导读:本文包含了纳米线准阵列论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:综合实验,实验设计,功能材料,光降解
纳米线准阵列论文文献综述
张丽莹,杨兵旺,王凌晨,贺加贝[1]（2019）在《“铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究”综合实验设计》一文中研究指出结合科学研究工作和本学科前沿方向设计了"铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究"综合实验,该实验过程涵盖了材料制备、物理性能表征、光降解性能测试、葡萄糖检测性能测试等,研究涉及扫描电镜、X射线衍射仪、紫外分光光度计、电化学工作站等仪器的应用。通过该实验使学生对功能材料有进一步了解,提高学生的综合素质和对科学研究的热情。(本文来源于《实验技术与管理》期刊2019年11期）
闫慧君,白建伟,王玉,周红霞,景晓燕[2]（2019）在《负载高性能MnO_2@Ni(OH)_2核/壳纳米线阵列碳布电极的非对称超级电容器性能研究》一文中研究指出通过两步法在碳布(CC)上成功制备MnO_2@Ni(OH)_2核/壳纳米线阵列(NWAs),并应用于柔性全固态非对称超级电容器(ASCs)中。Ni(OH)_2纳米片整齐地包覆在每个MnO_2纳米线上,与纯MnO_2纳米线相比获得了更高的比电容值(在扫描速率为5mV/s时,比电容值为432.8F/g)。该电极材料同时具有良好的循环稳定性,在5A/g下充放电2000圈后,仍保持初始比电容的92.3%。自组装的MnO_2@Ni(OH)_2//MnO_2 ASC具有1.8V的宽电势窗口,输出了高能量密度(69.2Wh/kg)和高功率密度(当54.6Wh/kg时4.5kW/kg)。结果表明,MnO_2@Ni(OH)_2 NWAs以碳布作为柔性基底,拥有高比表面积可以被大规模地应用在超级电容器领域中。(本文来源于《材料工程》期刊2019年11期）
李志杰,王晓艳,田鸣,张旭东,杨林[3]（2019）在《AlN纳米线阵列的光学性质及第一原理计算》一文中研究指出为了制备均匀的宏观AlN纳米线阵列,采用化学气相沉积法在二次模板上成功地合成了AlN纳米线宏观阵列.利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子能谱仪和紫外-可见光光度仪测试了AlN纳米线阵列的结构、形貌和紫外发光性能.结果表明,AlN纳米线阵列分布均匀,AlN纳米线的平均直径与平均长度分别约为41 nm和1. 8μm. AlN纳米线的分布密度约为5. 4×107mm-2,其覆盖率约为7. 1%. AlN纳米线在150～310 nm范围内具有很好的吸光性能.利用第一原理计算得到的AlN纳米线光学性质与实验结果相符.(本文来源于《沈阳工业大学学报》期刊2019年05期）
李小丽,薛文明,莫容,杨穗,李红星[4]（2019）在《微量铱掺杂Co_xNi_(1-x)O纳米线阵列的制备及其电催化性能（英文）》一文中研究指出电催化剂可以降低水分解反应的活化能与相应的过电势,提高电解水的制氢效率.Pt、Ru等贵金属颗粒是最常见的高催化活性材料,但其高昂成本严重限制了它们在工业上的广泛应用.因此,开发以非贵金属为基础的高活性材料是未来实现大规模工业制氢的有效手段.本文以Co_xNi_(1-x)O纳米线阵列为结构骨架对其进行微量的铱(Ir)掺杂,同时将Ir的掺杂量控制在1%以下,并系统地研究了Ir-Co_xNi_(1-x)O材料的析氢反应(HER)、析氢反应(OER)和全解水性能.实验发现,微量Ir掺杂可以有效提升Co_xNi_(1-x)O纳米材料的电化学性能.当Ir在样品的含量仅为0.57 wt%时, Ir掺杂的Co_xNi_(1-x)O样品具有最优异的HER和OER性能.特别地,在1 mol L~(–1) KOH电解液中电流密度达到10 mA cm~(-2)时的HER过电势仅为260 mV, OER过电势仅为53 mV.将Ir (0.57 wt%)-Co_xNi_(1-x)O/NF样品作为双功能催化剂用于全解水的阳极和阴极时产生10 mAcm~(-2)电流密度需要施加的电压仅为1.55 V.采用第一性原理(DFT)对Ir元素掺杂在调控Co_xNi_(1-x)O的电子结构和HER以及OER反应中被吸附物吉布斯自由能的改变等方面进行了量化计算.