Ti4+掺杂Fe位对CuFeO2陶瓷材料结构和介电性能的影响

论文摘要

以CuO,Fe2O3和TiO2为主要原料,采用固相反应法制备了CuFe1-xTixO2（0≤x≤0. 08）陶瓷系列样品,对所得样品的结构、形貌和介电性能进行了表征和分析,并利用内部阻挡层模型（IBLC）对样品的微观结构与介电性能的关联规律进行了物理解释.结果表明,掺杂样品均具有单相铜铁矿结构;适量的Ti4+掺杂能够促进铜铁矿CuFeO2陶瓷样品的晶粒生长,而较大浓度的Ti4+掺杂则会对铜铁矿CuFeO2陶瓷样品的晶粒生长有明显的抑制作用,同时会破坏较为致密的晶体形貌;未掺杂及少量Ti4+掺杂（x=0. 005和0. 01）样品展现出室温巨介电性能,适当掺杂Ti4+可以有效提高体系的介电性能; IBLC模型可以解释Ti4+掺杂CuFeO2样品的介电机理,即CuFeO2陶瓷体系的微观形貌能明显影响体系的巨介电性能.

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文章来源

类型: 期刊论文

作者: 谷留停,叶凤娇,彭科,代海洋,刘德伟,陈镇平

关键词: 陶瓷材料,掺杂,晶体结构,微观形貌,介电性能

来源: 轻工学报 2019年02期

年度: 2019

分类: 工程科技Ⅰ辑

专业: 无机化工

单位: 郑州轻工业大学物理与电子工程学院

基金: 国家自然科学基金项目(11675149),郑州轻工业学院研究生创新基金项目(2017051)

分类号: TQ174.1

页码: 43-49

总页数: 7

文件大小: 2788K

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