导读:本文包含了杂质和缺陷论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:杂质,缺陷,施主,点缺陷,单晶硅,直方图,形态学。
杂质和缺陷论文文献综述
于向茹,丁健配,李金屏[1]（2019）在《基于形态学与投影直方图的轮胎杂质缺陷检测》一文中研究指出针对胎侧和胎肩的杂质缺陷检测,提出了一种基于形态学和投影直方图的方法.首先,图像预处理分割胎侧与胎肩,降低花纹等因素对杂质检测的影响;其次,用局部大津法对图像进行二值化处理,以形态学操作从背景中提取杂质;然后,纵向滤波去掉毛刺;最后,根据水平及垂直方向投影确定杂质的位置.由于杂质的位置是随机的,而且投影曲线符合方波模型,因此根据上述特点筛选检测结果.实验结果表明,该方法能够有效地检测花纹外面的杂质,而且能够满足系统对实时性的要求.(本文来源于《中国科学技术大学学报》期刊2019年01期）
余霞,徐娇,张彬[2]（2018）在《表面杂质和节瘤缺陷诱导薄膜元件热熔融损伤》一文中研究指出在高功率激光系统中,光学薄膜元件表面杂质和体内节瘤缺陷是导致薄膜元件损伤的关键因素。通过建立强激光连续辐照下光学薄膜元件的热分析模型,分析在不同激光辐照时间和功率密度下,表面杂质和节瘤缺陷对光学薄膜元件损伤的影响及其规律。结果表明,在强激光连续辐照下,当表面杂质粒子尺寸处于一定范围内时,随着杂质粒子尺寸的增大,薄膜元件上的最高温度随之升高,且大而浅的节瘤缺陷种子对膜层的温升影响较大。随着激光功率密度的提高和激光辐照时间的增长,表面杂质造成薄膜元件热熔融损伤的粒子尺寸范围越大,节瘤缺陷造成薄膜元件热熔融损伤的种子深度和尺寸范围也越大。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2018年12期）
汪小琦,孙延焕[3]（2018）在《浅谈外来杂质及介质层缺陷对铝基覆铜板耐高压性能的影响》一文中研究指出本文针对外来杂质及导热绝缘层缺陷所引起的铝基板耐压失效问题,通过预制金属杂质、铝板毛刺、介质层气泡、填料结团这四种介质层缺陷的铝基板,并对这四种现象进行耐高压测试并观察失效现象、特征,探讨了内层杂质及导热介质层缺陷对铝基覆铜板耐高压性能影响。实验结果表明:介质层金属杂质及缺陷铝基板均能造成其Hi-pot性能降低且随着电压升高则击穿失效,同时对铝基板生产制作出现耐压失效问题提出了预防措施。(本文来源于《第十九届中国覆铜板技术研讨会论文集》期刊2018-10-26）
朱影[4]（2018）在《ZnO单晶中离子注入杂质与缺陷的发光光谱学研究》一文中研究指出半导体材料的发展是社会生产力进步的基石,ZnO作为一种新型的半导体材料因其优异的性能在光电器件领域有巨大的应用潜力。但ZnO中存在的大量本征点缺陷导致ZnO的发光行为变得难以捉摸,严重影响了 ZnO光电器件的商业化应用,因此研究ZnO点缺陷的发光行为是非常有价值的课题。本文主要的研究内容分为两部分:采用离子注入的方法分别制备目标杂质原子不同浓度的F掺杂ZnO体单晶和Na掺杂ZnO体单晶。以光致发光光谱(PL)作为主要的研究手段,分别研究了注入剂量和退火温度对以上两种掺杂样品发光行为的影响。并以拉曼光谱(Raman)、电子顺磁共振(EPR)和二次离子质谱(SIMS)等作为补充手段研究目标杂质原子对晶格造成的影响。我们发现:(1)F离子注入会给ZnO的晶格结构造成损伤,退火可以修复晶格损伤,F在ZnO单晶中处于O的替代位,发挥浅施主的作用。SIMS结果表明退火温度达600℃及以上时,F出现外溢,随着退火时间延长,F对O空位的补偿能力下降,使得深能级缺陷发光峰往VO有关缺陷能级发射峰的方向移动。当退火温度低于600℃时,退火时间延长不会造成F的外溢,其对深能级缺陷的发光行为基本没有影响。低温PL表明F的施主束缚激子D0X的发射峰位于3.364 Ev处,当注入剂量较低时,在低的退火温度下其近带边发光峰偏离3.364 eV较多。而当剂量增加时,400℃-800℃退火均可以形成F的重掺,D0X发射峰峰位位偏移变得更加明显。(2)Na的离子注入与F注入类似,会给ZnO的晶格结构造成损伤,拉曼散射谱表明退火可以消除绝大部分晶格损伤。SIMS的结果表明,Na在ZnO单晶中呈先增加后减小的深度分布趋势。低温PL光谱表明,650℃是形成Na受主最适宜的退火温度,此时Na主要分布在晶格中的替代位。在其他退火温度条件下,Na主要分布在晶格中的间隙位,发挥施主作用。其变温PL谱表明Na在ZnO单晶中的受主能级为171meV。(本文来源于《浙江大学》期刊2018-07-06）
