导读:本文包含了硒碲化合物论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:化合物,半导体,纳米,结构,乙醇胺,贵金属,溶剂。
硒碲化合物论文文献综述
王文亮[1]（2015）在《铜基二元、叁元硒、碲化合物纳米晶体的液相控制制备及其性能研究》一文中研究指出近年来,铜基二元、叁元硫属化合物,由于具有独特的物理和化学性质而广泛应用于太阳能电池、热电转换和生物医学等领域。此外,半导体-金属异质纳米结构作为新型的功能材料因其异质界面的存在展现出一些新的性质而引起了广泛关注。众所周知,材料自身的组成、结构、形貌和尺寸对其性能有着重要的影响作用。因此,发展新的合成方法探索其生长机理,得到特定的目标产物对于提升材料性能和应用有着重要的意义。本论文旨在通过溶剂热注入法控制合成铜基二元、叁元硫属化合物纳米材料并探索了其生长机理和性质,取得的具体研究成果归纳如下：1.首次通过溶剂热注入法以二苯基二硒醚和无水氯化亚铜为反应前驱体、十八烯和油胺分别为溶剂和表面活性剂得到了尺寸均一、单分散的八面体Cu2-xSe纳米晶体。X-射线衍射、电镜和组分分析证实八面体的Cu2-xSe纳米晶体为立方相。研究探讨了反应温度、反应时间以及表面活性剂对Cu2-xSe纳米晶体的影响并提出了相应的生长机理。此外,Ⅰ-Ⅴ测试表明八面体Cu2-xSe纳米晶体在光探测领域具有潜在的应用前景。2.发展了叁元CuFeSe2纳米晶体的液相合成方法。首次通过溶剂热注入法以乙酰丙酮铜、乙酰丙酮铁和二苯基二硒醚为前驱源在油胺和油酸介质中成功制备出高质量、形貌尺寸均一、单分散的准立方体CuFeSe2纳米颗粒。X-射线衍射、电镜和组分分析表明CuFeSe2纳米颗粒为四方晶相且平均粒径大小～18 m。研究发现通过调控实验参数能够实现产物CuFeSe2纳米晶体的形貌由准立方体转变为球形。光学和光电性能研究表明实验合成的CuFeSe2纳米晶体在可见-近红外光区域均有吸收,可以作为一种良好的吸光材料使其在光电转换领域具有潜在的应用前景。磁学性质研究表明CuFeSe2纳米晶体在4K和300K分别具有铁磁性和顺磁性。3.第一次通过温和的种子介导方法合成了Cu2SnSe3-Au异质纳米结构。光学研究发现Cu2SnSe3-Au异质纳米结构在可见-近红外光范围具有较强的吸收,进而增强了Cu2SnSe3-Au异质纳米结构的光电探测和光催化性能。为了探明该过程中的机理,我们首先研究了Cu2SnSe3和Au之间的能带结构。基于能带理论的有效电子-空穴分离的机理解释了Cu2SnSe3-Au异质纳米结构比Cu2SnSe3在光电和光降解方面具有更好性能的原因。此外,该异质纳米结构的合成方法为其它半导体-金属异质纳米结构的控制制备提供了有益的借鉴。4.首次利用液相合成方法控制制备得到立方相Cu2SnTe3纳米晶体。运用溶剂热注入法,以二氧化碲,乙酰丙酮铜和四苯基锡为前驱源在油胺和正十二硫醇溶液中合成了高质量、形貌尺寸均一的单分散Cu2SnTe3纳米晶体。该研究的重要性在于该方法有效避免了价格高昂、危险和空气敏感的有机膦(例如叁辛基膦或者叁丁基膦)试剂的使用,该研究为其它碲化物纳米结构的控制制备开创了新途径。该叁元Cu2SnTe3纳米晶体在可见-近红外光范围有较强的吸收,且其带隙能约为1.18 eV。光电测试表明,基于Cu2SnTe3纳米晶体组装的光探测器具有优异的探测性能和稳定性能。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2015-10-01）
