论文摘要
SiC MOSFET高频、高效、高功率密度的特性符合光伏逆变器的发展趋势,但随之而来的开关振荡问题亟待解决。开关频率提升后,由于开关振荡的存在,可能导致高频下的并网电流波形质量下降,因此需要建立精准的模型来为SiC MOSFET在光伏逆变器中的应用提供指导。目前的SiC MOSFET模型大多基于Pspice的仿真环境建立的,不能用于包含复杂的电路拓扑和控制算法的仿真研究。基于Saber环境提出一种可以将SiC MOSFET与光伏逆变器结合的模型,通过双脉冲实验得出SiC MOSFET的器件特性,对SiC MOSFET的静态特性和非线性电容进行建模。最后将模型运用到光伏并网逆变器中,将仿真结果与搭建的光伏并网逆变器实验平台实测结果进行对比,并对SiC光伏并网逆变器在不同开关频率情况下的性能进行分析和研究,验证了模型的准确性和适用性。
论文目录
文章来源
类型: 期刊论文
作者: 周林,李寒江,解宝,李海啸,聂莉
关键词: 建模,开关振荡,高频,光伏并网逆变器
来源: 电工技术学报 2019年20期
年度: 2019
分类: 工程科技Ⅱ辑
专业: 电力工业
单位: 输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室(重庆大学)
基金: 国家自然科学基金重点资助项目(51477021)
分类号: TM464
DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.181203
页码: 4251-4263
总页数: 13
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