SiC MOSFET的Saber建模及其在光伏并网逆变器中的应用和分析

SiC MOSFET的Saber建模及其在光伏并网逆变器中的应用和分析

论文摘要

SiC MOSFET高频、高效、高功率密度的特性符合光伏逆变器的发展趋势,但随之而来的开关振荡问题亟待解决。开关频率提升后,由于开关振荡的存在,可能导致高频下的并网电流波形质量下降,因此需要建立精准的模型来为SiC MOSFET在光伏逆变器中的应用提供指导。目前的SiC MOSFET模型大多基于Pspice的仿真环境建立的,不能用于包含复杂的电路拓扑和控制算法的仿真研究。基于Saber环境提出一种可以将SiC MOSFET与光伏逆变器结合的模型,通过双脉冲实验得出SiC MOSFET的器件特性,对SiC MOSFET的静态特性和非线性电容进行建模。最后将模型运用到光伏并网逆变器中,将仿真结果与搭建的光伏并网逆变器实验平台实测结果进行对比,并对SiC光伏并网逆变器在不同开关频率情况下的性能进行分析和研究,验证了模型的准确性和适用性。

论文目录

  • 0 引言
  • 1 SiC MOSFET器件特性
  • 2 SiC MOSFET建模
  •   2.1 静态特性建模
  •   2.2 非线性电容建模
  •     2.2.1 Cgs建模
  •     2.2.2 Cgd建模
  •     2.2.3 Cds建模
  • 3 并网逆变器的等效建模
  •   3.1 系统拓扑结构
  •   3.2 LCL滤波器参数设计
  •   3.3 系统控制策略及控制器参数
  • 4 仿真与实验验证
  • 5 结论
  • 文章来源

    类型: 期刊论文

    作者: 周林,李寒江,解宝,李海啸,聂莉

    关键词: 建模,开关振荡,高频,光伏并网逆变器

    来源: 电工技术学报 2019年20期

    年度: 2019

    分类: 工程科技Ⅱ辑

    专业: 电力工业

    单位: 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)

    基金: 国家自然科学基金重点资助项目(51477021)

    分类号: TM464

    DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.181203

    页码: 4251-4263

    总页数: 13

    文件大小: 1432K

    下载量: 639

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