导读:本文包含了硅尖阵列论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:阵列,阴极,真空,锐化,金刚石,微电子,各向异性。
硅尖阵列论文文献综述
李璐,张金英,杨天辰,何秀丽,陈硕[1]（2017）在《基于硅尖阵列的SF_6传感器制备及特性研究》一文中研究指出针对电气设备中SF_6气体泄漏监测的需求,设计制备了基于硅尖阵列的SF_6传感器。完成了基于硅尖阵列的多针-板型负电晕放电气体传感器结构设计,主要包括硅尖阵列负电极、Au平板正电极、绝缘隔离层3部分。利用物理场有限元仿真软件COMSOL分析了针尖高度、针尖距离及电极间距对电场分布的影响,优化了器件结构参数。介绍了硅尖阵列负电极及Au平板正电极的MEMS工艺流程,完成了传感器的封装。搭建了测试系统,在不同湿度条件下测试了器件对0~100 ppm SF_6气体的响应。结果表明,设计制备的基于硅尖阵列的多针-板型电晕放电传感器可用于SF_6气体检测。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2017年07期）
李东玲,尚正国,王胜强,温志渝[2]（2015）在《硅尖阵列的制备及其在真空微电子加速度计中的应用（英文）》一文中研究指出针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜(SEM)观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH腐蚀液中添加I2和KI,显着减小了削角速率,得到了呈"火箭尖"的硅尖阵列。各向同性腐蚀采用HNA腐蚀液,腐蚀的硅尖呈埃菲尔铁塔形。通过调整腐蚀液配比,氧化锐化后,硅尖尖端曲率半径小于15nm。该硅尖阵列已成功应用于真空微电子加速度计之中。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2015年02期）
吴海霞,仲顺安,李文雄,邵雷,鲁雪峰[3]（2003）在《场致发射硅尖阵列的研制》一文中研究指出研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性.(本文来源于《北京理工大学学报》期刊2003年05期）
陈绍凤,夏善红[4]（2002）在《硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试》一文中研究指出封装、测试了硅尖阵列 -敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器 ,在计算机模拟计算的基础上 ,对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试 ,得出实物测试场发射电流曲线 (开启电压低 ,发射电流曲线与计算机模拟曲线一样 ,电压 45V时发射电流可达到86mA ,平均每个硅尖为 2 1 μA)、压力特性曲线 (呈线性变化 ,与计算机模拟计算的曲线相近 )及灵敏度数据。电压 1 .5V即可测试并且其压力特性成线性变化 ,灵敏度为 0 .3 μA/kPa。(本文来源于《液晶与显示》期刊2002年01期）
赵文锦[5]（1998）在《覆金刚石膜的硅尖阵列制成的阴极射线致发光场致发射平板显示器试样》一文中研究指出1引言场致发射器件平板显承器在结构和设计方面人们已经作过大量的探讨。在最早的研究工作中，微细平板印刷术通常用于制造微米量级的有规则的尖推阵列。由于电力线集中在这些尖锥的尖端处，足以在较低的电压下产生电子隧道效应。近来发现，淀积在平面基片上的平面型金刚石或(本文来源于《光电子技术》期刊1998年04期）
刘卫东,薛耀国,朱长纯[6]（1997）在《硅尖阵列电泳法淀积金刚石微粉及其场发射特性研究》一文中研究指出本文介绍了用电泳法在硅锥阵列上制备金刚石涂层的工艺及场发射实验结果,表明该阴极具有很好的场发射特性.(本文来源于《中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集》期刊1997-08-20）
陈德英[7]（1997）在《硅尖阵列二极管温度性能的研究》一文中研究指出简述了真空微二极管的结构参数设计、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同的温度下Ｆ－Ｎ曲线及湿法化学腐蚀制备硅尖的形貌。该微二极管起始电压为２Ｖ左右，发射尖电流５μＡ／锥尖。(本文来源于《半导体技术》期刊1997年04期）
陈德英,唐国洪[8]（1995）在《硅尖阵列二极管性能的研究》一文中研究指出简述了真空微二极管的结构参数设计考虑、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同温度下的Ｆ－Ｎ曲线及湿法腐蚀制备硅尖的形貌。该微二极管转换电压为２伏左右，发射锥尖电流为５ｕＡ／锥尖。(本文来源于《半导体技术》期刊1995年03期）
唐国洪,陈德英,周全生,袁景[9]（1994）在《用硅的各向异性腐蚀工艺制备发射硅尖阵列》一文中研究指出本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较好的硅尖阵列，测试结果表明，起始发射电压为５～６Ｖ，发射电流在阳极电压为２０Ｖ时为０．５ｍＡ，反向击穿电压为７５Ｖ。(本文来源于《电子器件》期刊1994年04期）
王保平,童林夙,赵琴,黄仲平,蔡勇[10]（1994）在《硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究》一文中研究指出本文采用各向异性腐蚀和干－湿－干氧化锐化工艺，在ｎ型，（１００）晶向、电阻率为３～５Ωｃｍ、３英寸硅片上均匀制备了三种结构硅尖阵列场致发射二极管。锥尖密度达１５０００个／ｍｍ￣２，硅尖曲率半径小于３０ｎｍ；在３５Ｖ收集极电压下，单尖发出电流达０．１４μＡ，其Ⅰ—Ⅴ曲线与Ｆ—Ｎ公式类似。(本文来源于《电子器件》期刊1994年03期）
硅尖阵列论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
针对微电子器件,提出了一种简单、低成本、便于批量加工的硅尖阵列制备方法。分析了各向异性和各向同性湿法腐蚀的特点,研究了不同腐蚀液中硅尖的形成机理和腐蚀速率,采用扫描电子显微镜(SEM)观测硅尖形貌。结果表明:在质量分数40%KOH腐蚀液中添加I2和KI,显着减小了削角速率,得到了呈"火箭尖"的硅尖阵列。各向同性腐蚀采用HNA腐蚀液,腐蚀的硅尖呈埃菲尔铁塔形。通过调整腐蚀液配比,氧化锐化后,硅尖尖端曲率半径小于15nm。该硅尖阵列已成功应用于真空微电子加速度计之中。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅尖阵列论文参考文献
[1].李璐,张金英,杨天辰,何秀丽,陈硕.基于硅尖阵列的SF_6传感器制备及特性研究[J].仪表技术与传感器.2017
[2].李东玲,尚正国,王胜强,温志渝.硅尖阵列的制备及其在真空微电子加速度计中的应用（英文）[J].强激光与粒子束.2015
[3].吴海霞,仲顺安,李文雄,邵雷,鲁雪峰.场致发射硅尖阵列的研制[J].北京理工大学学报.2003
[4].陈绍凤,夏善红.硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试[J].液晶与显示.2002
[5].赵文锦.覆金刚石膜的硅尖阵列制成的阴极射线致发光场致发射平板显示器试样[J].光电子技术.1998
[6].刘卫东,薛耀国,朱长纯.硅尖阵列电泳法淀积金刚石微粉及其场发射特性研究[C].中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集.1997
[7].陈德英.硅尖阵列二极管温度性能的研究[J].半导体技术.1997
[8].陈德英,唐国洪.硅尖阵列二极管性能的研究[J].半导体技术.1995
[9].唐国洪,陈德英,周全生,袁景.用硅的各向异性腐蚀工艺制备发射硅尖阵列[J].电子器件.1994
[10].王保平,童林夙,赵琴,黄仲平,蔡勇.硅尖阵列场致发射微二极管的制备及特性研究[J].电子器件.1994
论文知识图
