导读:本文包含了氟化非晶碳膜论文开题报告文献综述、选题提纲参考文献及外文文献翻译，主要关键词:氟化,薄膜,光谱,微结构,发射光谱,等离子体,形貌。
氟化非晶碳膜论文文献综述
王福,鲁志斌,张广安,王立平,薛群基[1]（2017）在《氟化非晶碳基薄膜摩擦学行为对配副材料的依赖性》一文中研究指出为了系统研究氟掺杂对非晶碳基薄膜摩擦学行为的影响,以C_2H_2和CF_4为气源,通过等离子体增强化学气相沉积方法制备不同F含量的非晶碳基薄膜.采用XPS、SEM、Raman光谱以及纳米压痕等技术测定薄膜的微观结构、化学组成和力学性能,利用球-盘式往复摩擦试验机评价薄膜与不同配副材料的摩擦磨损性能.结果显示:较低F含量并未显着影响薄膜与强碳黏着对偶Ti、WC和Si_3N_4的摩擦系数;少量F原子掺杂明显增加了薄膜与弱碳黏着对偶ZrO_2和Al_2O_3的摩擦系数;薄膜与GCr15对偶的摩擦系数随F含量增加而明显升高;高F含量导致薄膜与Cu对偶的摩擦系数产生明显波动,而导致薄膜与Al对偶的摩擦系数显着增加;值得注意的是,高F含量薄膜在不同体系中都表现出高摩擦低磨损的特点.高活性F原子与对偶材料的摩擦化学作用能够合理解释不同体系摩擦学行为.(本文来源于《摩擦学学报》期刊2017年03期）
肖剑荣,蒋爱华[2]（2010）在《氟化非晶碳膜结构的Raman和FTIR研究》一文中研究指出利用反应射频磁控溅射法,以单晶Si片为衬底,在不同功率下制备了氟化非晶碳膜样品,并进行了不同温度的退火处理。采用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱和原子力显微镜对样品的结构进行了表征。通过谱线Lorentzian分峰拟合方法,分析比较了不同功率下制备的氟化非晶碳膜sp杂化结构,得到了薄膜生长过程功率控制与结构的关系,功率增大、退火温度升高,膜内sp2相对含量增加。退火温度达到350℃时,薄膜中石墨结构明显增加。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2010年06期）
高金定,侯玉宝[3]（2009）在《氮掺杂对氟化非晶碳薄膜微观结构的影响》一文中研究指出以CH4,CF4,N2为源气体,用RF-PECVD法,通过改变N2流量制备了一批掺氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜样品。分析了氮掺杂对薄膜微观结构的影响。研究发现:掺氮后薄膜表面更均匀致密,均方粗糙度(RMS)由未掺氮的2.553 nm降为1.406 nm。FTIR测试表明掺氮后薄膜中出现了C=N及C≡N,随着氮流量的增加,1 620 cm-1附近吸收峰往高频移动,CFx基团含量下降,C=C基团含量上升。Raman光谱分析表明:随着氮流量的增加,D峰与G峰强度之比由未掺氮时的1.461增加到了掺氮后的2.545,薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升。结果表明:掺氮能有效增强a-C∶F薄膜交联结构,从而提高薄膜热稳定性。(本文来源于《半导体光电》期刊2009年03期）
刘雄飞,李伯勋,徐根[4]（2009）在《掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响》一文中研究指出利用射频等离子体增强型化学气相沉积设备(RF-PECVD)在单晶硅基底上沉积含氮的氟化类金刚石薄膜,研究了不同掺氮量下薄膜的场发射特性。通过退火处理,研究了薄膜场发射电流的稳定性,通过原子力显微镜,观察了薄膜退火前后的表面形貌。通过场发射测试表明,随着氮含量的升高,薄膜的阈值电场降低,发射电流逐渐升高。退火后,掺氮薄膜达到稳定的发射电流的时间比未掺氮薄膜大大缩短。表面形貌分析表明,退火后由于薄膜表面微凸的减少,发射电流有所下降。(本文来源于《半导体技术》期刊2009年03期）
蒋爱华,肖剑荣[5]（2009）在《氟化非晶碳膜的微结构分析》一文中研究指出利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法,在不同的温度下制备了氟化非晶碳膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收光谱(FTIR)等仪器对薄膜微结构进行了表征。研究发现,氟化非晶碳膜微观结构与薄膜生长过程温度控制密切相关,温度升高,膜内键合结构变化,sp2相对含量增加。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2009年01期）
谷建东,李东明,冯志庆,牛金海,刘东平[6]（2009）在《ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究》一文中研究指出本文使用CH2F2为源气体,利用电感耦合等离子体增强化学气相沉积(ICP-CVD)法在不同放电模式(连续或脉冲)、沉积气压、射频功率和位置下制备了a-C∶F薄膜。用原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,通过FTIR、XPS对其结构进行了表征。研究结果表明:放电模式、放电气压、射频功率、基底位置均对薄膜的表面粗糙度(RMS)和组成具有重要的影响。在脉冲波模式下,增加放电气压,薄膜RMS值的变化呈现出先降低后升高的变化趋势;基底距离线圈的距离越远,所沉积薄膜的RMS值越小。而在连续波模式下,距离线圈较远的B、C位置薄膜的RMS值却相对较高。增加放电功率导致沉积薄膜的RMS值较小。本文也对CH2F2等离子体进行了发射光谱(OES)诊断研究。结果表明,对比脉冲波模式,连续波放电时等离子体中含碳物种明显减少。结合表征结果和OES结果对薄膜的生长机理进行了探讨。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2009年01期）
