱结构样品通过分子束外延生长设备生长在半绝缘的（100）p-型GaAs衬底上,并且在量子阱层结构的生长过程中,在GaAs阱层中央进行了Be受主的δ-掺杂。基于这3个结构样品,通过光刻技术和半导体加工工艺制备了相应的两端器件。在4～200 K的温度范围内,我们分别测量了器件的电流-电压特征曲线,清楚地观察到了重、轻空穴通过δ-掺杂Be受主GaAs/AlAs多量子阱结构的共振隧穿现象。发现随着GaAs量子阱层宽的逐渐减小,轻空穴的共振隧穿峰向着高电压方向移动,这个结果和通过AlAs/GaAs/AlAs双势垒结构模型计算的结果是一致的。然而,随着测量温度的进一步升高,两个轻空穴共振峰都朝着低电压的方向移动,并且在150 K温度下,其中一个共振遂穿峰表现为一种振动模式。

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 郑卫民,黄海北,李素梅,丛伟艳,王爱芳,李斌,宋迎新

关键词: 共振隧穿,重空穴和轻空穴,多量子阱,电流电压特征,掺杂

来源: 发光学报 2019年11期

年度: 2019

分类: 基础科学,信息科技

专业: 物理学,无线电电子学

单位: 山东大学(威海)空间科学与物理学院,山东大学化学与化学工程学院,山东大学(威海)机电与信息工程学院,中国科学院上海技术物理研究所,济南市半导体元件实验所

基金: Supported by Shandong Province Natural Science Foundation(ZR2017MF018),National Natural Science Foundation of China(61675223)~~

分类号: O471.1

页码: 1373-1379

总页数: 7

文件大小: 1106K

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