论文摘要
通过中频磁控溅射在p型（100）硅基片上沉积了不同厚度的Y掺杂Hf O2（Y∶HfO2）薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）分析薄膜的Y掺杂浓度及元素结合状态。掠入射X射线衍射（GIXRD）分析表明,3.25 mol.%的Y掺杂HfO2薄膜相结构为立方相。利用X射线反射率（XRR）测量得到了不同溅射时间的薄膜厚度、密度和粗糙度。电性能测试表明,Y掺杂HfO2薄膜基电容器介电常数随膜厚的增大而增大。基于界面层分压原理,详细讨论了SiO2界面层对薄膜介电特性的影响。
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文章来源
类型: 期刊论文
作者: 赵鹏,周大雨,孙纳纳
关键词: 薄膜,厚度,成分,相结构,电性能
来源: 中国陶瓷 2019年08期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅰ辑,工程科技Ⅱ辑
专业: 材料科学,工业通用技术及设备
单位: 大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室
基金: 国家自然科学基金(51672032)
分类号: TB383.2
DOI: 10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2019.08.011
页码: 61-65
总页数: 5
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