高金定,刘雄飞,肖剑荣[7]（2008）在《低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测》一文中研究指出氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜具有介电常数低、热稳定性好等优点,普遍认为是下一代集成电路互联层绝缘介质的最佳候选材料之一。结合研究实践,综述了国内外低介电常数氟化非晶碳薄膜主要的制备技术、工艺参数及性能检测技术,指出了介电常数和热稳定性的矛盾是阻碍该薄膜实用化的主要原因。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2008年04期）
周昕[8]（2007）在《含氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜电学性能的研究》一文中研究指出用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜,用电桥测试薄膜的介电常数,研究不同工艺参量对薄膜电学性能的影响.结果表明:掺杂氮、高射频功率、高沉积温度以及热退火都导致薄膜介电常数上升.(本文来源于《株洲师范高等专科学校学报》期刊2007年05期）
刘雄飞,周昕[9]（2006）在《氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究》一文中研究指出用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备氮掺杂氟化非晶碳(a-C:F:N)薄膜。用紫外-可见分光光谱仪、椭偏仪、傅立叶变换红外光谱仪对薄膜进行了检测。结果表明:随源气体中氮气含量的增加,光学带隙先减小后升高,折射率变化情况与之相反。在其它条件相同的情况下,升高沉积温度使得薄膜的光学带隙和折射率降低。光学带隙的大小与sp2键含量密切相关,sp2键浓度越大,薄膜的光学带隙越小。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2006年04期）
张云芳[10]（2006）在《氮掺杂氟化非晶碳薄膜的拉曼光谱结构研究》一文中研究指出以CF4、CH4和N2的混合气体为源气体,采用PECVD技术,在不同源气体流量比下制备了α-C:F:N薄膜。对制备的薄膜进行了真空退火处理,并对退火前后的薄膜进行了拉曼结构分析。拉曼分析表明:α-C:F:N薄膜是由sp2和sp3混合结构组成的非晶碳薄膜;随源气体流量比的增大,α-C:F:N薄膜中sp2键的含量增加,交联结构加强,薄膜的热稳定性得到提高;对低流量比下沉积的薄膜,退火处理可以提高其热稳定性。(本文来源于《绝缘材料》期刊2006年04期）
氟化非晶碳膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用反应射频磁控溅射法,以单晶Si片为衬底,在不同功率下制备了氟化非晶碳膜样品,并进行了不同温度的退火处理。采用拉曼光谱、傅里叶变换红外光谱和原子力显微镜对样品的结构进行了表征。通过谱线Lorentzian分峰拟合方法,分析比较了不同功率下制备的氟化非晶碳膜sp杂化结构,得到了薄膜生长过程功率控制与结构的关系,功率增大、退火温度升高,膜内sp2相对含量增加。退火温度达到350℃时,薄膜中石墨结构明显增加。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氟化非晶碳膜论文参考文献
[1].王福,鲁志斌,张广安,王立平,薛群基.氟化非晶碳基薄膜摩擦学行为对配副材料的依赖性[J].摩擦学学报.2017
[2].肖剑荣,蒋爱华.氟化非晶碳膜结构的Raman和FTIR研究[J].真空科学与技术学报.2010
[3].高金定,侯玉宝.氮掺杂对氟化非晶碳薄膜微观结构的影响[J].半导体光电.2009
[4].刘雄飞,李伯勋,徐根.掺杂对氟化非晶碳膜场发射性能的影响[J].半导体技术.2009
[5].蒋爱华,肖剑荣.氟化非晶碳膜的微结构分析[J].真空科学与技术学报.2009
[6].谷建东,李东明,冯志庆,牛金海,刘东平.ICP-CVD制备氟化非晶碳(a-C:F)薄膜的研究[J].真空科学与技术学报.2009
[7].高金定,刘雄飞,肖剑荣.低介电常数氟化非晶碳薄膜的制备与检测[J].电子元件与材料.2008
[8].周昕.含氮氟化非晶碳(a-C∶F∶N)薄膜电学性能的研究[J].株洲师范高等专科学校学报.2007
[9].刘雄飞,周昕.氮掺杂氟化非晶碳薄膜光学性质的研究[J].材料科学与工程学报.2006
[10].张云芳.氮掺杂氟化非晶碳薄膜的拉曼光谱结构研究[J].绝缘材料.2006
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