结果表明, Ir掺杂后Co_xNi_(1-x)O总的态密度向导带移动,带隙内电子的相互作用增强,相应的禁带宽度变小,表现为半金属的导电类型,说明Ir掺杂提高了Co_xNi_(1-x)O材料的导电性.相应的吉布斯自由能计算结果表明, Ir掺杂后材料表面对氢原子吸附的活性加强,?GH*由原来的0.823 eV变为0.523 eV,更加接近理想催化剂的值.同样地,计算表明Co_xNi_(1-x)O在参与OER反应时对中间体吸附的吉布斯自由能在Ir掺杂后也得到降低.(本文来源于《Chinese Journal of Catalysis》期刊2019年10期）
童中英,谢天,叶新辉,夏辉,李菊柱[5]（2019）在《纳米线阵列高效太阳能转换的原理和研究进展》一文中研究指出首先从热力学角度讨论减少太阳能光伏结构效率损失,特别是光学熵损失的原理和途径,然后介绍半导体纳米线阵列在降低材料使用率的同时有效实现陷光和降低发射角的结构设计,其中由直径渐变纳米线形成的非周期阵列具有可见到近红外宽波段的导模共振陷光能力,同时极低的发射角大幅度地抑制了自发辐射引起的光子损失,成为有望突破Shockley-Queisser转换效率极限的光伏结构.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年04期）
张聪,温强[6]（2019）在《氧化锌纳米线阵列的制备方法》一文中研究指出氧化锌(ZnO)纳米线阵列结构表现出比块体材料更好的发光性能、导电性能和光电性能等,从2001年后受到研究人员的广泛关注,创新了多种制备方法,如水热合成法、化学气相沉积法、模板限制辅助生长法、金属有机气相外延生长法等,文章就ZnO纳米线阵列的制备方法进行简要概述。(本文来源于《化工管理》期刊2019年22期）
何祖东,耿超,邱佳佳,杨玺,席风硕[7]（2019）在《一步纳米银催化刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列》一文中研究指出通过采用一步纳米金属颗粒辅助化学刻蚀法(MACE)成功制备了多孔硅纳米线,并主要研究了硅片掺杂浓度、氧化剂AgNO_3浓度以及HF浓度对硅纳米线阵列形貌结构的影响规律.研究结果表明:较高的掺杂浓度更有利于刻蚀反应的发生和硅纳米线阵列的形成,这是由于高掺杂浓度在硅片表面引入了更多的杂质和缺陷,同时高掺杂浓度的硅片与溶液界面形成的肖特基势垒更低,更容易氧化溶解形成硅纳米线阵列;在一步金属辅助化学刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列的过程中,溶液中AgNO_3浓度对于其刻蚀形貌和结构起到主要作用,AgNO_3浓度过低或过高时,硅片表面会形成腐蚀凹坑或坍塌的纳米线簇,Ag NO3浓度为0. 02 mol·L~(-1)时,硅纳米线会生长变长,最终形成多孔硅纳米线阵列.随着硅纳米线的增长,纳米线之间的毛细应力会使得一些纳米线顶部出现团聚现象;且当HF溶液浓度超过4. 6 mol·L~(-1)时,随着HF酸浓度的增加,硅纳米线的长度随之增加.同时,硅纳米线的顶部有多孔结构生成,且硅纳米线的孔隙率随HF浓度的增加而增多,这是由于纳米线顶部大量的Ag+随机形核,导致硅纳米线侧向腐蚀的结果.最后,根据实验现象提出相应模型对多孔硅纳米线的形成过程进行了解释,归因于银离子的沉积和硅基底的氧化溶解.(本文来源于《工程科学学报》期刊2019年07期）
张聪,温强[8]（2019）在《高性能氧化锌纳米线阵列的研究及应用》一文中研究指出ZnO纳米线阵列结构表现出比块体材料更好的发光性能、导电性能和光电性能等,从2001年后受到研究人员的广泛关注,不同的产品形貌会带来不同的产品性能,为了追求产品形貌多样化和产品性能上的提高,研究人员做了多方面工作,文章就ZnO纳米线阵列的形貌调整方法以及掺杂与改性及其应用,简要概述了近几年ZnO纳米线阵列的技术发展。(本文来源于《冶金与材料》期刊2019年03期）