白晓婉[5]（2017）在《基于杂质原子掺杂缺陷石墨烯的氧还原反应电催化剂的理论研究》一文中研究指出质子交换膜燃料电池(PEMFC)可以通过电化学反应将化学能直接转化成电能,并且因其转换效率高,无污染等特点,在过去的几十年里引起了广泛的关注。目前,贵金属铂(Pt)基催化剂为PEMFC的主要催化剂。但因其储量低,成本高,耐久性差等问题严重阻碍了PEMFC广泛的商业应用。因此,开发廉价高效的非贵金属或非金属电催化剂来催化氧还原反应(Oxygen Reduction Reaction:ORR)已成为PEMFC实现商业化的关键。近几年,由于掺杂石墨烯以及碳纳米管等sp~2纳米碳材料具有优异的导电性和高的比表面积等优点,已经成为了非贵金属或非金属ORR电催化剂的重要选项和研究热点。本论文结合量子化学计算和电化学热力学模型分析,系统地研究了不同非贵金属或非金属掺杂缺陷石墨烯构成的ORR电催化剂的催化性能,以及探讨了掺杂含缺陷石墨烯具有催化活性的内在机制。论文主要内容和研究结果如下:1.磷(P)掺杂缺陷石墨烯作为氧还原反应电催化剂的理论研究。通过形成能的计算,P掺杂双缺陷石墨烯要比P掺杂单缺陷和Stone Wales缺陷石墨烯更易形成。针对P掺杂双空位缺陷石墨烯,展开ORR反应机理和自由能曲线的研究。研究结果表明,O_2分子可以有效的吸附在电催化剂表面,满足了ORR发生的前提。随后,在ORR机理研究中发现活化O_2分子可以通过叁个ORR竞争反应路径完成4e-过程且转化为最终产物H_2O分子。其中动力学最佳的路径是O_2分子氢化形成OOH,OOH氢化形成O+H_2O的过程。这个路径的决速步骤是最后一步,即OH氢化生成H_2O的过程。从ORR自由能曲线图中可以得出,每一步基元反应的吉布斯自由能都是负值,说明反应是自发进行的放热过程。结合外电势的影响,预测该体系的工作电压是0.27 V。2.硅(Si)掺杂缺陷石墨烯作为氧还原反应电催化剂的理论研究。研究结果表明,对于Si掺杂双缺陷石墨烯,O_2分解和OOH氢化成O+H_2O是反应的最佳路径,O原子氢化生成OH是最佳路径中的决速步骤。而对于Si掺杂单缺陷石墨烯,同一路径下,决速步骤为第二个H_2O分子生成且需要克服相当高的势垒。这说明相同非金属掺杂不同缺陷石墨烯构型会导致不同的ORR催化活性发生。对于双缺陷石墨烯,反应的主要活性位点是Si以及与Si成键的四个C原子,这一点从电荷转移和差分电荷密度可以得到证明。3.锰(Mn)和磷(P)共掺杂缺陷石墨烯作为氧还原反应电催化剂的理论研究。结果表明,对于MnP_x(x=1-4)共掺双缺陷石墨烯,MnP_2是最稳定的结构。针对MnP_2共掺双缺陷石墨烯,反应机理研究表明MnP_2和它相邻的六个C原子构成了催化活性中心,且在酸性介质中以4e-转移过程完成ORR催化反应。动力学最佳反应路径是O_2分子氢化形成OOH,然后OOH氢化形成O+H_2O的过程。决速步骤是第二个H_2O分子的形成。(本文来源于《内蒙古工业大学》期刊2017-06-01）
周军委[6]（2017）在《碳杂质对含氮直拉单晶硅中氧相关缺陷的影响》一文中研究指出近十年来,掺氮直拉硅片由于具有更高的机械强度、更好的内吸杂性能以及更易消除空洞型缺陷等优点而日益成为集成电路广泛使用的高端材料。碳杂质的引入是直拉硅单晶生长过程中无法避免的,只能通过恰当的工艺控制其浓度。本文研究了较高浓度的碳杂质对掺氮直拉硅片的氮-氧复合体浅热施主(N-O STDs)、氧沉淀和氧热施主形成的影响,取得如下主要结果:1.研究了碳杂质对NCz硅片在650℃热处理时N-O STDs形成的影响。当碳浓度较低时(3.4×1016cm3),N-OSTDs的形成几乎不受影响。