张捷[2]（2013）在《硒碲化合物微纳米材料的可控合成、微结构分析与性能研究》一文中研究指出硒碲化合物纳米材料是一种重要的半导体材料,具有一系列优异的物理和化学性能,在光电磁纳米器件和生物医学等领域具有广阔的应用前景。材料的化学物质组成与微结构特征决定了材料的物理化学性质,如何在合成过程中实现对纳米材料的晶体结构、微观尺度、形貌、表面结构和能带结构的调控,将为实现材料性能的人工剪裁,深入系统研究材料结构与性能的关系具有重要的意义。相比于其它硒碲化合物半导体材料,锰和钴的硒碲化合物纳米材料的研究和应用还远远滞后。因此,系统地开发不同锰和钴的硒碲化合物纳米材料的合成技术,实现对它们晶体结构、形貌、尺寸和能带结构等的调控,深入研究它们的微结构与电子、磁学等性质之间的关系,开拓材料新的应用潜力,是一项十分迫切且具有挑战性的研究工作。本论文选取锰和钴的硒碲化合物纳米材料为研究对象,在探索微纳米尺度材料合成的新方法、新路线,深入研究材料微观结构、生长机理与电磁特性等方面做了很多有益的探索性研究。论文主要包括以下几部分内容：二硒化锰纳米棒的制备与微波吸收性能。利用简便的水热合成方法制备出高质量的单分散二硒化锰纳米棒。通过调节溶剂N,N-二甲基甲酰胺和表面活性剂聚乙烯基毗咯烷酮在反应中的用量,可以控制调节二硒化锰纳米棒的长径比在15～70之间。表面活性剂的钝化作用和溶剂的还原作用是控制合成的关键因素,对最终材料的晶相、形貌和尺寸都存在着一定的影响。进一步研究了不同长径比的二硒化锰纳米棒的微波吸收性能,发现长径比大的二硒化锰纳米棒在最大反射损耗强度和有效吸收带宽这两方面的表现都优于长径比小的纳米棒。二硒化钻叁维多级微纳结构的制备与微波吸收性能。通过溶剂热法,在两种表面活性剂二乙烯叁胺和十六烷基叁甲基溴化铵对不同晶面的选择性吸附作用下,制备得到了二硒化钴叁维多级微纳结构,平均直径在1-2 μm,该多级结构是由大量相互交错的纳米带或纳米片组装而成。详细考察了不同的反应条件对二硒化钴叁维多级结构尺寸、形貌、晶体结构及其微波吸收性能的影响。在实验结果的基础上,重点研究了双表面活性剂对形成二硒化钴叁维多级微纳结构的作用机理。对比了不同二硒化钴叁维多级结构和一维纳米片状结构的反射损耗,发现毛线团状的二硒化钴叁维多级结构确实表现出更优异的吸波性能,最高反射损耗达到-26.93 dB。纤锌矿硒化锰纳米晶的可控合成及其表面自旋相关的磁性质。采用热分解法,首次实现对纤锌矿硒化锰纳米晶的可控合成。成功制备得到对一系列单分散纤锌矿硒化锰纳米晶,包括子弹头状、水滴状、铅笔状、梭子状、四脚体状、火柴状等多种形貌。反应体系中不同表面活性剂对纤锌矿硒化锰晶面的选择性吸附作用及反应时间、温度、浓度等因素对调节产物形状起到了至关重要的作用。特别是,运用了先进的电镜表征技术,如透射电镜叁位重构技术和原子级分辨的电子能量损失谱,对硒化锰纳米晶的微结构、晶面缺陷和生长机理进行了详细的探索和分析。磁性测试发现所合成的纤锌矿硒化锰纳米晶有特殊的低温铁磁行为,且阻塞温度与纳米晶的比表面积相关。二碲化锰纳米颗粒的合成探索与电子结构研究。首次成功合成二碲化锰纳米颗粒。在碲前驱体中加入强还原剂叁乙基硼氢化锂对二碲化锰纳米晶的成功合成至关重要。改变锰前驱体中的采用的锰源和表面活性剂,可以得到无晶面缺陷和有晶面缺陷的二碲化锰纳米颗粒。对二碲化锰纳米晶的合成条件进行了充分探索,发现锰碲比、反应温度和时间对二碲化锰纳米颗粒的晶体结构、形貌、尺寸等有很大影响。运用原子级分辨的电子能量损失谱,详细分析了二碲化锰纳米晶的晶面缺陷和生长机理。基于密度泛函理论的材料模拟软件Wien2k和Castep,进一步研究了二碲化锰的能带结构和态密度,以及晶体缺陷和尺寸效应对其光吸收和电子结构的影响。(本文来源于《复旦大学》期刊2013-11-25）