徐学留,李广忠,符泽卫,胡俊涛,罗治平[9]（2019）在《氢还原钒酸钠纳米线阵列作为锂离子电池的电极（英文）》一文中研究指出钒酸盐和氧化钒是潜在的锂离子电池电极材料,具有易于制备和高容量的特点。本文报道了VO_2和NaV_2O_5复合纳米线阵列的电化学锂储存性能。首先,采用水热法制备Na_5V_(12)O_(32)纳米线阵列,然后将Na_5V_(12)O_(32)纳米线阵列在500℃的氢气氛中还原反应制备VO_2和NaV_2O_5复合纳米线阵列。对制备样品的晶体结构,化学组成和形态特征进行了表征。结果表明,所得复合纳米线阵列用作锂离子电池的电极,具有高可逆容量和良好的循环稳定性。在电流密度为30 mA/g时经过50次循环后,500℃下获得的复合物具有高达345.1 mA·h/g的放电比容量。(本文来源于《Journal of Central South University》期刊2019年06期）
倪世明[10]（2019）在《TiO_2纳米线阵列的修饰及其在光电化学光伏电池中的应用》一文中研究指出随着传统能源的日趋枯竭和全球对环境污染的日益关注,开发可以代替传统能源的清洁可再生能源刻不容缓。太阳能的高效利用是解决能源危机及环境污染的重要手段。基于半导体纳米材料的光电化学光伏电池备受关注,主要包括染料敏化太阳能电池(DSSC)和光电化学紫外探测器(PEC UVPD)。光电化学光伏电池的光阳极在器件中起到极为重要的作用。近年来,一维TiO_2纳米结构材料在光电化学光伏电池中的应用引人瞩目。独特的形态和优异的性能改善了DSSC和PEC UVPD的光伏性能。在一维TiO_2纳米结构材料中,TiO_2纳米线阵列优势明显,但是较低的光散射率、光阳极/电解质界面处电子复合难以被抑制以及电子传输速率有待提高仍然制约着TiO_2纳米线阵列的实际应用前景。针对上述制约因素,围绕改善TiO_2光阳极特性,以期提高光电化学光伏电池的光电转换效率这一主题,我们对TiO_2纳米线阵列进行生长条件优化和多种修饰的研究,具体内容如下:使用水热法生长了超长TiO_2纳米线阵列。改变反应溶液中去离子水和无水乙醇的比例、反应时间可以得到了不同形貌的金红石相TiO_2纳米线阵列,其中长径比最大的单根纳米线截面呈边长12 nm左右正方形、长度达到了40μm。Cl~?可以优先吸附在TiO_2的(110)晶面上,加速TiO_2纳米线沿[001]方向生长,从而形成了高长径比的纳米线阵列。以优化的TiO_2纳米线阵列制备了DSSC和PEC UVPD,其中DSSC的光电转换效率η达到了7.46%,具备了实际应用的潜力;PEC UVPD在365 nm处响应度R_λ达到了168 mA W~(?1),上升时间τ_r为10 ms,下降时间τ_d为12ms,这个响应速度远快于一般传统的光电导型紫外探测器,并且显示出了精确测量紫外线强度的应用潜力。利用刻蚀修饰的方法进一步增大TiO_2纳米线阵列的比表面积,提高孔隙率和染料吸附量。更高的孔隙率意味着更强的光散射,入射光在光阳极内部多次折射有助于更好的光捕获性能。基于刻蚀修饰的TiO_2纳米线阵的DSSC的光电转换效率η最高可以达到8.28%;对PEC UVPD来说,在365 nm处响应度R_λ达到了255 mA W~(?1),与未刻蚀的相比上升时间τ_r有所增加,下降时间τ_d明显减小。通过水热法对TiO_2纳米线阵列进行了MgO钝化修饰,制备出了TiO_2@MgO核壳纳米线阵列,研究发现MgO钝化修饰对TiO_2纳米线阵列的晶体结构和形貌无明显影响。将制备好的TiO_2@MgO核壳纳米线阵列制备成DSSC发现,光电转换效率急剧下降,原因是MgO钝化层的导带底高于N719染料的LUMO能级,使得电子注入效率大幅度下降。将制备好的TiO_2@MgO核壳纳米线阵列制备成PEC UVPD发现,MgO钝化修饰时间较短时,光生电子在光阳极/电解质界面的复合受到抑制是光电流J_(light)增大的主要原因;MgO钝化修饰时间较长时,TiO_2和MgO晶体形成的Ⅰ型能带结构抑制光生空穴与电解质中的I~-反应,导致光生空穴在光阳极中的堆积,使得光生电子与光生空穴直接复合的几率增加,光电流J_(light)下降。最优MgO钝化修饰条件的TiO_2@MgO核壳纳米线阵列作为光阳极的PEC UVPD开关比为17910,在365 nm处响应度R_λ达到362 mA W~(?1)。上升时间τ_r和下降时间τ_d分别为13 ms和12 ms,并且具有出色的光谱选择性和光信号线性响应特性。通过水热法对TiO_2纳米线阵列进行了SrTiO_3钝化修饰,制备出了TiO_2@SrTiO_3核壳纳米线阵列。研究发现SrTiO_3钝化修饰不能明显改变TiO_2纳米线阵列的形貌,但钝化修饰时间过长会导致Sr掺杂进入TiO_2的晶格中。