当碳浓度较高时(5.1×1016cm-3),N-OSTDs的形成则受到显着的抑制。对碳浓度较高的NCz硅片而言,在650℃热处理时,一部分自间隙氧原子被碳原子俘获形成复合体,因此可供氮氧复合体形成的自间隙氧原子显着减少,从而导致N-OSTDs的形成受到抑制。另外一方面,碳原子和氮原子之间可能存在相互作用,这也部分抑制了 N-OSTDs的形成。研究了 1250℃/60s高温快速热处理对掺氮直拉硅片在650℃热处理时N-OSTDs形成的影响。对普通的掺氮直拉硅片(即:碳杂质含量几乎可以忽略)而言,N-OSTDs的形成几乎不受高温快速热处理的影响;而对于含碳量较高的掺氮硅片而言,高温快速热处理促进了 N-OSTDs的形成。初步分析认为:高温快速热处理消除了碳和氮原子之间可能的相互作用,释放出的氮原子可以参与至N-OSTDs的形成。高温快速热处理也打散了含碳量较高的掺氮硅片样品中尺寸较小的氧沉淀,从而提高间隙氧原子的数量,促进N-OSTDs的形成。2.研究了碳杂质对掺氮直拉硅片在低-高两步热处理中氧沉淀行为的影响。无论是在氧沉淀形核时间不同还是在氧沉淀长大时间不同的情况下,碳杂质都会促进氧沉淀的形成。分析指出:一方面碳和氧原子间相互作用形成的C-O复合体可以作为氧沉淀异质形核的前驱体,降低了氧沉淀形核的势垒;另一方面,替代位碳原子周围的硅晶格处于拉伸状态,有利于氧沉淀形核过程中所产生的压应力的释放。当在低-高两步热处理前预置1250℃/60s高温快速热处理时,碳对掺氮直拉硅片氧沉淀的促进作用更加显着,这是由于碳促进了可作为氧沉淀形核前驱体的空位-氧(V02)复合体的形成。3.研究了碳杂质对掺氮直拉硅片的氧热施主形成的影响。研究表明,在氮杂质抑制直拉硅片的氧热施主形成的基础上,碳杂质进一步抑制了氧热施主的形成,碳浓度越高,其抑制作用越显着。初步分析认为:在氧热施主形成温度下,有可能形成碳-氧复合体,消耗了一部分间隙氧原子;此外,一部分替代位碳原子与自间隙硅原子发生了“踢出(kick-out)”机制的反应,消耗了一部分自间隙硅原子。而氧热施主的形成则依赖于间隙氧原子和自间隙硅原子的数量。(本文来源于《浙江大学》期刊2017-05-05）
宋扬,陆晓东,王泽来,赵洋,吕航[7]（2017）在《基于暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究》一文中研究指出暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段。本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响,并给出了利用暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线判断晶硅电池内部杂质和缺陷类型和分布的基本准则,结果表明:在大于0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的明显变化可作为判断为由晶硅电池体内杂质和缺陷引起;在0.1 V~0.75 V的正向偏压区域,暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的理想因子分区性质可作为晶硅电池体内和表面杂质和缺陷的依据。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2017年03期）
王唯正[8]（2017）在《熔石英杂质粒子与本征点缺陷相互作用研究》一文中研究指出熔石英是高功率激光装置中广泛使用的激光透镜材料。激光诱导损伤是熔石英材料研究中的重要科学问题,激光辐照会导致材料产生激光诱导损伤,使材料的光学透过性能严重下降。酸洗工艺过程中产担的各种粒子基团不可避免的会与熔石英发生作用,形成光吸收中心,影响熔石英器件的性能。熔石英本征点缺陷与杂质粒子对熔石英元器件件性质有着重要的影响。尽管相关研究已经进行了许多年,但这些工作基本都停留在分立研究本征点缺陷与杂质粒子的阶段,还没有一项工作系统性的研究杂质粒子与本征点缺陷作用机制。