周俊[3]（2012）在《贵金属单分散纳米晶及低维硒碲化合物的制备与性质研究》一文中研究指出本文旨在设计和发展贵金属单分散纳米晶和硒碲硫属化合物低维功能纳米材料的液相合成方法。在文献总结和前期研究工作基础上,通过设计新体系液相合成路线并成功制备出油水双溶性贵金属单分散纳米晶、自组装CdTe纳米线以及超薄的单个五原子层Bi2Se3纳米片等多种低维纳米结构,并研究和探讨了其纳米催化、电子输运等性质。主要研究内容及研究结果归纳如下：1.设计和发展了一种温和的贵金属单分散纳米晶的液相合成方法。具体选择在乙二醇体系中,利用油胺做为配位与包裹试剂,成功地制备出既能溶于水相又能溶于油相的贵金属单分散纳米晶,其中包括Au、Ag、Pd、Pt以及其双金属单分散纳米晶。同时,通过改变溶剂与配位试剂比例、反应温度等条件获得了不同尺寸的贵金属单分散纳米晶。并且通过对反应过程的研究,阐明了所设计的合成反应路线的反应机理以及所制备贵金属单分散纳米晶的油、水双溶性的形成原因,并在水相和油相中利用所合成的贵金属量子点作为催化剂进行了suzuki和脱卤反应研究。结果显示,所合成的油水双溶性贵金属单分散纳米晶能很好的适用于油相和水相催化,并且产率都在95%以上。2.利用贵金属在催化硝基氢化反应中的催化速率快、条件温和、体系简单等特点,以上述所制备的贵金属单分散纳米晶为催化剂,设计了以叔丁胺氢化硼(C4H9NH2BH3)代替传统的硼氢酸盐作为氢源,环己烷作溶剂的非水相新型贵金属纳米催化硝基氢化体系。新体系成功避免了传统水相硼氢酸盐氢化体系选择性差的不足,成功实现了含有多官能团化合物中选择性的高效硝基氢化反应,反应的选择性和转化率均超过99%。3.设计和发展了一种新颖的多级自组装CdTe纳米线的制备方法,利用CdCl2和二苯基二碲做前?源,在油胺体系中通过加入叁(2-乙基己基)磷酸作为表面活性剂,通过自组装过程实现了包括纳米线在内的CdTe多种形貌的合成。所合成的纳米线最长达20μm,并且对于可见光有着良好的光电响应性质,能够很好的用于纳米器件的构造中。4.在前期工作的新型乌尔曼反应的基础上,设计和发展了一种更加迅速的通过金属和非金属双自由基化合来制备低维纳米材料的方法.反应中具体利用叁苯基铋和二苄基二硒,在油胺油酸体系中成功合成出单层结构的Bi2Se3超薄纳米片,并通过各种表征证实Bi2Se3单层超薄性。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2012-05-01）
张凤伟[4]（2012）在《硒、碲及其化合物纳米线的合成、表征以及性能的研究》一文中研究指出本论文主要研究的是利用液相化学法制备一维Se、CoSe纳米材料，以及贵金属／碲异质结构纳米复合材料。对所获得的样品进行表征，并对其形成机理做了研究。此外，还对部分产物的电化学性质进行了研究。主要内容可归纳为：1、研究了室温条件下向乙醇中加入碱对无定形硒（a-Se）向叁方硒（t-Se）纳米线的转变的影响。实验结果表明虽然在乙醇中a-Se可自动转化为t-Se，但是加入碱后其转换速度大大加快。适当控制氢氧化钠的浓度可以得到t-Se纳米线或纳米管。这些结果有助于进一步了解由a-Se生成t-Se的转化机理。2、利用水热法在水合肼辅助条件下合成碲纳米线，然后在表面活性剂的存在下向溶液中加入贵金属的盐溶液，生成贵金属/碲异质结构纳米复合材料。实验结果表明表面活性剂对金属附着在碲纳米线上起着决定性的作用。对制得的产物进行了表征，并研究了贵金属／碲纳米复合材料的电化学性质。3、利用水热法合成了Co(CO_3)_(0.35)Cl_(0.20)(OH)_(1.10)纳米棒，以此纳米棒为前驱体，与NaHSe溶液反应得到CoSe纳米管。对制得的产物的形貌和结构进行了表征。通过对CoSe纳米管的形成过程进行研究，结果表明CoSe纳米管的形成是基于纳米尺度的柯肯达尔效应。此外，对其电化学的性质也进行了研究。(本文来源于《安徽师范大学》期刊2012-05-01）
