论文摘要
<正>通过改变薄膜的生长降温速率和生长时间,生长了一系列薄膜,并用SEM-EDS研究了其组分纵向分布。发现生长的HgCdTe液相外延薄膜与CdZnTe衬底之间的组分过渡层一般都在3μm以下与国外HgCdTe薄膜过渡层的水平一致,且组分过渡层厚度随着生长降温速率的增大或生长时间的减少而变薄。引言:近年来随着红外焦平面器件制备技术的发展,对HgCdTe液相外延材料提出了更高的性能要求(Rogalski A.History of infrared
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 毛旭峰,黄元竞,吴军,万志远,王志斌
来源: 电子世界 2019年02期
年度: 2019
分类: 信息科技,经济与管理科学,基础科学,工程科技Ⅱ辑
专业: 物理学,工业通用技术及设备
单位: 昆明物理研究所
分类号: O484
DOI: 10.19353/j.cnki.dzsj.2019.02.051
页码: 94+96
总页数: 2
文件大小: 1930K
下载量: 27
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