本文基于熔石英器件处理工艺中的迫切需求,研究本征点缺陷的转换机制与杂质粒子与熔石英各类本征点缺陷的作用机制,并深入研究扩散势垒等性质,对生产工艺中消除杂质粒子的作用存在积极的意义。本文的主要研究内容如下:(1)应用第一性原理的方法,研究两种相似的缺陷结构,POL缺陷与POR-E'缺陷的转化机制。研究两类缺陷的稳定构型。采用GOWO+BSE的方法计算了缺陷的电子结构与光学性质。研究结果不仅给出熔石英过氧类本征点缺陷的转换机制,也解释了为什么实验中很难观测到POL缺陷的光吸收。(2)铵基团是熔石英化学刻蚀引入的主要杂质。应用第一性原理的方法研究铵基团在熔石英中的扩散机制。重点研究铵基团与四类熔石英本征点缺陷(ODC( Ⅰ ),POL,POR-E',NBOHC-E')的作用机制,计算相关的能量路径与能量势垒。对各类本征点缺陷的吸附能力做出比较,揭示本征点缺陷是如何影响杂质粒子的扩散行为。(本文来源于《北京邮电大学》期刊2017-01-04）
张哲峰[9]（2017）在《重点关注杂质研究缺陷》一文中研究指出问：仿制药研发中哪些杂质研究缺陷需要在一致性评价中予以关注？答：杂质研究与控制是药品研发的重要内容之一，无论是CFDA还是ICH、FDA、MEA的指导原则或技术法规，在原料药合成路线、起始物料、关键物料、关键工艺步骤及参数的合理性论证和风险评(本文来源于《中国医药报》期刊2017-01-03）
刘彬[10]（2016）在《本征缺陷和杂质对硅微纳结构机械性能的影响研究》一文中研究指出微纳机电系统(Micro/Nano-electro-mechanical Systems,MEMS/NEMS)在基础科学和工程领域中都有着广泛应用。硅是MEMS/NEMS中的基础材料,硅基微纳结构的可靠性直接制约其量产和市场化,更对设备和人员安全有重要意义。随着硅基MEMS/NEMS功能的扩展及微纳结构的复杂化,其可靠性问题日益凸显。本文以硅微纳结构的强度、塑脆性、疲劳等与失效模式紧密相关的力学特性为切入点,以体硅、硅薄膜、无定形硅、硅纳米线等结构为对象,研究了常见晶体缺陷和一种具有代表性的电活性杂质磷对硅微纳结构机械性能的影响,以此深入探讨其可靠性问题。主要研究工具是分子动力学(Molecular Dynamics,MD),辅以第一性原理计算、解析推导和实验。具体研究内容如下:1.势函数优化力场是MD的基础,力场模型的适用性决定了模拟结果的可信度,本文选用第二近邻修正嵌入式原子势函数(Second-nearest-neighbor Modified Embedded Atom Method,2NN MEAM),用遗传算法(Genetic Algorithm,GA)优化了纯硅、纯磷和硅磷二元系的2NN MEAM势函数。纯硅体系的2NN MEAM势函数优化目标主要是表面和层错。而纯磷和硅磷二元系的2NN MEAM势函数的优化参考了较为广泛的物理性质,纯磷体系包括常见相的内聚能和晶格常数及体弹性模量B和一阶压力导数B',硅磷二元系包括典型结构的内聚能及其晶格常数、弹性常数、点缺陷和磷-空位结构的基本性质。除了满足重要物性参数的预测精度,还测试了磷各相和掺磷硅结构在典型温度和压强环境中的热稳定性,验证了几组势函数的适用性。2.杂质磷对晶体硅和无定型硅拉伸特性的影响磷对晶体硅和无定形硅的机械特性存在影响。本文用MD研究了这两种结构的拉伸特性受杂质磷影响的机制,发现杂质磷会降低体硅结构的断裂应力和刚度,却能够有效阻止裂纹的萌生和扩展,进而增加实际硅晶体结构的强度。杂质磷的这一效应与其在体硅中所发挥的作用相比占据主导。这一结论同样适用于疲劳过程,即杂质磷可有效阻止疲劳损伤累积后所生成的裂纹的扩展。对于无定形硅,磷能使其刚度、屈服强度以及浮应力都显着升高,还使无定形硅薄膜的延展性大幅提升。由此得到制备工艺上的启示:若从机械寿命的角度来考虑,为了增强晶体硅微结构的机械强度,可利用现有工艺(如热扩散、离子注入等)提高硅基结构表面的杂质磷浓度;也可在无定形硅制作过程中加入掺磷工艺,提高其强度和延展性。3.替位杂质磷对常见生长晶向的硅纳米线拉伸特性的影响系统研究了表面缺陷、生长晶向、尺寸、杂质等因素对硅纳米线拉伸特性的影响机制,发现如下现象:(1)完整硅纳米线的拉伸强度随掺磷浓度的升高而降低。