肖培培[5]（2011）在《溴氧化铋和硒碲化合物微纳米材料的可控合成和表征》一文中研究指出本论文探索了水热合成、室温水相化学合成以及混合溶剂热合成制备了BiOBr,Bi_2O_3,CoTe_2和PbSe纳米材料。水热条件下制备了微米花状BiOBr和凹面梭子状的Bi_2O_3,在前面的工作基础上,我们还进一步在室温下采用水相合成方法合成了直径约为500 nm的亚微米花状BiOBr纳米结构。采用水和二乙烯叁胺(DETA)的混合溶剂合成了骰子状立方块PbSe晶体;用水、叁乙烯四胺(TETA)和水合肼的混合溶剂,添加表面活性剂CTAB合成了由纳米棒组成的花状CoTe_2纳米结构。主要内容归纳如下:1.通过调节NaOH的加入量,在Bi(NO_3)_3–十六烷基叁甲基溴化铵(CTAB)–NaOH反应体系中通过水热法合成不同形貌的BiOBr和Bi_2O_3。在酸性条件下,合成了微米花状的BiOBr,该微米花是由厚度为20 nm的单晶纳米片组成的;在较强的碱性条件下,合成了Bi_2O_3凹面梭子状形貌,梭子的长约100μm,中间宽度微为50 ?μm。通过在可见光下降解甲基橙水溶液来检测微米花状BiOBr的光催化活性,其降解效率在90 min内达到了96%。在前面的工作基础上,在室温下,以Bi(NO_3)_3和四乙基溴化胺(TEAB)作为反应原料,通过简单的液相反应合成了大量的BiOBr亚微米花状纳米结构,其直径约为500 nm,结构观察表明这些亚微米花状结构是由厚为20 nm的BiOBr单晶纳米片组成的。合成的亚微米花状BiOBr能分别在可见光和紫外线照射下降解甲基橙和苯酚水溶液,降解效率分别达到了在1.5 h达到97%和4 h达到45%。2.在二乙烯叁胺的存在下,以Na_2SeO_3为Se源,通过混合溶剂法合成PbSe骰子状立方块晶体,立方块晶体的边长在1.5μm到2.5μm之间。DETA在反应中起到了还原剂和溶剂的作用。3.通过叁乙烯四胺和CTAB的协同作用,大规模地合成出了花状CoTe_2纳米结构。这些花状结构是由直径约为50 nm的纳米棒组成的。实验结果表明叁乙烯四胺和CTAB在反应中作为主要的络合剂和capping试剂影响着CoTe_2晶体的生长,在控制产物的形貌和相成分方面都起到了关键作用。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2011-04-01）
陶洪[6]（2010）在《硒、碲及其化合物纳米线的液相化学合成和电子器件性能的研究》一文中研究指出第VI族元素硒(Se)、碲(Te)是具有优异的光电导特性、压电特性和非线性光学特性等一系列特异性质的窄带隙半导体。将它们掺杂于Si等半导体中,能大大提高元件的运算速度;将它们作为模板通过简单的金属盐水溶液反应即可转化为CdSe、Ag2Se、HgCdTe、CdTe等功能材料用于制备热电元件、光电导元件、压电器件、太阳电池模组等。因此,在纳米技术快速发展的今天,发展Se、Te纳米结构的简单、廉价、易于规模化生产的制备方法和研究它们的电子器件特性,无疑具有十分重要的意义。自从2001年Xia小组使用液相还原反应路线生长Se和Te纳米线以来,因为其相对较低的反应温度和较为温和的反应过程,并且不需使用昂贵复杂的设备和面积有限的衬底,即可以获得高纯度高结晶性的纳米结构,表现出很好的规模化生产前景,因此得到人们的广泛重视。在本文中,我们采用液相还原反应路线,研究了Te纳米线的可控合成方法,首次制备了Se/Te异质结纳米线,发展了Te纳米线的绿色化学合成方法;并以“绿色”Se、Te纳米线为模板合成了Cu3Se2、Ag2Te纳米线和Te/Ag2Te异质结纳米线;制备了Se、Te、Ag2Te单纳米线场效应晶体管(FET)和Cu3Se2、Te/Ag2Te纳米线电子器件并对其性能进行了表征。取得了以下主要成果:1、使用水合肼在SDBS、SDS、NPE等表面活性剂辅助下,还原原碲酸合成了超细Te纳米线。实验表明,不同的表面活性剂对Te纳米线产物的形貌有着显着的影响,用SDBS作为表面活性剂可以合成单分散的超细Te纳米线。在此基础上,研究了SDBS作表面活性剂时反应条件对纳米线产物的影响,发现随着表面活性剂浓度的增加,Te纳米线产物的直径减小而长度变长,前驱体浓度的增加亦会导致纳米线直径的减小和长度的变长,这些规律使我们得以通过控制表面活性剂和前驱体的浓度来调节产物Te纳米线的直径和长度。