将TiO_2@SrTiO_3核壳纳米线阵列制备成光电化学光伏电池发现,当SrTiO_3钝化修饰时间较短时,TiO_2和SrTiO_3晶体形成的Ⅱ型能带结构能较好地抑制光生电子复合,有效提高了光电化学光伏电池的性能;当SrTiO_3钝化修饰时间较长时,TiO_2晶格中Sr掺杂导致的缺陷和氧空位等会捕获光生电子,导致光电化学光伏电池的性能下降。最优SrTiO_3钝化修饰条件的TiO_2晶格中无Sr掺杂的TiO_2@SrTiO_3核壳纳米线阵列作为光阳极的DSSC光电转换效率η达到了9.07%,具备了实际应用的潜力;PEC UVPD开关比为28065,在360 nm处响应度R_λ达到358 mA W~(?1),上升时间τ_r和下降时间τ_d分别为13 ms和11 ms,并且具有出色的光谱选择性和线性光信号响应特性。通过水热法对TiO_2纳米线阵列进行了Sn掺杂修饰,制备出了Sn掺杂TiO_2纳米线阵列。Sn元素掺杂后与TiO_2形成置换固溶体。Sn掺杂量不会影响单个纳米线的截面形状和大小,但是过多的Sn掺杂会导致纳米线阵列长度变短。Sn掺杂修饰导致TiO_2纳米线阵列中电子传输速度的提高是基于Sn掺杂的TiO_2纳米线阵列的光电化学光伏电池性能提高的主要原因。基于最优掺杂量的Sn掺杂TiO_2纳米线阵列作为光阳极的DSSC的光电转换效率η达到了8.75%,具备了实际应用的潜力;PEC UVPD的开关比为15482,在360 nm处响应度R_λ达到了362 mA W~(?1),上升时间τ_r和下降时间τ_d分别为13 ms和10 ms,并且具有出色的光谱选择性和线性光信号响应特性。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
纳米线准阵列论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过两步法在碳布(CC)上成功制备MnO_2@Ni(OH)_2核/壳纳米线阵列(NWAs),并应用于柔性全固态非对称超级电容器(ASCs)中。Ni(OH)_2纳米片整齐地包覆在每个MnO_2纳米线上,与纯MnO_2纳米线相比获得了更高的比电容值(在扫描速率为5mV/s时,比电容值为432.8F/g)。该电极材料同时具有良好的循环稳定性,在5A/g下充放电2000圈后,仍保持初始比电容的92.3%。自组装的MnO_2@Ni(OH)_2//MnO_2 ASC具有1.8V的宽电势窗口,输出了高能量密度(69.2Wh/kg)和高功率密度(当54.6Wh/kg时4.5kW/kg)。结果表明,MnO_2@Ni(OH)_2 NWAs以碳布作为柔性基底,拥有高比表面积可以被大规模地应用在超级电容器领域中。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
纳米线准阵列论文参考文献
[1].张丽莹,杨兵旺,王凌晨,贺加贝.“铜化合物纳米线阵列的制备及性能研究”综合实验设计[J].实验技术与管理.2019
[2].闫慧君,白建伟,王玉,周红霞,景晓燕.负载高性能MnO_2@Ni(OH)_2核/壳纳米线阵列碳布电极的非对称超级电容器性能研究[J].材料工程.2019
[3].李志杰,王晓艳,田鸣,张旭东,杨林.AlN纳米线阵列的光学性质及第一原理计算[J].沈阳工业大学学报.2019
[4].李小丽,薛文明,莫容,杨穗,李红星.微量铱掺杂Co_xNi_(1-x)O纳米线阵列的制备及其电催化性能（英文）[J].ChineseJournalofCatalysis.2019
[5].童中英,谢天,叶新辉,夏辉,李菊柱.纳米线阵列高效太阳能转换的原理和研究进展[J].红外与毫米波学报.2019
[6].张聪,温强.氧化锌纳米线阵列的制备方法[J].化工管理.2019
[7].何祖东,耿超,邱佳佳,杨玺,席风硕.一步纳米银催化刻蚀法制备多孔硅纳米线阵列[J].工程科学学报.2019
[8].张聪,温强.高性能氧化锌纳米线阵列的研究及应用[J].冶金与材料.2019
[9].徐学留,李广忠,符泽卫,胡俊涛,罗治平.氢还原钒酸钠纳米线阵列作为锂离子电池的电极（英文）[J].JournalofCentralSouthUniversity.2019
[10].倪世明.TiO_2纳米线阵列的修饰及其在光电化学光伏电池中的应用[D].哈尔滨工业大学.2019