尽管磷能降低完整纳米线的拉伸强度,但工程实际中,纳米线含表面缺陷,缺陷附近的杂质磷能阻止缺陷开裂和扩展,因而可增强其强度。(2)完整的2nm和3nm[1 1 0]硅纳米线受拉呈塑性,而含表面缺陷时转变为脆性。由于应力集中,裂纹更容易成核并沿着解理面扩展。(3)完整的2nm和3nm[1 1 0]硅纳米线在掺磷后出现了新的失效模式,尽管大部分呈塑性,但部分样本发生脆断,而部分较高浓度的3nm样本出现了局部无定型化导致的失效。4.典型晶体缺陷和杂质磷对拖动面内的60°全位错运动特性的影响全面探讨了晶体缺陷对硅中拖动型60°全位错运动特性的影响,发现Sp-<1 10>自间隙缺陷、替位磷、Hexagonal间隙磷杂质和PV节均能够阻滞甚至钉扎位错的滑移。内在机理是:缺陷提供的悬挂键与位错尖端原子的悬挂键相结合。孪晶和层错能够阻止位错穿过孪晶和层错界面,即使位错驱动力方向沿最容易扩展的拖动面。模型受压或受拉(垂直于位错所在的拖动面)时,位错的滑移速率降低,且拉应力比压应力的效果更明显。对已有的真空和常温或低温环境中的硅疲劳机理作了修正,认为位错的活动是其疲劳失效的必要条件,晶体缺陷和杂质使位错的活动复杂且缓慢,需高周次作用才能达到最终的失效。5.磷对硅晶结构和无定形薄膜机械性能影响的实验验证设计了一种新颖的多梁测试结构和配套的片外弯曲测试系统,经大量测试发现,杂质磷能有效提高硅微梁的弯曲强度和疲劳寿命。用化学气相沉积工艺制作了两种掺磷浓度的无定形硅薄膜,通过纳米压痕测试发现,杂质磷能够提高其刚度和强度。通过以上研究,基本探明了本征缺陷和杂质磷对体硅、无定形硅、硅纳米线等典型硅基机械结构的断裂、疲劳等失效行为的影响,为相关产品的可靠性设计和失效机理解释提供了理论支持。(本文来源于《国防科学技术大学》期刊2016-10-01）
杂质和缺陷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在高功率激光系统中,光学薄膜元件表面杂质和体内节瘤缺陷是导致薄膜元件损伤的关键因素。通过建立强激光连续辐照下光学薄膜元件的热分析模型,分析在不同激光辐照时间和功率密度下,表面杂质和节瘤缺陷对光学薄膜元件损伤的影响及其规律。结果表明,在强激光连续辐照下,当表面杂质粒子尺寸处于一定范围内时,随着杂质粒子尺寸的增大,薄膜元件上的最高温度随之升高,且大而浅的节瘤缺陷种子对膜层的温升影响较大。随着激光功率密度的提高和激光辐照时间的增长,表面杂质造成薄膜元件热熔融损伤的粒子尺寸范围越大,节瘤缺陷造成薄膜元件热熔融损伤的种子深度和尺寸范围也越大。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
杂质和缺陷论文参考文献
[1].于向茹,丁健配,李金屏.基于形态学与投影直方图的轮胎杂质缺陷检测[J].中国科学技术大学学报.2019
[2].余霞,徐娇,张彬.表面杂质和节瘤缺陷诱导薄膜元件热熔融损伤[J].红外与激光工程.2018
[3].汪小琦,孙延焕.浅谈外来杂质及介质层缺陷对铝基覆铜板耐高压性能的影响[C].第十九届中国覆铜板技术研讨会论文集.2018
[4].朱影.ZnO单晶中离子注入杂质与缺陷的发光光谱学研究[D].浙江大学.2018
[5].白晓婉.基于杂质原子掺杂缺陷石墨烯的氧还原反应电催化剂的理论研究[D].内蒙古工业大学.2017
[6].周军委.碳杂质对含氮直拉单晶硅中氧相关缺陷的影响[D].浙江大学.2017
[7].宋扬,陆晓东,王泽来,赵洋,吕航.基于暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线对晶硅电池杂质和缺陷性质研究[J].人工晶体学报.2017
[8].王唯正.熔石英杂质粒子与本征点缺陷相互作用研究[D].北京邮电大学.2017
[9].张哲峰.重点关注杂质研究缺陷[N].中国医药报.2017
[10].刘彬.本征缺陷和杂质对硅微纳结构机械性能的影响研究[D].国防科学技术大学.2016
论文知识图