2、以Te纳米棒为晶种,首次合成了Se/Te异质结纳米线。使用较短的Te纳米棒为晶种,可以生成V型的异质结纳米线,其角度会随Se-Te投料比的改变而规则变化;使用较长的Te纳米棒为晶种,会生成直线型的异质结纳米线。并基于实验结果,对异质结纳米线的生长机理进行了初步的探讨。3、绿色环保是当今世界的主流,我们扩展了Li等人的绿色化学方法生长Se纳米线的合成路线,使用无毒无害的抗坏血酸还原剂和β-环糊精模板,用水热法生长了Te纳米线,并考察了β-环糊精模板和温度等反应要素对产物形貌的影响,讨论了在此路线中纳米线的生长机理;4、考察了前述“绿色”Se、Te纳米线的电子输运特性。首次制备了Se纳米线FET,并获得了30cm2V-1s-1的迁移率;而Te纳米线FET的迁移率达到299cm2V-1s-1,比Liang等最近报道的第一个Te纳米线FET的迁移率提高了一倍,并且具有很好的可重复性和稳定性,并对纳米线的纯度、结晶性、表面附着物和电极接触等因素对纳米线FET器件性能的影响进行了研究和讨论;5、使用“绿色”Se、Te纳米线为模板,在水溶液中与金属盐反应得到了Cu3Se2、Ag2Te纳米线和Te/Ag2Te异质结纳米线,并对其电子器件进行了制备和表征。结果表明,Cu3Se2在不同的温度下存在两个相,其两相的电阻率几乎相差8个数量级,利用这一特性可以制备成挥发性存储器;Ag2Te是一种n型半导体纳米线,在我们的单纳米线器件中,得到了31.8cm2V-1S-1的迁移率;Te/Ag2Te异质结纳米线表现出明显的整流特性,整流比大约为95。(本文来源于《华南理工大学》期刊2010-04-09）
范海[7]（2008）在《乙醇胺体系中微尺度硒碲化合物的控制合成及机理研究》一文中研究指出本论文旨在探索和研究微尺度(微米～纳米)硒碲化合物半导体材料、结构控制合成以及特殊新颖形貌制备的新方法、新路线。以水热、溶剂热技术为基础,发展了一种以乙醇胺为基础的化学液相反应体系。我们以金属硒碲化合物半导体为例,通过改变实验条件,如原料摩尔比、溶剂体积比、表面活性剂浓度等,可以对产物的结构、物相及形貌进行有效的控制。论文主要内容归纳如下:1.发展了溶剂热合成技术,在乙醇胺—水混合溶剂体系中,控制合成了不同结构和形貌的CdSe纳米晶。通过控制乙醇胺/水的体积比,成功的控制得到了六方、立方相的CdSe以及它们的混合相。通过控制乙醇胺/水的体积比,还可以有效控制产物的形貌。2.设计出乙醇胺—聚乙二醇反应体系,在此体系中,合成了CdSe纳米棒构成的微米管。实验表明,乙醇胺/水的体积比,聚乙二醇的加入量对产物的形貌有很大的影响。根据实验结果,我们提出了以聚乙二醇形成的棒状胶束作为软模板,制备CdSe微米管的可能形成机理。3.设计出乙醇胺—聚乙烯醇反应体系,控制合成了不同物相和形貌的各种硒化镍微米晶体。系统研究了不同反应条件对产物物相和形貌的影响。通过控制原料Ni(Ac)_2·7H_2O和SeO_2的摩尔比从1:3变化到3:1,我们可以依次得到NiSe_2,NiSe_2和NiSe,NiSe,NiSe和Ni_3Se_2,不同物相的硒化镍晶体材料。通过控制聚乙烯醇的加入量,可以有效控制合成不同形貌的晶体。4.设计出乙醇胺—葡萄糖反应体系,控制合成了不同形貌的硫属化合物(Bi_2Se_3,CoTe)纳米材料,研究了不同反应条件对产物形貌的影响,并提出了可能的反应机理。(1)以Bi(NO_3)_3·5H_2O和SeO_2为原料,在上述体系中制备了花状Bi_2Se_3纳米晶。实验发现花状Bi_2Se_3纳米晶是由花状Se纳米晶为模板原位生成的。所制备的花状Bi_2Se_3纳米晶保持了模板的形貌。(2)我们在相同的反应体系中,以CoSO_4·7H_2O替换Bi(NO_3)_3·5H_2O,TeO_2替换SeO_2,制备了CoTe纳米管。实验发现,反应初期会生成Te纳米棒,随着反应时间的延长,在Te纳米棒的表面会生成CoTe纳米颗粒层,当反应时间增加到16小时时,即可得到CoTe纳米管。根据对反应过程的研究,我们提出了碲纳米棒原位模板法,生长CoTe纳米管的生长机理。5.设计出一种可逆化学反应的方法来制备Se晶体。实验发现,MnCl_2·4H_2O可以作为碱性中和剂,通过加入不同浓度的MnCl_2溶液,可有效改变反应溶液的碱性强度,从而控制Se晶核的初始生成浓度,进一步得到不同形貌的Se晶体(Se微米棒束、微米管和片状枝晶)。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2008-04-01）
黄毅[8]（2003）在《含有机配体的多元金属硫族硒、碲化合物的合成、结构及性能研究》一文中研究指出本课题为含有机配体的多元金属硒、碲化合物的固体合成,结构表征及性能研究。本文对含有机配体的多元金属硫族化合物的研究成果进行了系统的总结。对这类化合物的合成方法,结构规律和性能研究进行了分析、研究、讨论和归纳。多元金属硫族化合物容易结晶成低维结构,从而表现除特殊的物理性质和化学性质,具有广阔的应用前景,是近年来固体化学一个十分活跃的研究领域。低温溶剂热法合成的多元金属硫族化合物常具有低维结构(即0-D,1-D,2-D),热力学上多处于介稳态。本文采用低温溶剂热法,通过分子设计,合成化学式为AxMyLnM'y'Qz的新型含有机配体的多元金属硫族化合物。其中,A为碱金属或碱土金属;M为过渡金属; M'为主族金属;Q为S, Se, Te;L为多齿配体(n≥0)。通过大量实验,合成出6个新晶体,其中对K2MnSnTe4、[Mn(en)3](Hen)SbSe4进行单晶结构的测定和光学能隙(Eg)的测定。晶体 [Mn(en)3](Hen)SbSe4属于叁斜晶系,空间群为P-1, 晶胞参数,a = 0.88895(18)nm, b = 0.96509(19)nm, c = 1.4530(3)nm, α = 104.64(3)°,β??= 92.23(3)°,γ= 110.62(3)°,V = 1.1175(4) nm 3, Z = 4,Dc = 3.281 Mg/m3,μ= 12.471 mm-1 , F(000) = 1019。偏差因子R1 = 0.1666, wR2 = 0.4125。它是由分立的(SbSe4)3-,[Mn(en)3]2+和(Hen)1+离子靠静电<WP=3>力堆积而成的,晶胞含4个不对称单位,即4个(SbSe4)3-离子, 4个[Mn(en)3]2+和4个(Hen)1+离子。经差热分析该晶体具有较高热稳定性。UV-VIS-NIR漫反射光谱研究得到[Mn(en)3](Hen)SbSe4的Eg=1.52eV,属于半导体,是值得研究的光-电转化新材料。晶体K2MnSnTe4仍存在缺陷。暂时还不能用单晶X射线衍射法测定其晶体结构。但可以肯定,K2MnSnTe4具有[MnSnTe4]n负离子和K正离子靠静电作用堆积而成的Zintl-型结构。其中[MnSnTe4]n负离子具有共价骨架,决定晶体结构的基本特征。推测该晶体与K2MnSnSe4具有相似晶体结构。UV-VIS-NIR漫反射光谱研究得到K2MnSnTe4的Eg=1.75eV,属于半导体,也是值得研究的光-电转化新材料。(本文来源于《北京化工大学》期刊2003-11-08）
彭卿[9]（2003）在《硒碲化合物半导体纳米材料的调控合成、结构与性能研究》一文中研究指出硒碲化合物半导体纳米材料因其优异的光、电、磁性能，具有广阔的应用前景。如何在合成过程中实现对它们的晶体结构、维度、形貌、表面结构和能带结构的调控，将为实现材料性能的人工剪裁，深入系统研究材料结构与性能的关系具有重要的意义。本论文在硒碲化合物半导体纳米材料的化学合成新途径及其调控合成方法等方面做了很多有益的探索性研究。在合成新途径的探索方面，从发现了水热元素直接反应法，发展到亚硒酸盐水热还原法，提出了化学调控合成的新概念，为液相中金属硒碲化合物的合成提供了可能的动力学调控手段和方法。在实验上，选用络合剂络合金属离子，通过筛选合适的络合剂、调节反应温度、反应物比例等条件，成功地实现了对CdSe晶体结构、维度、尺寸和形貌等的选择性调控合成，并详细讨论了调控机制，为半导体纳米材料的调控合成开辟了新的途径。在化学调控合成思想的指导下，运用已取得的调控合成的成功经验，利用MnSeO3沉淀缓释放出Mn2+源和硒源，在调节反应温度的基础上，于同一反应体系成功地合成了MnSe2和MnSe的立方体和球形微米晶，实现了产物组成和维度的调控，并对它们的磁行为进行了研究。用亚碲酸盐代替亚硒酸盐，上述方法被成功应用到金属碲化物的动力学调控合成中，通过共还原反应机理，利用新生的元素Co、Ni与活性碲，于水溶液中合成了CoTe和NiTe的一维纳米线。亚硒（碲）酸盐还原水热法为金属硒碲化合物的调控合成提供了一个强有力的手段，进一步发展和完善了化学调控合成的方法，丰富了调控合成思想。以ZnO22-阴离子提供锌源，利用它在强碱性溶液中缓慢释放出Zn2+，并与Se2-之间的电荷排斥作用，成功地调节了反应动力学，获得了尺寸和分散性都非常均匀的微米级ZnSe空心球，并实现了空心球内部粒子尺寸的调控，提出了新颖的气液界面团聚机理。进行了ZnSe微球自组装的尝试，并初步获得了微球排列紧密的二维ZnSe片和叁维紧密堆积结构，展现了很好的自组装前景。最后通过置换反应法对ZnSe微球的表面进行了修饰，成功制备了多种核壳结构，为材料性能的“剪裁”打下了良好的基础。(本文来源于《清华大学》期刊2003-04-01）
孔庆安,金国新,林永华[10]（2002）在《含有1,2-二硫(硒、碲)碳硼烷的16和18电子体系Cp~tRh化合物的合成及表征》一文中研究指出The reaction of [Cp+%t%RhCl-2]-2(1) (Cp+%t%=η+5|{}+%t%Bu-2C-5|H-3) with 1,2|dilithium dichalcogenolate carborane Li-2E-2C-2B-{10}H-{10}(E=S, Se) afforded the 16|electron rhodium(Ⅲ) half|sandwich complexes {Cp+%t%Rh(E-2C-2B-{10}H-{10})}3a), Se(3b)]. 18|Electron trimethyl phosphine rhodium(Ⅲ) half|sandwich complexes Cp+%t%Rh(PMe-3)(E-2C-2B-{10}H-{10}). 18|Electron trimethyl phosphine rhodium(Ⅲ) half|sandwich complexes Cp+%t%Rh(PMe-3)(E-2C-2B-{10}H-{10})4a), Se(4b), Te(4c)] can be synthesized both by addition of PMe-3 into 16|electron complexes can be synthesized both by addition of PMe-3 into 16|electron complexes 3a, 3b and by the reaction Cp+%t%Rh(PMe-3)Cl-2(2) with Li-2E-2C-2B-{10}H-{10}({E=S}, Se, Te). The molecular geometry of 4b was determined by X|ray diffraction structural analysis.(本文来源于《高等学校化学学报》期刊2002年03期）
硒碲化合物论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
硒碲化合物纳米材料是一种重要的半导体材料,具有一系列优异的物理和化学性能,在光电磁纳米器件和生物医学等领域具有广阔的应用前景。材料的化学物质组成与微结构特征决定了材料的物理化学性质,如何在合成过程中实现对纳米材料的晶体结构、微观尺度、形貌、表面结构和能带结构的调控,将为实现材料性能的人工剪裁,深入系统研究材料结构与性能的关系具有重要的意义。相比于其它硒碲化合物半导体材料,锰和钴的硒碲化合物纳米材料的研究和应用还远远滞后。因此,系统地开发不同锰和钴的硒碲化合物纳米材料的合成技术,实现对它们晶体结构、形貌、尺寸和能带结构等的调控,深入研究它们的微结构与电子、磁学等性质之间的关系,开拓材料新的应用潜力,是一项十分迫切且具有挑战性的研究工作。本论文选取锰和钴的硒碲化合物纳米材料为研究对象,在探索微纳米尺度材料合成的新方法、新路线,深入研究材料微观结构、生长机理与电磁特性等方面做了很多有益的探索性研究。论文主要包括以下几部分内容：二硒化锰纳米棒的制备与微波吸收性能。利用简便的水热合成方法制备出高质量的单分散二硒化锰纳米棒。通过调节溶剂N,N-二甲基甲酰胺和表面活性剂聚乙烯基毗咯烷酮在反应中的用量,可以控制调节二硒化锰纳米棒的长径比在15～70之间。表面活性剂的钝化作用和溶剂的还原作用是控制合成的关键因素,对最终材料的晶相、形貌和尺寸都存在着一定的影响。进一步研究了不同长径比的二硒化锰纳米棒的微波吸收性能,发现长径比大的二硒化锰纳米棒在最大反射损耗强度和有效吸收带宽这两方面的表现都优于长径比小的纳米棒。二硒化钻叁维多级微纳结构的制备与微波吸收性能。通过溶剂热法,在两种表面活性剂二乙烯叁胺和十六烷基叁甲基溴化铵对不同晶面的选择性吸附作用下,制备得到了二硒化钴叁维多级微纳结构,平均直径在1-2 μm,该多级结构是由大量相互交错的纳米带或纳米片组装而成。详细考察了不同的反应条件对二硒化钴叁维多级结构尺寸、形貌、晶体结构及其微波吸收性能的影响。在实验结果的基础上,重点研究了双表面活性剂对形成二硒化钴叁维多级微纳结构的作用机理。对比了不同二硒化钴叁维多级结构和一维纳米片状结构的反射损耗,发现毛线团状的二硒化钴叁维多级结构确实表现出更优异的吸波性能,最高反射损耗达到-26.93 dB。纤锌矿硒化锰纳米晶的可控合成及其表面自旋相关的磁性质。采用热分解法,首次实现对纤锌矿硒化锰纳米晶的可控合成。成功制备得到对一系列单分散纤锌矿硒化锰纳米晶,包括子弹头状、水滴状、铅笔状、梭子状、四脚体状、火柴状等多种形貌。反应体系中不同表面活性剂对纤锌矿硒化锰晶面的选择性吸附作用及反应时间、温度、浓度等因素对调节产物形状起到了至关重要的作用。特别是,运用了先进的电镜表征技术,如透射电镜叁位重构技术和原子级分辨的电子能量损失谱,对硒化锰纳米晶的微结构、晶面缺陷和生长机理进行了详细的探索和分析。磁性测试发现所合成的纤锌矿硒化锰纳米晶有特殊的低温铁磁行为,且阻塞温度与纳米晶的比表面积相关。二碲化锰纳米颗粒的合成探索与电子结构研究。首次成功合成二碲化锰纳米颗粒。在碲前驱体中加入强还原剂叁乙基硼氢化锂对二碲化锰纳米晶的成功合成至关重要。改变锰前驱体中的采用的锰源和表面活性剂,可以得到无晶面缺陷和有晶面缺陷的二碲化锰纳米颗粒。对二碲化锰纳米晶的合成条件进行了充分探索,发现锰碲比、反应温度和时间对二碲化锰纳米颗粒的晶体结构、形貌、尺寸等有很大影响。运用原子级分辨的电子能量损失谱,详细分析了二碲化锰纳米晶的晶面缺陷和生长机理。基于密度泛函理论的材料模拟软件Wien2k和Castep,进一步研究了二碲化锰的能带结构和态密度,以及晶体缺陷和尺寸效应对其光吸收和电子结构的影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硒碲化合物论文参考文献
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